公开(公告)号：CN106457383B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580026546.7

申请日：2015-04-10

Applicant: 阿尔法装配解决方案公司

Inventor： S·戈沙尔 ,  N·K·查基 ,  P·S·罗伊 ,  S·萨卡尔 ,  A·拉斯托吉

IPC: B22F1/00 ,  B22F7/04 ,  B22F9/24

CPC classification number: H01L24/29 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F7/04 ,  B22F2007/047 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/45 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01B1/22 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L51/5246 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H05K3/321 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0493 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种烧结粉末，其包含：具有从100nm至50μm的平均最长尺寸的第一类型的金属颗粒。

公开(公告)号：CN106796898A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580053121.5

申请日：2015-09-21

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 罗纳德·艾西尔 ,  霍尔格·乌尔里奇

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L24/83 ,  B22F3/14 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/255 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29295 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7511 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83911 ,  H01L2224/83948 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

Abstract: 用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法，该方法包括以下步骤：将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上，并且通过低温加压烧结接合材料将该电子部件连接到该电路载体上，其中，为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化，该低温加压烧结在包含具有0.005％至0.3％的相对氧含量的低氧气氛的可气密封闭的烧结室(10)中进行。烧结操作可以在几乎无氧的气氛中进行，只要存在含有足够的氧并且在压力下释放其的含氧材料，如特氟隆分隔膜(68)，使得在处理气氛中的最小氧浓度可以通过施加压力和温度在烧结位置直接实现。在封闭该烧结室(10)并且建立该低氧气氛之后，在进行该烧结之前可以经过一段时间以允许该室(10)内的材料与该低氧气氛的平衡。如果该电子组件在该低温加压烧结之后被部分氧化，则该电子组件可以用还原剂喷射或蒸发涂覆。

公开(公告)号：CN106711131A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610730201.6

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高金福 ,  符策忠 ,  林俊成

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73201 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81012 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括具有第一连接表面的第一器件、至少部分地从第一连接表面突出的第一导电组件、具有面向第一连接表面的第二连接表面的第二器件和至少从第二连接表面暴露出的第二导电组件。第一导电组件和第二导电组件形成具有第一喙的接头。第一喙指向第一连接表面或第二连接表面。本发明的实施例还涉及半导体封装件的形成方法。

公开(公告)号：CN103250236B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201180056112.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 同和电子科技有限公司

Inventor： 栗田哲 ,  远藤圭一 ,  齐藤悠 ,  久枝穰 ,  上山俊彦

IPC: H01L21/60 ,  B22F1/00 ,  B23K20/00 ,  H05K3/32

CPC classification number: B23K31/02 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0096 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K20/00 ,  B23K35/025 ,  B23K2101/36 ,  B32B3/26 ,  B32B15/018 ,  G10L2019/0002 ,  G10L2019/0011 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/203 ,  Y10T428/12479 ,  H01L2224/832 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  B22F1/0018 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供在以氮气为代表的非活性气氛下可形成接合体、并且即使不进行高温的热处理操作也能够体现可经得住实用的接合强度的接合材料。本发明提供下述接合材料：其包含被碳原子数8以下的脂肪酸包覆的平均一次粒径为1nm以上且200nm以下的银纳米颗粒、平均粒径为0.5μm以上且10μm以下的银颗粒、具有2个以上羧基的有机物质和分散介质。

公开(公告)号：CN104246910A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380019429.9

申请日：2013-08-20

Applicant: 化研科技株式会社

Inventor： 堀薰夫 ,  古井裕彦 ,  藤田晶

IPC: H01B1/22 ,  H01B1/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/83 ,  B22F1/0051 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0074 ,  B22F9/24 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B23K31/12 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3613 ,  H01B1/22 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066

Abstract: 本发明提供一种导电性糊料以及使用其的芯片焊接方法，所述导电性糊料通过使用具有由XRD分析所规定的规定结晶变化特性的银粒子，从而能够容易地控制导电性糊料中的银粒子的烧结性，并且在烧结处理后能够稳定地得到优异的导电性以及导热性。一种含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1～30μm的银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料等，将银粒子烧结前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ＝38°±0.2°的峰的积分强度设为S1，将银粒子烧结处理后(250℃，60分钟)的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ＝38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时，使S2/S1的值为0.2～0.8范围内的值。

公开(公告)号：CN103563062A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280025481.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村太一 ,  北浦秀敏 ,  吉泽章央

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  B23K35/14 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L23/49866 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/264 ,  B32B15/01 ,  B32B15/016 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/00 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/83205

Abstract: 在以Bi为主要成分的焊接材料的接合结构体中，改善应力缓和性，防止接合部中产生裂纹或剥离。在经由以Bi为主要成分的接合材料（104）将半导体元件（102）与Cu电极（103）相接合而构成的接合结构体（106）中，经由杨氏模量从接合材料（104）向被接合材料（半导体元件（102）、Cu电极（103））倾斜增大的层叠体（209a），将半导体元件（102）与Cu电极（103）相接合，从而确保与使用功率半导体模块时的温度周期中所产生的热应力相对的应力缓和性。

公开(公告)号：CN103447713A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310125016.0

申请日：2013-04-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 北岛雅之 ,  山上高丰 ,  久保田崇 ,  石川邦子

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/363 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L21/64 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/03829 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0272 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2203/047 ,  Y02P70/611 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种导电键合材料、其制造方法以及电子装置的制造方法，该导电键合材料包括焊料成分，该焊料成分包括：具有至少一个孔隙的第一金属的金属发泡体，当金属发泡体在高于第一金属的熔点的温度下被加热时，孔隙吸收熔化的第一金属；以及第二金属，其熔点低于第一金属的熔点。

公开(公告)号：CN102812543A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201180014602.7

申请日：2011-03-18

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 西久保英郎 ,  增森俊二 ,  原田琢也 ,  石井智纮 ,  藤原英道

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/4924 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13316 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29317 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/2932 ,  H01L2224/29323 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29349 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81125 ,  H01L2224/81127 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83125 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H05K2203/0338 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供由热循环特性优异的金属多孔质体构成的导电性凸块、导电性芯片焊接部等导电连接部件。所述导电连接部件在半导体元件的电极端子或电路基板的电极端子的接合面形成，其特征在于，该导电连接部件是对包含平均一次粒径为10nm～500nm的金属微粒(P)和有机溶剂(S)或者由有机溶剂(S)与有机粘结剂(R)构成的有机分散介质(D)的导电性糊料进行加热处理而使金属微粒彼此结合所形成的金属多孔质体，该金属多孔质体的空隙率为5体积%～35体积%，构成该金属多孔质体的金属微粒的平均粒径为10nm～500nm的范围，且存在于该金属微粒间的平均空穴直径为1nm～200nm的范围。

公开(公告)号：CN101875158A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010171726.3

申请日：2010-04-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 保田雄亮 ,  守田俊章 ,  井出英一 ,  稻田祯一

IPC: B23K35/22

CPC classification number: B22F1/0074 ,  C22C1/05 ,  H01B1/22 ,  H01L21/565 ,  H01L23/049 ,  H01L23/10 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/34 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/498 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/2901 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29163 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29173 ,  H01L2224/29176 ,  H01L2224/29178 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29338 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29363 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29373 ,  H01L2224/29376 ,  H01L2224/29378 ,  H01L2224/29381 ,  H01L2224/29384 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29893 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/0501 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明提供导电性接合材料、采用它的接合方法、以及由其接合的半导体装置，与采用平均粒径100nm以下的金属粒子的接合用材料相比，提供在接合界面通过金属结合加以接合，在较低温、不加压下实现接合强度提高的接合用材料、接合方法。以(A)银粒子、(B)氧化银、(C)包含以碳原子数30以下构成的有机物的分散剂作为必须成分的全导电性接合材料中，(A)银粉与(B)氧化银粉与(C)包含以碳原子数30以下构成的有机物的分散剂的合计达到99.0～100重量％。即，不含作为粘接剂的树脂。

公开(公告)号：CN1978122A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610164237.9

申请日：2006-12-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶原良一 ,  伊藤和利

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  H01L23/488

CPC classification number: C22C13/02 ,  B23K35/02 ,  B23K35/025 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/01 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12708 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 提供一种使用了在大于等于280℃的耐热性、小于等于 400℃时的接合性、焊锡的供给性、润湿性、高温保持可靠性以及温度循环可靠性方面优良的高温无铅焊锡材料的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置由以Sn、Sb、Ag和Cu为主要构成元素、具有42wt％≤Sb/(Sn+Sb)≤48wt％、5wt％≤Ag＜20wt％、3wt％≤Cu＜ 10wt％且5wt％≤Ag+Cu≤25wt％的组成、剩下的部分由其它的不可避免的杂质元素构成的高温焊锡材料接合了半导体元件与金属电极构件。