Patent search cpc:"H01L2924/01027" Page 1

1.

发明授权
模块基板及焊接方法有权

公开(公告)号：CN106964917B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610934617.X

申请日：2012-06-30

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 山中芳恵 , 立花贤 , 吉川俊策 , 野村光

IPC: B23K35/26 , C22C13/00 , H05K3/34

CPC classification number: H01L24/13 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/0261 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01B1/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1301 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H05K3/3457 , H05K2203/041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种模块基板，其具备接合有焊料球的电极，所述焊料球具有如下组成：Ag1.6～2.9质量％、Cu0.7～0.8质量％、Ni0.05～0.08质量％、余量Sn，所述模块基板通过使具有该焊料球的电极侧朝下并使所述焊料球与设置于印刷基板的焊膏一起熔融从而搭载于该印刷基板。

2.

发明公开
多芯片封装有权转让

公开(公告)号：CN108133897A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201810095305.3

申请日：2010-01-05

Applicant: 伊姆贝拉电子有限公司

Inventor： 安蒂·伊霍拉 , 图奥马斯·瓦里斯

IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L25/00 , H05K1/02 , H05K3/00

CPC classification number: H05K1/028 , H01L21/568 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83005 , H01L2224/83192 , H01L2224/92144 , H01L2924/01002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H05K1/115 , H05K1/182 , H05K1/188 , H05K1/189 , H05K3/4691 , H05K2201/0187 , H05K2201/0355 , H05K2201/09127 , H05K2203/308 , H01L2924/0665 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及多芯片封装，其包括借助于至少一个柔性区(13)彼此连接的至少两个刚性区，至少一个柔性区(13)包括柔性膜和导体，所述导体在由柔性膜支撑的柔性区(13)上伸展，至少两个刚性区均包括绝缘体层以及在绝缘体层的第一表面上的导体的层，至少两个刚性区还均包括至少一个芯片(6)，所述芯片嵌入在绝缘体层中并且具有面向绝缘体层的第一表面上的导体的接触端，接触端中的至少一些经由接触元件电连接到导体，至少一个柔性区(13)被折叠以形成多层封装，至少两个刚性区的绝缘体层的第一表面上的导体的层通过至少一个柔性区(13)的导体彼此电连接。

3.

发明授权
Au系钎料模片接合半导体装置及其制造方法失效

公开(公告)号：CN104798185B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380059808.0

申请日：2013-11-13

Applicant: 日产自动车株式会社 , 三垦电气株式会社

Inventor： 谷本智 , 佐藤伸二 , 谷泽秀和 , 松井康平

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/4853 , H01L23/3735 , H01L23/4827 , H01L23/488 , H01L23/492 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32059 , H01L2224/3207 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83101 , H01L2224/8321 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83457 , H01L2224/83815 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/35121 , H01L2924/3651 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01015 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3)，且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23)，分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小哑铃截面构造体(4)。

4.

发明授权
三维IC方法和器件有权

公开(公告)号：CN104576519B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201410738151.7

申请日：2006-08-07

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： P·M·恩奎斯特 , 小盖厄斯·G·方丹 , 童勤义

IPC: H01L21/768 , H01L21/603 , H01L23/48 , H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/0401 , H01L2224/81121 , H01L2224/81201 , H01L2224/8123 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/81931 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01059 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2224/81

Abstract: 本发明提供一种三维地集成元件诸如被分切管芯或晶片的方法以及具有连接元件诸如被分切管芯或晶片的集成结构。管芯和晶片之一或全部可以具有形成于其中的半导体器件。具有第一接触结构的第一元件被键合到具有第二接触结构的第二元件。第一和第二接触结构可以在键合时被暴露并由于键合的结果被电互连。通孔可以在键合之后被蚀刻和填充以暴露和形成电互连以电互连第一和第二接触结构并提供从表面到该互连的电通路。替代地，第一和/或第二接触结构在键合时不被暴露，而通孔在键合后被蚀刻和填充以将第一和第二接触结构电连接，并对表面提供对互连了的第一和第二接触结构的电通路。并且，器件可以被形成于第一衬底中，该器件被放置于第一衬底的器件区中并具有第一接触结构。通孔可以在键合之前被蚀刻、或蚀刻并填充，其穿过器件区并进入到第一衬底中，并且第一衬底可以在键合之后被减薄以暴露出通孔或被填充的通孔。

5.

发明公开
芯球、焊膏、成形焊料、助焊剂涂布芯球以及焊料接头有权

公开(公告)号：CN106862794A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610917148.0

申请日：2015-02-04

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 川崎浩由 , 近藤茂喜 , 池田笃史 , 六本木贵弘 , 相马大辅 , 佐藤勇

IPC: B23K35/26 , B23K35/30 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01L23/00

CPC classification number: B23K35/025 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K35/302 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/01028 , H01L2924/00011

Abstract: 本发明涉及芯球、焊膏、成形焊料、助焊剂涂布芯球以及焊料接头。本发明提供抑制软错误的产生、设为在安装处理中不会成为问题的接合熔融温度的低α射线量的芯球、焊膏、成形焊料、助焊剂涂布芯球以及焊料接头。所述芯球作为核的金属粉为球体，作为金属粉使用Cu球时的纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量为1ppm以上，Cu球的球形度为0.95以上。覆盖于Cu球的焊料镀覆膜为Sn‑Bi系合金。焊料镀覆膜中所含的U为5ppb以下、Th为5ppb以下。芯球的α射线量为0.0200cph/cm2以下。