Patent search cpc:"H01L2224/031" Page 1

1.

发明授权
金属配线形成用的转印基板及使用所述转印用基板的金属配线的形成方法有权

公开(公告)号：CN103959448B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201280056612.1

申请日：2012-11-08

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小柏俊典 , 栗田昌昭 , 西森尚 , 兼平幸男

IPC: H01L21/60 , H01L23/12 , H05K1/09 , H05K3/20

CPC classification number: H01L21/4814 , B22F7/08 , B23K35/007 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/322 , B23K2035/008 , B23K2101/40 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C5/04 , C23C18/165 , C25D7/00 , H01L21/71 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/0312 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/05678 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/11505 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/12056 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种转印用基板，包括基板、形成在所述基板上的至少一个金属配线原料、形成在所述金属配线原料的表面上的至少1层的覆盖层、形成在所述基板与所述金属配线原料之间的基底金属膜，用于使所述金属配线原料向被转印物转印，其中，所述金属配线原料是将纯度99.9重量％以上、平均粒径0.01μm～1.0μm的金粉等的金属粉末烧结而成的成形体，所述覆盖层是金等的规定的金属或合金，由与所述金属配线原料不同的组成的金属或合金构成，且其总厚度为1μm以下，所述基底金属膜由金等的规定的金属或合金构成。本发明的转印用基板在通过转印法在被转印物形成金属配线时，能够降低被转印物侧的加热温度。

2.

发明公开
金属布线形成用转印基板及采用上述转印用基板的金属布线的形成方法有权

公开(公告)号：CN103262227A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180056766.6

申请日：2011-11-18

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小柏俊典 , 栗田昌昭 , 西森尚 , 兼平幸男

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4885 , B22F7/08 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/322 , B23K2101/40 , B81C1/00095 , B81C1/00373 , B81C2201/0188 , B81C2201/0194 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/0312 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/05678 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/11

Abstract: 本发明涉及转印用基板，该转印用基板由基板、形成于所述基板上的至少一种金属布线材料、和形成于所述基板与所述金属布线材料之间的衬底金属膜构成，用于将所述金属布线材料转印至被转印物，其中，所述金属布线材料为将纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.01μm～1.0μm的金粉等烧结而成的成形体，所述衬底金属膜由金等金属或合金形成。该转印用基板即使将被转印物的加热温度设为80～300℃也可以将金属布线材料转印至被转印物。

3.

发明公开
在半导体衬底上生成接触的方法无效

公开(公告)号：CN102422430A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080019685.4

申请日：2010-04-17

Applicant: 斯图加特大学

Inventor： 于尔根·科勒 , 托比亚斯·罗德 , 彼得·格拉比茨 , 于尔根·沃纳

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/05655 , H01L2224/13006 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0106 , H01L2924/01082 , Y02E10/50 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及一种在半导体衬底(10)上，特别是在太阳能电池上生成接触的方法，在所述方法中，利用LIFT方法(激光诱导前进转移法)在待接触表面生成金属种植结构(26)，随后对所述种植结构(26)进行强化。此外，透过位于待接触表面的覆盖层(12)在衬底表面生成所述种植结构。

4.

发明公开
芯片尺寸封装及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1241815A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99108864.6

申请日：1999-06-28

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 朴相昱 , 金芝连

IPC: H01L23/48 , H01L23/28 , H01L21/60 , H01L21/56

CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/24 , H01L23/3171 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L29/0657 , H01L2224/02235 , H01L2224/02255 , H01L2224/02317 , H01L2224/02319 , H01L2224/02321 , H01L2224/0233 , H01L2224/02335 , H01L2224/0235 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/031 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/4813 , H01L2224/48227 , H01L2224/48599 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/0106 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10157 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49147 , Y10T29/49149 , Y10T29/49155 , H01L2224/02 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599

Abstract: 一种芯片尺寸封装及其制造方法。在半导体芯片10的上面形成凹部11,在凹部11的底面中央及两侧形成焊盘20和绝缘盘30。各盘20、30由金属丝40连接,将密封剂50埋入凹部11内。此时,使金属丝40的中间部自密封剂50露出,在该露出的金属丝40的部分形成凸起60,将焊球70置于凸起60上。这样,由于密封剂50不从半导体芯片10突出,故半导体芯片10的厚度等于封装的厚度,可实现封装的轻薄化。

5.

发明公开
半导体装置和制造半导体装置的方法无效

公开(公告)号：CN106558566A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610825014.6

申请日：2016-09-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 利根川丘

IPC: H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/31 , H01L21/31056 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/44 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/4827 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L29/1095 , H01L29/417 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L2224/02126 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/031 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/03522 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05017 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48799 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2924/05042 , H01L2924/0509 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/1203 , H01L2924/1206 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/059 , H01L2924/0103 , H01L2924/00 , H01L24/02 , H01L2224/02125 , H01L2224/03013 , H01L2224/03019 , H01L2224/04

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置的特性得到改善。半导体装置被配置为具有设置在互连上方并且具有开口的保护膜和设置在开口中的镀敷膜。将狭缝设置在开口的侧面中，并且将镀敷膜还配置在狭缝中。由此，将镀敷膜设置在开口的侧面中，并且镀敷膜还生长在狭缝中。这导致了在随后的镀敷膜的形成期间的长的镀敷溶液渗透路径。因此，在互连(焊盘区)中不容易形成腐蚀部分，即使形成了腐蚀部分，狭缝的部分也作为牺牲物先于互连(焊盘区)被腐蚀，使得可以抑制腐蚀部分向互连(焊盘区)中的扩展。

6.

发明公开
一种高焊透率手工共晶焊接半导体裸芯片的方法有权

公开(公告)号：CN105977173A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610340837.X

申请日：2016-05-20

Applicant: 北京华航无线电测量研究所

Inventor： 王曦 , 狄隽 , 袁关东 , 查家宏

IPC: H01L21/60 , B23K1/00 , B23K1/20

CPC classification number: H01L24/03 , B23K1/00 , B23K1/20 , H01L24/09 , H01L24/80 , H01L2224/031

Abstract: 本发明涉及一种基于手工操作的高焊透率半导体裸芯片共晶焊接方法，该方法通过设置合理有效的手工共晶焊接工艺流程及设计使用通用型定位装卡工装，来大大提升半导体裸芯片手工共晶焊接的焊透率，并有效提高生产效率及工艺适用性。本发明尤其适合小批量、多品种研制类产品的应用实现，能够在确保焊接高质量的同时有效的较低生产成本，提高生产效率。

7.

发明公开
元件装配用基板及其制造方法、半导体模块及其制造方法无效

公开(公告)号：CN101853841A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910246345.4

申请日：2009-11-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳瀬康行 , 斋藤浩一

IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H01L21/48 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/02319 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/0235 , H01L2224/02379 , H01L2224/031 , H01L2224/03436 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

Abstract: 一种元件装配用基板，具备：绝缘树脂层、在绝缘树脂层的一个主表面设置的配线层、与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极。突起电极具有大致凸状的顶部面，且至少顶部面的周边区域是曲面形状。

8.

发明公开
一种晶圆键合结构的制造方法有权转让

公开(公告)号：CN106449449A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611082139.0

申请日：2016-11-30

Applicant: 南通沃特光电科技有限公司

Inventor： 王汉清

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/26 , H01L2224/031 , H01L2224/04026

Abstract: 本发明提供了一种晶圆键合结构的制造方法，包括：（1）提供待键合的上晶圆和下晶圆；（2）在所述上晶圆和下晶圆的边缘分别形成一台阶形状；（3）形成分别贯穿所述上晶圆和下晶圆的台阶形状与其下表面的通孔；（4）在上晶圆和下晶圆以及所述通孔中设置键合金属，并进行高温键合形成金属通孔以及晶圆间键合金属；（5）用刚性金属材料覆盖所述台阶和上晶圆侧面、下晶圆侧面、键合金属侧面形成金属层，所述金属层截面呈C字形。