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1.

发明授权
安装方法有权

公开(公告)号：CN104520976B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201380041827.0

申请日：2013-03-11

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 植田充彦 , 佐名川佳治 , 明田孝典 , 林真太郎

IPC: H01L21/52 , B23K20/00 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 , B23K20/00 , H01L21/52 , H01L21/6836 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29011 , H01L2224/29012 , H01L2224/29013 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/3003 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/32501 , H01L2224/32505 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/75252 , H01L2224/75301 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75901 , H01L2224/7598 , H01L2224/8301 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83123 , H01L2224/83127 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83207 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/8383 , H01L2224/83906 , H01L2224/83907 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/10161 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 一种在基板上安装多个芯片的安装方法，包括在基板上临时地接合所述多个芯片中每个的临时接合过程，以及在基板上牢固地接合临时接合在基板上的所述多个芯片中每个的主要接合过程。在临时接合过程中，包括第一步骤和第二步骤的第一基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第一步骤中，基板(1)中的第一金属层和芯片中的第二金属层被定位。在第二步骤中，第二金属层和第一金属层通过固相扩散接合而临时地接合。在主要接合过程中，包括第三步骤和第四步骤的第二基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第三步骤中，识别临时接合于基板的芯片的位置。在第四步骤中，通过液相扩散接合使第二金属层和第一金属层经受主要接合。

2.

发明授权
制造凸起的方法和制造半导体器件的方法失效

公开(公告)号：CN103165473B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201210536283.2

申请日：2012-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玉政泰 , 金权中 , 金学焕 , 白好善

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L21/76892 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05171 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552

Abstract: 可以提供一种凸起制造方法。所述凸起制造方法可以包括：在包括在半导体器件中的电极焊盘上形成凸起；以及通过在氧气氛下对形成在半导体器件上的凸起进行回流来控制凸起的形状。

3.

发明授权
金属配线形成用的转印基板及使用所述转印用基板的金属配线的形成方法有权

公开(公告)号：CN103959448B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201280056612.1

申请日：2012-11-08

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小柏俊典 , 栗田昌昭 , 西森尚 , 兼平幸男

IPC: H01L21/60 , H01L23/12 , H05K1/09 , H05K3/20

CPC classification number: H01L21/4814 , B22F7/08 , B23K35/007 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/322 , B23K2035/008 , B23K2101/40 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C5/04 , C23C18/165 , C25D7/00 , H01L21/71 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/0312 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/05678 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/11505 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/12056 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种转印用基板，包括基板、形成在所述基板上的至少一个金属配线原料、形成在所述金属配线原料的表面上的至少1层的覆盖层、形成在所述基板与所述金属配线原料之间的基底金属膜，用于使所述金属配线原料向被转印物转印，其中，所述金属配线原料是将纯度99.9重量％以上、平均粒径0.01μm～1.0μm的金粉等的金属粉末烧结而成的成形体，所述覆盖层是金等的规定的金属或合金，由与所述金属配线原料不同的组成的金属或合金构成，且其总厚度为1μm以下，所述基底金属膜由金等的规定的金属或合金构成。本发明的转印用基板在通过转印法在被转印物形成金属配线时，能够降低被转印物侧的加热温度。

4.

发明授权
制造裸片的金属垫片结构的方法、裸片配置和芯片配置有权

公开(公告)号：CN103632985B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310368205.0

申请日：2013-08-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 约翰·加特鲍尔 , 约尔格·布施 , 伯恩哈德·韦德甘斯

IPC: H01L21/50 , H01L23/31

CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/498 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L2224/02 , H01L2224/0212 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/0239 , H01L2224/03019 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/0381 , H01L2224/0382 , H01L2224/03821 , H01L2224/03822 , H01L2224/03825 , H01L2224/03827 , H01L2224/03831 , H01L2224/03848 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05547 , H01L2224/05565 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/056 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/0569 , H01L2224/05693 , H01L2224/12105 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48135 , H01L2224/48151 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2224/4869 , H01L2224/48693 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48864 , H01L2224/48869 , H01L2224/4889 , H01L2224/48893 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/3651 , H01L2924/3656 , H01L2924/381 , H01L2924/00012 , H01L2924/01028 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2224/45147

Abstract: 本发明提供了制造裸片的金属垫片结构的方法、裸片配置和芯片配置。一种用来制造裸片的金属垫片结构的方法，所述方法包括：在裸片的封装材料之间形成金属垫片，其中，所述金属垫片和所述封装材料被间隙彼此分隔开；以及在间隙中形成额外的材料以使间隙的至少一部分变窄。

5.

发明授权
高速信号线用接合线有权

公开(公告)号：CN104103616B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201410108153.8

申请日：2014-03-21

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 安德优希 , 安原和彦 , 千叶淳 , 陈炜 , 冈崎纯一 , 前田菜那子

IPC: H01L23/49 , C22C5/06 , C22F1/14

CPC classification number: H01L24/45 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2223/6611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/48511 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2924/00011 , Y10T428/2958 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01204 , H01L2924/01045 , H01L2924/01077 , H01L2924/01044 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01012 , H01L2924/0103 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01004 , H01L2924/01083 , H01L2924/01034 , H01L2924/01058 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/01203 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/00013 , H01L2924/01079 , H01L2924/0105 , H01L2924/01022 , H01L2924/01052 , H01L2224/45644 , H01L2924/00015 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2924/01048

Abstract: 本发明的目的在于提供一种Ag-Pd-Pt三元合金或Ag-Pd-Pt三元系合金的高速信号线用接合线，即使在该接合线的表面形成不稳定的硫化银层时，仍无坚固的硫化银(Ag2S)膜，并可传送稳定的数千兆赫频带等的超高频信号。该高速信号线用接合线是由0.8～2.5质量%的钯(Pd)、0.1～0.7质量%的铂(Pt)、及剩余部分为纯度99.99质量%以上的银(Ag)所构成的三元合金、或于该三元合金中添加微量元素所构成的三元系合金，该接合线的剖面是由表皮膜与芯材构成，该银合金的表皮膜中存在具有高浓度银(Ag)的表面偏析层。

6.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN105679730A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510884600.3

申请日：2015-12-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 矢岛明 , 村中诚志

IPC: H01L23/485 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/08 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/023 , H01L2224/02317 , H01L2224/024 , H01L2224/033 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49431 , H01L2224/85345 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/20753 , H01L2224/45157 , H01L2924/00 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331

Abstract: 提供一种提高半导体器件的集成度的半导体器件及其制造方法。半导体器件(1A)包括：形成于半导体衬底(1P)上的多个Al布线层(5、7、9)；形成于多个Al布线层的最上层的焊盘电极(9a)；在焊盘电极上具有焊盘开口(10a)的基底绝缘膜(10)；再布线，其与焊盘电极电连接，并在基底绝缘膜上延伸。而且，半导体器件包括：保护膜(12)，其覆盖再布线(RM)的上表面，并具有使再布线的上表面的一部分露出的外部焊盘开口(12a)；外部焊盘电极(13)，其在外部焊盘开口处与再布线电连接，并在保护膜上延伸；以及与外部焊盘电极连接的导线(27)。并且，外部焊盘电极的一部分位于再布线的外侧区域。