公开(公告)号：CN105140136B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510438605.3

申请日：2010-03-11

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 林茂雄 ,  李进源 ,  罗心荣 ,  杨秉荣 ,  刘德笙

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC classification number: G06F1/16 ,  G11C5/147 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/50 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6666 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4918 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/85 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/07025 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/0231

Abstract: 本申请涉及使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片。本发明揭示集成电路芯片和芯片封装，其包含所述集成电路芯片的顶部处的过钝化方案和所述集成电路芯片的底部处的底部方案，所述过钝化方案和底部方案使用顶部后钝化技术和底部结构技术。所述集成电路芯片可通过所述过钝化方案或所述底部方案连接到外部电路或结构，例如球栅格阵列(BGA)衬底、印刷电路板、半导体芯片、金属衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。还描述相关的制造技术。

公开(公告)号：CN102683301B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201210068095.1

申请日：2012-03-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.克里斯特曼 ,  P.琼斯

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/043 ,  H01L23/24 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明涉及包括底座的半导体器件。一种半导体装置包括半导体芯片和耦接到半导体芯片的底座。该底座包括上部分和下部分。上部分具有与下部分的侧壁相交的底表面。该半导体装置包括耦接到底座的冷却元件。冷却元件具有与底座的上部分的底表面直接接触的第一表面、与底座的下部分的侧壁直接接触的第二表面、以及与第一表面平行并且与底座的下部分的底表面对准的第三表面。

公开(公告)号：CN102403293B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201110324979.4

申请日：2011-09-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  K·霍赛尼 ,  F·卡尔曼 ,  G·迈尔-贝格 ,  R·奥特雷姆巴

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及管芯结构、管芯布置以及处理管芯的方法。管芯结构包括管芯和设置在管芯的前侧上的金属化层。金属化层包括铜。金属化层的至少一个部分具有粗糙表面轮廓。具有粗糙表面轮廓的部分包括引线接合结构待接合到的引线接合区域。

公开(公告)号：CN102484104B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201080029496.5

申请日：2010-06-29

Applicant: 库拉米克电子学有限公司

Inventor： J·舒尔茨-哈德 ,  A·迈耶

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L2224/32 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及电子器件，尤其是电子电路或电子模块，具有至少一个至少包括绝缘层和绝缘层一表面侧上至少一个第一金属敷设体的金属-绝缘层-基体，其第一金属敷设体结构化为构成金属敷设区域；第一金属敷设体的第一金属敷设区域上的至少一个产生损耗热量的电气或电子部件；第一金属敷设区域在与部件至少热连接的子区域上具有的层厚度大于第一金属敷设区域在第一子区域之外的层厚度。

公开(公告)号：CN102543870B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110408395.5

申请日：2011-12-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H.格鲁贝尔 ,  F.希尔勒 ,  A.莫德 ,  A.迈泽 ,  H.罗特莱特纳

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法。用于制造半导体组件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体；蚀刻从第一表面部分地进入到半导体本体的绝缘沟槽；在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层；通过研磨、抛光和CMP工艺其中至少一个处理第二表面以露出第一绝缘层；以及在处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN101431050B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN200810177319.6

申请日：2008-11-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 郑召法 ,  莱水兰 ,  施鹏克

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/544 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种制造多半导体器件的方法。将导电层施加到半导体晶片上。对半导体晶片进行结构化以制造多半导体芯片。对导电层进行结构化以制造多半导体器件。

公开(公告)号：CN102270609B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110153204.5

申请日：2011-06-01

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： P·帕瓦兰德

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/95 ,  H01L21/673 ,  H01L23/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2224/95143 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/82

Abstract: 本发明涉及用于三维金属互连技术的一般化的器件组装的使用。组装过程适当地将多个第一裸芯片定位和对准在承载衬底内。第一裸芯片被定位于在承载衬底中形成的凹陷内。然后将承载衬底与第二衬底对准，该第二衬底具有在其中制造的多个第二裸芯片。使用不同的技术制造第一裸芯片和第二裸芯片。将承载衬底与第二衬底对准也对准了第一裸芯片与第二裸芯片。可以将一个或者多个第一裸芯片与每个第二裸芯片对准。一旦经对准，进行晶片键合过程以将第一裸芯片键合到第二裸芯片。在一些情况中，移除承载衬底，留下键合到第二衬底的第二裸芯片的第一裸芯片。在其他情况中，将承载衬底留在适当位置作为帽。然后切割第二衬底以形成裸芯片堆叠。

公开(公告)号：CN105006457A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510382985.3

申请日：2011-07-15

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： P.加尼策 ,  R.策尔萨歇尔

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05214 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3223 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  Y02P80/30 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造具有金属化层的半导体器件的方法。在一个实施例中，提供具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及多个半导体组件的半导体衬底。半导体衬底具有器件厚度。至少一个金属化层在半导体衬底的第二表面上形成。金属化层具有比器件厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN102263068B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201110147071.0

申请日：2011-05-27

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 乌尔里希·扎格鲍姆 ,  约恩·格罗斯曼

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/492 ,  H01L21/603

CPC classification number: H05K3/32 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种带低温压力烧结连接的两个连接配对件系统及其制造方法，连接配对件借助低温压力烧结连接材料配合地连接，连接配对件具有与另外连接配对件相连、作为表面区段部分的接触面，接触面之间布置含贵金属的连接剂，至少一个连接配对件表面区段由非贵金属构成，其在与接触面相邻接区域内有金属氧化物层，接触面本身是金属的且不具有金属氧化物层并由此与连接剂直接接触。方法的步骤：准备具有非贵金属表面区段的第一连接配对件，表面区段有平面式金属氧化物层；还原剂涂覆到表面区段设置为第一连接配对件第一接触面的区域上。烧结膏层涂覆到还原剂上。第二连接配对件第二接触面布置在烧结膏层上。对系统加温和加压以构造材料配合的低温压力烧结连接。

公开(公告)号：CN102468295B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110333705.1

申请日：2011-10-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.施勒克 ,  T.施托尔策

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/34 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及具有插入物的半导体模块以及用于生产具有插入物的半导体模块的方法。一种功率半导体模块包括在顶面上具有密封环的模块壳体。所述密封环通过与模块壳体和附着到功率半导体模块的印刷电路板协作，封闭地密封模块壳体的顶面处的用于馈通功率半导体模块的电端子的馈通位置。在模块壳体的底面上，密封环封闭地密封模块壳体的底面。