Patent search cpc:"H01L2224/45669" Page 1

1.

发明公开
半导体器件用接合线及其制造方法无效

公开(公告)号：CN104781920A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380057629.3

申请日：2013-09-04

Applicant: MK电子株式会社

Inventor： 金相烨 , 文晶琸 , 洪性在 , 金承贤

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 , B23K35/0238 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K35/40 , B23K35/404 , B23K2101/40 , H01L24/43 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48664 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48864 , H01L2224/85045 , H01L2224/85203 , H01L2224/85439 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2224/48 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00015 , H01L2924/2076 , H01L2924/20752 , H01L2924/0104 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/01077 , H01L2924/0105 , H01L2924/01042 , H01L2924/20106 , H01L2924/00 , H01L2924/01049

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件用接合线及其制造方法，并且更具体地，涉及包括以下步骤的半导体器件用接合线的制造方法：在具有第一金属作为主要组分的芯材料上形成具有第二金属作为主要组分的第一涂层；对在其上形成了所述第一涂层的所述芯材料进行拉线；以及在已经完成了所述拉线的所述芯材料和所述第一涂层上形成具有第三金属作为主要组分的第二涂层。当使用本发明的接合线和其制造方法时，可以降低对芯片的损害，同时防止芯材料暴露，并且提高耐酸性和第二侧面的接合性。

2.

发明授权
合金线材及其制造方法失效

公开(公告)号：CN103184362B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210198918.2

申请日：2012-06-15

Applicant: 乐金股份有限公司

Inventor： 李俊德 , 蔡幸桦 , 庄东汉

IPC: C22C5/06 , C22F1/14 , H01L23/48

CPC classification number: B32B15/018 , C22C5/06 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/12041 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/0132 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/45669 , H01L2224/45647 , H01L2924/01204 , H01L2224/48 , H01L2924/00013 , H01L2224/4321 , H01L2924/01049 , H01L2924/01006 , H01L2924/01045 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005

Abstract: 本发明提供一种电子封装用合金线材，其材质是选自由银-金合金、银-钯合金、银-金-钯合金所组成的群组中的任意一种，以及在此合金基材表面上再镀有一层或多层由纯金、纯钯、金-钯合金薄膜所组成的群组中的任意一种，此合金线材为面心立方晶相的多晶结构并且具有复数个晶粒，此合金线材的线材中心部位具有长条形晶粒或等轴晶粒，并且另外的部位由等轴晶粒构成，并且具有退火孪晶的晶粒的数量，占此合金线材的所有晶粒数量的20%以上。

3.

发明公开
焊线无效

公开(公告)号：CN102884615A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180018860.2

申请日：2011-04-07

Applicant: 大自达电线株式会社

Inventor： 长谷川刚

IPC: H01L21/60 , C22C9/00

CPC classification number: H01L24/45 , B23K35/0227 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85207 , H01L2224/8583 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01204 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/01079 , H01L2924/01015 , H01L2924/01078 , H01L2924/01205 , H01L2924/01203 , H01L2924/00014 , H01L2224/45639 , H01L2224/45655 , H01L2924/01005 , H01L2924/01083 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/20755 , H01L2924/20105 , H01L2924/20104 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/01075 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明的焊线，即使在被覆层（2）上产生龟裂也极力抑制芯材（1）的抗氧化性变差。是用于通过球焊法将集成电路元件的电极（a）与电路配线基板的导体配线（c）进行连接的、线径（L）12μm~50.8μm的焊线（W）。向由99.99质量%以上的铜构成的芯材（1），为了提高抗氧化性添加Au或铂族中的至少1种以上，为了提高电阻添加P，在该芯材（1）的外周整面形成抗氧化性的Pt或Pd的厚度（t）0.02～0.09μm的被覆层（2）。该焊线因P的添加而电阻值变高，火花以低电流·短时间稳定地形成FAB。在芯材（1）中添加了Au或铂族，因此不与P生成化合物，保证抗氧化性提高效果。因此，即使在该被覆层上产生龟裂，也极力抑制由该龟裂导致的芯材的抗氧化性变差。

4.

发明授权
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN101828255B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200880112031.9

申请日：2008-12-03

Applicant: 新日铁高新材料株式会社 , 日铁新材料股份有限公司

Inventor： 宇野智裕 , 木村圭一 , 山田隆

IPC: H01L21/60 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C9/00

CPC classification number: C22C5/02 , B23K35/0222 , B23K35/302 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43825 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45673 , H01L2224/45676 , H01L2224/45683 , H01L2224/48011 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48486 , H01L2224/4851 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85186 , H01L2224/85203 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/3025 , H01L2924/01004 , H01L2924/01001 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/00015 , H01L2924/01202 , H01L2224/45655 , H01L2224/45657 , H01L2224/45671 , H01L2224/45666 , H01L2924/20652 , H01L2924/20653 , H01L2924/20654 , H01L2924/20655 , H01L2924/20656 , H01L2924/20658 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0104 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01006

Abstract: 本发明的目的是提供可以降低颈部的损伤，并且在环路的直线性、环路高度的稳定性、接合线的接合形状的稳定化方面优异的也适应于低环路化、细线化、窄间距化、三维组装等的半导体组装技术的高功能的接合线。本发明的半导体装置用接合线，是具有由导电性金属形成的芯材和在所述芯材上的以与芯材不同的面心立方晶的金属为主成分的表皮层的接合线，其特征在于，在所述表皮层的表面中的纵向的晶体取向之中，所占的比例为50％以上。

5.

发明公开
半导体封装中的导线接合方法及封装结构无效

公开(公告)号：CN101752278A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810207504.5

申请日：2008-12-19

Applicant: 日月光封装测试(上海)有限公司

Inventor： 许宏达

IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/31

CPC classification number: H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/4569 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85047 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明提供一种半导体封装中的导线接合方法及封装结构。此导线接合方法包括：提供焊针，其中所述焊针包含通孔；提供导线，其中所述导线是穿设于所述通孔中，且所述导线具有一尾部露于所述焊针外；弯折部分所述尾部，以形成接合部；以及接合所述接合部于接垫上。本发明的导线接合方法可应用于封装结构中，并可简化制程步骤，减少成本。

6.

发明公开
半导体装置用接合线和线接合方法有权转让

公开(公告)号：CN101689517A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023088.1

申请日：2008-07-24

Applicant: 新日铁高新材料株式会社 , 株式会社日铁微金属

Inventor： 宇野智裕 , 木村圭一 , 寺嶋晋一 , 山田隆 , 西林景仁

IPC: H01L21/60 , H01B5/02

CPC classification number: H01L24/85 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43825 , H01L2224/43847 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/456 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45655 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45671 , H01L2224/45673 , H01L2224/4568 , H01L2224/45684 , H01L2224/48011 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48864 , H01L2224/78251 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85048 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2224/859 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01105 , H01L2924/01204 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/15747 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/3025 , H01L2924/3861 , H01L2924/01001 , H01L2924/01203 , H01L2924/01034 , H01L2924/01081 , H01L2924/20645 , H01L2924/20652 , H01L2924/20653 , H01L2924/00014 , H01L2924/20108 , H01L2224/45657 , H01L2224/45666 , H01L2924/01008 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/2076 , H01L2924/2065 , H01L2924/20651 , H01L2924/20654 , H01L2924/00 , H01L2224/45124 , H01L2924/013 , H01L2924/20751 , H01L2924/2075 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049

Abstract: 本发明的目的是提供材料费廉价且球接合性、热循环试验或软熔试验的可靠性优异、保管寿命也良好的也适应于窄间距用细线化的铜系接合线。本发明的半导体装置用接合线是具有以铜为主成分的芯材、和设置在所述芯材上的含有成分和组成的某一方或两方与所述芯材不同的金属M和铜的外层的接合线，其特征在于，所述外层的厚度为0.021～0.12μm。

7.

发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN101160649A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200680012103.3

申请日：2006-04-14

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 广本秀树 , 藤井贞雅 , 山口恒守

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49517 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/4554 , H01L2224/45669 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48475 , H01L2224/4848 , H01L2224/48997 , H01L2224/4911 , H01L2224/49429 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/48455 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599

Abstract: 本发明目的在于提供一种能够可靠地防止在安装时等因热冲击或温度循环等而导致的引线接合到岛部的引线断线的情况，再有能够防止制造工序时间大幅增加的情况的半导体装置。本发明的半导体装置为，半导体芯片被芯片接合到岛部表面，第一引线的一端被引线接合到形成于半导体芯片的表面的电极而形成第一接合部，并且第一引线的另一端被引线接合到岛部而形成第二接合部，而且该半导体装置被树脂密封，其特征在于，在被引线接合到岛部上的第一引线的第二接合部上，设置有通过引线接合第二引线而所形成的双重接合部。