公开(公告)号：CN104465533B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410478610.2

申请日：2014-09-18

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 张荣伟

IPC: H01L23/13

CPC classification number: H01L24/70 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2224/27

Abstract: 本发明涉及一种自粘合裸片。一种用于有效地增强半导体封装的热性能的方法和设备。本发明的概念是在集成电路裸片(603)的背侧上提供硅纳米线以将所述裸片直接附着到衬底(606)，借此改进裸片与衬底之间的界面，且因此增强热性能并通过改进粘附性而增强可靠性。

公开(公告)号：CN109390237A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810903525.4

申请日：2018-08-09

Applicant: 商升特公司

Inventor： H.D.巴坦

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49565 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/49534 ,  H01L23/49582

Abstract: 通过对导电材料的片材进行化学半蚀刻来形成引线框架。半蚀刻暴露该引线框架的第一接触件的第一侧表面。在该第一接触件的该第一侧表面上镀覆焊料可润湿层。在镀覆焊料可润湿层之后，在该引线框架上沉积包封剂。

公开(公告)号：CN108140630A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061534.2

申请日：2016-12-30

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： A·M·卡斯特罗 ,  史蒂文·库默尔

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/4952 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在所描述实例中，一种集成电路IC芯片(50)可包含具有导电耦合到引线框(56)的互连件的裸片(58)，其中所述引线框(56)形成所述IC芯片(50)的给定表面的部分。所述IC芯片(50)还可包含模制在所述裸片(58)及所述引线框(56)上的囊封材料(57)。所述囊封材料(57)可形成所述IC芯片(50)的另一表面。所述IC芯片(50)的所述另一表面与所述IC芯片的所述给定表面相对。所述IC芯片(50)可进一步包含沿基本上垂直于所述IC芯片(50)的所述给定表面的方向延伸穿过所述囊封材料(57)的垂直导线(54)，且所述垂直导线(54)突出穿过所述IC芯片(50)的所述另一表面以形成用于所述IC芯片(50)的垂直连接器(52)。所述垂直连接器(52)可耦合到所述裸片(58)上的所述互连件。

公开(公告)号：CN107731779A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710671430.X

申请日：2017-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板东晃司 ,  武藤晃

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/053 ,  H01L23/057 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/18 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40101 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M7/003 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121

Abstract: 本发明提供一种电子装置，目的在于提高半导体装置的性能。搭载于基板(WB)上的半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的表面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的表面侧的封固体的主面露出的发射极端子(ET)。另外，半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的背面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的背面侧的封固体的主面露出的集电极端子(CT)。另外，半导体装置(PAC1)的集电极端子(CT)经由形成于基板(WB)的上表面(WBt)的导体图案(MP1)与半导体装置(PAC2)的发射极端子ET电连接。

公开(公告)号：CN104779212B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201510010758.8

申请日：2015-01-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.赫格劳尔 ,  R.奥特伦巴 ,  K.希斯 ,  X.施勒格尔 ,  J.施雷德尔

IPC: H01L23/10

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

Abstract: 半导体封装布置。一种半导体封装布置包括：包括包含源电极和栅电极的第一面的晶体管器件、具有第一表面的管芯垫和具有第一表面的引线。第一导电元件布置在源电极和管芯垫的第一表面之间并且将源电极与管芯垫的第一表面隔开了大于栅电极和引线的第一表面之间的距离的距离。

公开(公告)号：CN104835746B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510071017.0

申请日：2015-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.海因里希 ,  P.帕尔姆 ,  T.西姆贝克 ,  H.托维斯滕

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83931 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023

Abstract: 具有被结合到金属箔的半导体管芯的半导体模块。一种制造半导体模块的方法包括提供包括被附着于金属层的金属箔的金属复合材料衬底，该金属箔比金属层更薄且包括与之不同的材料，在将金属箔结构化之前将多个半导体管芯的第一表面附着于金属箔，并将被附着于金属箔的半导体管芯装入电绝缘材料中。在用电绝缘材料包住半导体管芯之后将金属层和金属箔结构化，使得电绝缘材料的表面区没有金属箔和金属层。沿着没有金属箔和金属层的表面区划分电绝缘材料以形成单个模块。

公开(公告)号：CN103855122B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201310757085.3

申请日：2013-12-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·奥特伦巴

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L21/50 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/854 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755

Abstract: 本发明涉及包括压缩应力的封装垂直功率器件及其制造方法。公开了一种包括压缩应力的封装的垂直半导体器件及制作这种封装的垂直半导体器件的方法。在一个实施例中，组装的器件包括：载体；设置在该载体上的连接层，该连接层具有第一高度；以及设置在该连接层上的芯片，该芯片具有第二高度，其中该第二高度小于该第一高度。

公开(公告)号：CN107346764A

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201710312714.X

申请日：2017-05-05

Applicant: 爱特梅尔公司

Inventor： 肯·M·兰姆

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/81 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明揭示一种双面电子封装及用于制造双面电子封装的方法的实施例。在实施例中，一种电子封装包括：衬底，其具有第一表面及第二表面；引线框，其具有附接到所述衬底的所述第一表面的封装垫特征件；第一集成电路裸片，其附接到所述引线框且电耦合到所述封装垫特征件中的至少一者；及模制件，其在所述衬底的所述第一表面上安置于所述封装垫特征件之间，使得所述封装垫特征件从所述衬底的所述第一表面垂直延伸到所述电子封装的表面，所述封装垫特征件形成暴露于所述电子封装的所述表面上的导电路径。

公开(公告)号：CN107275230A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710101790.6

申请日：2017-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 八甫谷明彦

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/05693 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27438 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 实施方式的半导体封装件具备基体、半导体芯片、小片接合粘接层和分子接合层。所述小片接合粘接层设在所述基体与所述半导体芯片之间。所述分子接合层设在所述基体及所述半导体芯片中的至少一方与所述小片接合粘接层之间。所述分子接合层的至少一部分与含在所述小片接合粘接层中的树脂化学键合。所述分子接合层的至少一部分与含在所述基体中的第1原料及含在所述半导体芯片中的第2原料中的至少一方化学键合。

公开(公告)号：CN104517954B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201410516443.6

申请日：2014-09-30

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： 张翠薇 ,  J.赫格劳尔 ,  R.奥特伦巴

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/02104 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/33 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49105 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及在两个衬底之间具有半导体芯片的晶体管布置。一种电子器件包括第一衬底、第二衬底、第一半导体芯片以及第二半导体芯片，该第一半导体芯片包括晶体管、包括接合到第一衬底的第一安装表面和包括接合到第二衬底的第二安装表面，该第二半导体芯片包括接合到第一衬底的第一安装表面和包括接合到第二衬底的第二安装表面，其中该第一半导体芯片包括通孔，该通孔将第一半导体芯片的第一安装表面处的第一晶体管端子与第一半导体芯片的第二安装表面处的第二晶体管端子电耦合。