Patent search cpc:"H01L24/03" Page 1

1.

发明授权
半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法有权

公开(公告)号：CN107134438B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710102855.9

申请日：2017-02-24

Applicant: 商升特公司

Inventor： S.金努萨米 , K.辛普森 , M.C.科斯特罗

IPC: H01L23/31 , H01L21/56

CPC classification number: H01L24/94 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/96 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/0331 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05561 , H01L2224/05562 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/03

Abstract: 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片，该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除，到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片，以分离半导体管芯。

2.

发明授权
半导体封装及其制作方法有权

公开(公告)号：CN106158818B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610221935.1

申请日：2016-04-11

Applicant: 联发科技股份有限公司

Inventor： 蔡宪聪

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L25/16 , H01L21/4832 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L23/4952 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/43 , H01L24/46 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02371 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/04042 , H01L2224/12105 , H01L2224/24146 , H01L2224/24195 , H01L2224/24225 , H01L2224/2512 , H01L2224/25174 , H01L2224/32145 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/82101 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/18165 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/19 , H01L2224/11 , H01L2224/82

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装及其制作方法。其中该半导体封装包含有半导体晶粒、多个I/O垫、模封材和多个打印的内连结构。其中该多个I/O垫分布在该半导体晶粒的主动面上。其中，该模封材覆盖该半导体晶粒的主动面，并且该模封材的下表面与该半导体晶粒的下表面齐平。其中，该多个内连结构嵌入于该模封材中，并电连接该多个I/O垫。其中各个该打印的内连结构包含导电接线以及导电接垫，其中该导电接线与该导电接垫是一体成型的。该半导体封装，利用打印技术(如3D打印)来形成内连结构，因此可以提高半导体封装的良品率。

3.

发明授权
具有自填充阳性特征的多芯片模块有权

公开(公告)号：CN105144359B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201480014639.3

申请日：2014-02-20

Applicant: 甲骨文国际公司

Inventor： H·D·塞科 , A·V·克里什纳莫西 , J·E·坎宁安 , 张朝齐

IPC: H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/29 , H01L23/31 , B23K3/06 , H01L21/02 , H01L25/065 , H01L21/56 , H01L21/683

CPC classification number: H01L24/14 , B23K3/0623 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L23/296 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/74 , H01L24/81 , H01L24/98 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/03452 , H01L2224/0361 , H01L2224/0362 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05686 , H01L2224/11005 , H01L2224/11013 , H01L2224/11015 , H01L2224/11334 , H01L2224/13099 , H01L2224/13561 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/13686 , H01L2224/17517 , H01L2224/742 , H01L2224/81002 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2224/05552

Abstract: 描述了多芯片模块(MCM)。这种MCM包括至少两个基板，其中基板通过基板的面对的表面上的阳性特征和阴性特征机械耦合并对准。这些阳性特征和阴性特征可以彼此配对并自锁定。阳性特征可以利用阴性特征中的亲水层自填充到至少一个基板上的阴性特征中。这种亲水层可以结合包围至少一个基板的顶表面上的阴性特征的疏水层来使用。

4.

发明公开
半导体器件、制作其的方法和加强其中的管芯的方法无效

公开(公告)号：CN108461474A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810105995.6

申请日：2018-02-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E.迈尔斯 , V.维瓦雷斯

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/304 , H01L21/31053 , H01L21/32115 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L2224/03002 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/06181 , H01L2224/1146 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13193 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/16104 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/40227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/84801 , H01L2224/94 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/03

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制作其的方法和加强其中的管芯的方法。一种半导体器件可包括：管芯，所述管芯包括第一主面、第二主面和侧面，所述侧面连接第一主面和第二主面；至少一个传导柱，所述至少一个传导柱布置在所述管芯的第一主面上并且电耦合到所述管芯；以及绝缘体，所述绝缘体布置在所述管芯的第一主面上，所述绝缘体包括上主面和侧面，其中所述至少一个传导柱被暴露在所述绝缘体的上主面上，并且其中所述管芯的侧面和所述绝缘体的侧面是共面的。

5.

发明授权
半导体结构及其制作方法有权

公开(公告)号：CN105448862B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410514075.1

申请日：2014-09-29

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 丁敬秀 , 何作鹏

IPC: H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/68 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03618 , H01L2224/05111 , H01L2224/05113 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/08145 , H01L2224/8013 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109

Abstract: 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。

6.

发明公开
半导体装置及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN108346700A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810067250.5

申请日：2018-01-23

Applicant: 丰田自动车株式会社 , 株式会社电装

Inventor： 久野敬史 , 津间博基 , 桑野聪 , 添野明高 , 金丸俊隆 , 桥本健太 , 柿本规行 , 米田秀司

IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28

CPC classification number: H01L29/41708 , H01L21/28518 , H01L21/28568 , H01L21/32133 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L29/0696 , H01L29/45 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有：半导体基板；覆盖所述半导体基板的表面的表面电极；覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜；以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有：配置在所述半导体基板上的第一金属膜；与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜；以及第三金属膜，其与所述第二金属膜的表面接触，具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。