公开(公告)号：CN105990207A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510098261.6

申请日：2015-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 志摩真也 ,  高桥健司

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B23K26/00 ,  B32B43/006 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明的实施方式提供一种半导体装置的制造方法及半导体制造装置，能以容易且廉价的顺序从第一衬底粘接于第二衬底而成的衬底剥离所述第一衬底。根据实施方式，所述制造方法具有以下步骤：在第一衬底的背面侧贴附贴片，所述第一衬底于表面的外周部具有粘接层的一部分，隔着所述粘接层及剥离层而设置有第二衬底，且形成有半导体元件，所述贴片涂布有粘接强度会因紫外线照射而降低的粘接剂；从所述贴片的背面对设置于所述第一衬底的外周部的所述粘接剂部分照射紫外线而使粘接强度降低；以及在粘接强度降低的所述粘接剂部分及所述剥离层部分，将贴附于所述贴片的状态下的所述第一衬底剥离而使其与所述第二衬底分离。

公开(公告)号：CN102386147A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110254765.4

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 右田达夫 ,  江泽弘和 ,  山下创一 ,  志摩真也

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05149 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、再布线和表面层。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。再布线在所述半导体基板上形成。表面层比所述再布线更宽。

公开(公告)号：CN104051353A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310349227.2

申请日：2013-08-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间庄一 ,  松浦永悟 ,  志摩真也 ,  向田秀子 ,  青木秀夫

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/3511

Abstract: 本发明提供即使在TCT中也不发生破裂的可靠性高的半导体装置。该半导体装置具有：半导体芯片（1）；第一树脂（2），其使半导体芯片（1）的表面露出地埋入半导体芯片（1）；第二树脂（3），其在位于与半导体芯片（1）的表面同一面上的第一树脂（2）的面上形成；布线层（4），其形成于第二树脂（3）上且与所述半导体芯片（1）电连接；外部连接端子（5），其形成于布线层（4）上；和金属板（6），其在第一树脂（2）的与埋入有半导体芯片（1）的面相对的相反侧的面形成，其中，所述第一树脂（2）的弹性率为0.5～5GPa。

公开(公告)号：CN102386147B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201110254765.4

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 右田达夫 ,  江泽弘和 ,  山下创一 ,  志摩真也

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05149 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、再布线和表面层。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。再布线在所述半导体基板上形成。表面层比所述再布线更宽。

公开(公告)号：CN106373893A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610236602.6

申请日：2016-04-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间庄一 ,  志摩真也 ,  高野勇佑 ,  渡部武志 ,  涩谷克则

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够使半导体装置的制造容易的半导体装置及其制造方法。根据实施方式的制造方法，于在一面侧隔着粘接剂而包含多个半导体元件、且在另一面包含与半导体元件电连接的外部输入输出端子的衬底的一面上，模铸包含氧化硅的密封树脂层。在以另一面成为下侧的方式将多个被切断的衬底收纳在托盘的状态下，对衬底的密封树脂层的表面进行溅镀蚀刻。溅镀蚀刻是使氧化硅的被密封树脂层覆盖的部分的一部分露出。在将衬底收纳在托盘的状态下溅镀金属层。

公开(公告)号：CN106067429A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610208276.8

申请日：2016-04-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中润 ,  志摩真也

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/6839 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/94 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明关于半导体装置的制造装置及制造方法。本实施方式的半导体装置的制造装置具有：平台，保持与具有第一面及与所述第一面相反侧的第二面的半导体晶片的所述第二面附着的带；真空机构，吸附在附着设置在所述第一面的衬底的上方；驱动部，将所述真空机构向远离所述衬底的方向驱动；以及冷却部，能够冷却所述带。另外，本实施方式的半导体装置的制造方法包括：对具有第一面及与所述第一面对向的第二面的半导体晶片，将衬底粘贴在所述第一面的步骤；贯通所述半导体晶片，在所述第二面形成具有凸部的接点的步骤；将带贴附在所述第二面的步骤；以及通过使所述带的弹性模数增加，并拉开所述半导体晶片与所述衬底的距离，而将所述衬底剥离的剥离步骤。

公开(公告)号：CN105990124A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510848886.X

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白河达彦 ,  高桥健司 ,  高野英治 ,  志摩真也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/263 ,  B32B43/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/304 ,  B32B43/006 ,  H01L21/263

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能提高支撑基板的材料选择自由度的半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置。本实施方式的半导体装置的制造方法是对具备半导体基板、支撑基板及接合层的积层体，从支撑基板侧照射具有0.11至0.14eV的能量的电磁波，所述支撑基板含有硅，所述接合层配置在半导体基板与支撑基板之间，且将半导体基板与支撑基板接合。而且，在半导体装置的制造方法中，将半导体基板从支撑基板分离。

公开(公告)号：CN104425432A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310726397.8

申请日：2013-12-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间庄一 ,  志摩真也

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的实施方式提供通过抑制裂纹的发生来提高可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：具有电极衬垫11的半导体芯片1；设置在半导体芯片1上，具有使电极衬垫11的至少一部分露出的开口部30的绝缘树脂层3；具有连接衬垫41，以与电极衬垫11电连接的方式设置在绝缘树脂层3上的布线层4；设置在绝缘树脂层3上及布线层4上，具有使连接衬垫41的一部分露出的开口部52和覆盖连接衬垫41的周缘的被覆部51的绝缘树脂层5；在开口部30与连接衬垫41电连接的外部连接端子6。被覆部51的宽度为连接衬垫41的直径的2.5%以上。