公开(公告)号：CN105097680B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201410297996.7

申请日：2014-05-16

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 毕建设 ,  白兰萍 ,  陈泉 ,  郭利萍 ,  徐艳博

IPC: H01L21/82 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/67126 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/81904 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明涉及用于集成电路器件的保护性封装。一种封装集成电路IC器件的方法，其中，将管芯机械地接合到相应的互连基板上，引线接合所述管芯，以及将管芯密封到保护性的壳内这些传统的制造步骤被单一的制造步骤代替，该步骤包括热处理适当的部件组件，从而既为最终的IC封装中的所述管芯形成合适的电连接，又使得一个或多个模塑复合物将所述管芯密封到保护性外壳内。

公开(公告)号：CN103579155B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201310327642.8

申请日：2013-07-31

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C.谢林 ,  D.博罗维斯基

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4814 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/48 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/08221 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/27825 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29564 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30051 ,  H01L2224/33517 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953

Abstract: 本发明涉及一种制造用于热压键合的键合垫（100）的方法（200），其中，所述方法（200）具有提供步骤（202）和沉积步骤（204）。在所述提供步骤（202）中提供一具有半导体结构的载体材料（102），其中，所述载体材料（102）的最外部的边缘层构造成一布线金属层（106），用于电接触所述半导体结构。在所述沉积步骤（204）中将一单层的键合金属层（104）直接在所述布线金属层（106）的表面上进行沉积，用以制造所述键合垫（100）。

公开(公告)号：CN107134414A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710107328.7

申请日：2017-02-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 曾我恭子 ,  浅井聪

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  C08G59/621 ,  C08G59/623 ,  C08G77/18 ,  C08G77/52 ,  C08L63/00 ,  C08L83/14 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L23/296 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13291 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13393 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81201 ,  C08L83/04 ,  H01L23/488 ,  H01L24/09 ,  H01L2224/091

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的基板彼此或基板与元件的粘接良好，且它们的电性连接也良好。所述制造方法具备以下步骤：准备设置有衬垫或在衬垫上更设置有插头的第一基板与设置有插头的第二基板或元件；在第一基板的衬垫或插头及第二基板或元件的插头的至少一个上形成焊球；利用感光性绝缘层覆盖第一基板的衬垫形成面及第二基板或元件的插头形成面的至少一个；利用光刻在被感光性绝缘层覆盖的基板或元件中的衬垫或插头上形成开口；通过开口将第二基板或元件的插头经由焊球压接接合至第一基板的衬垫或插头；根据烘烤将第一基板的衬垫或插头与第二基板或元件的插头电性连接；利用烘烤将感光性绝缘层固化。

公开(公告)号：CN104661786B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201280076109.2

申请日：2012-09-28

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格 ,  B.雷班

IPC: B23K20/02 ,  H01L23/488

CPC classification number: B32B37/16 ,  B23K20/02 ,  B23K20/023 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  B32B37/10 ,  B32B37/12 ,  B32B38/0036 ,  B32B2309/025 ,  B32B2309/12 ,  B32B2311/12 ,  C23C14/24 ,  C23C16/44 ,  C23C28/02 ,  C25D5/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/29664 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/29684 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 涂覆及接合衬底的方法。本发明涉及一种经由沉积第一材料而对第一衬底(1)涂覆第一扩散接合层(5)的方法，其在第一衬底(1)的第一表面(1o)上形成第一扩散接合层(5)，以使该第一扩散接合层(5)形成具有小于1μm的与该第一表面(1o)平行的平均粒直径H的粒表面。此外，本发明涉及一种采用以下步骤，尤其是以下流程将已如此涂覆的第一衬底(1)接合至具有第二扩散接合层(4)的第二衬底(3)的方法：‑使第一衬底(1)的第一扩散接合层(5)与第二衬底(3)的第二扩散接合层接触，‑将该衬底(1、3)压在一起而形成该第一及第二衬底(1、3)间的永久金属扩散接合。

公开(公告)号：CN103715103B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310293402.0

申请日：2013-07-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 洪涛

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/89 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/7511 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/7532 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81209 ,  H01L2224/83054 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83093 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造复合体和半导体模块的方法。提供具有容纳区域的保持框架以及工作缸。提供数量N≥1的压强室。每个压强室具有第一和第二壳体元件。每一个压强室装备有第一接合伙伴、第二接合伙伴、连接装置和密封装置，而且连接装置布置在第一接合伙伴和第二接合伙伴之间。在此至少连接装置布置在压强室的第一室区域中。每个压强室被放入到容纳区域中。在每个压强室中第一壳体元件按压第二壳体元件，其中放入到容纳区域中的压强室借助于工作缸被夹持在工作缸和保持框架之间。在被夹持的状态下，在压强室的第二室区域中产生高于第一气压的第二气压。由此在相应的压强室内第一接合伙伴、第二接合伙伴和位于它们之间的连接装置彼此按压。

公开(公告)号：CN103548129B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201180071145.5

申请日：2011-08-30

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： K.马丁希茨 ,  M.温普林格 ,  B.雷布汉 ,  K.欣格尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B23K20/021 ,  B23K20/023 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明涉及用于使第一固体衬底（1）与含有第一材料的第二固体衬底（2）粘合的方法，该方法通过下面的步骤，尤其是下面的顺序进行：‑在第二固体衬底（2）上形成或施加含有第二材料的功能层（5），‑使第一固体衬底（1）与第二固体衬底（2）在功能层（5）上接触，‑将固体衬底（1、2）一起压制用于在第一和第二固体衬底（1、2）之间形成永久粘合，该粘合通过第一材料与第二材料的固体扩散和/或相变至少部分地得到增强，其中在功能层（5）上产生体积增加。在粘合过程中，没有或仅仅稍微超出了第一材料对第二材料的溶解度极限，从而尽可能避免金属间相的沉积并与此相反地形成混合晶体。第一材料可以是铜，而第二材料可以是锡。

公开(公告)号：CN103426849B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310003803.8

申请日：2013-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  史达元 ,  董志航

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11466 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13618 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13673 ,  H01L2224/13676 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种三维(3D)芯片堆叠件，包括与第二芯片接合的第一芯片。第一芯片包括位于第一衬底上面的第一凸块结构，而第二芯片包括位于第二衬底上面的第二凸块结构。第一凸块结构与第二凸块结构连接，而接合区域在第一凸块结构和第二凸块结构之间形成。该接合区域是包括贵金属的无焊料区域。本发明提供三维芯片堆叠件的形成方法。

公开(公告)号：CN105916956A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580004584.2

申请日：2015-01-09

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 小田拓郎 ,  金森大典 ,  野中敏央

IPC: C09J179/08 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: C09J9/02 ,  C08G73/106 ,  C08G2170/00 ,  C09D163/00 ,  C09J7/20 ,  C09J163/00 ,  C09J179/08 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/00 ,  C09J2479/08 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H05K3/321 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  C08L1/00 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0498 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01006

Abstract: 本发明提供一种形成了裂缝的状态下的强度优异的粘接组合物，所述粘接组合物的特征在于，含有(A)聚酰亚胺、(B)多官能环氧化合物、(C)环氧固化剂及(D)无机粒子，上述(A)聚酰亚胺在不挥发性有机成分中的比例为3.0重量％以上、30重量％以下，上述(C)环氧固化剂在不挥发性有机成分中的比例为0.5重量％以上、10重量％以下，并且，将不挥发性有机成分的总克数记为T、将不挥发性有机成分中的环氧基的摩尔数记为M，T/M为400以上、8000以下。

公开(公告)号：CN102714921B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080059835.4

申请日：2010-12-22

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 上岛稔 ,  丰田实

IPC: H05K3/34 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/0135 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3421 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 本发明提供面安装部件的软钎焊方法以及面安装部件。即使在使用安装用软钎料将使用小片焊接用软钎料而形成的面安装部件软钎焊到印刷电路板上时，小片焊接用软钎料也不会发生熔化。作为芯片焊盘用软钎料（30），使用Cu的含有量为规定值以下的、以Sn为主要成分的（Sn—Sb）系高熔点软钎料，作为涂布在电路基板的基板端子部上的安装用软钎料（70），使用（Sn—Ag—Cu—Bi）系软钎料，使用上述安装用软钎料（70）来软钎焊使用上述芯片焊盘用软钎料（30）而形成的面安装部件。由于小片焊接用软钎料（30）的固相线温度是243℃，安装用软钎料（70）的液相线温度是215℃～220℃左右，因此小片焊接用软钎料（30）也不会因回流炉的加热温度（240℃以下）而熔化。

公开(公告)号：CN105374776A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510161903.2

申请日：2015-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 周建模 ,  文彰烈 ,  李成熙 ,  黄俊式

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本公开提供了半导体芯片、半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括基底基板和在基底基板上的半导体芯片，半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相反的第二层结构以及在第一层结构与第二层结构之间的接合结构，第一层结构和第二层结构的至少一个包括半导体器件部分，接合结构包括银-锡(Ag-Sn)化合物和镍-锡(Ni-Sn)化合物。