公开(公告)号：CN103035601B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201210299693.X

申请日：2012-08-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N.厄施勒 ,  R.施佩克尔斯 ,  K.特鲁诺夫

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/04 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明涉及在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件。半导体器件包括衬底以及衬底上的第一烧结银层。所述半导体器件包括第一半导体芯片以及把第一半导体芯片耦合到第一烧结银层的第一扩散焊接层。

公开(公告)号：CN103325699B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201310103147.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 蒲池胜仁 ,  冲田孝典

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明公开了一种可提高构成功率晶体管的半导体器件的制造成品率的方法。即在使用冲模(spanking die)SDM1来形成第1引线的顶端部LE1c、第2引线的顶端部LE2c及第3引线的顶端部LE3c时，通过下金属模SD1的冲压面上设置的突起部的上表面和上金属模SU1的冲压面上设置的槽部的底面对第1引线的顶端部LE1c、第2引线的顶端部LE2c及第3引线的顶端部LE3c进行冲压，并通过下金属模SD1的平坦的冲压面和上金属模SU1的平坦的冲压面将第2引线的弯曲部及第3引线的弯曲部进行冲压。

公开(公告)号：CN103403864B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280010020.6

申请日：2012-02-23

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： D·R·爱德华兹 ,  S·P·格鲁姆 ,  M·穆尔图扎 ,  M·D·罗米格 ,  K·哈亚塔

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种塑料封装体（100），在其中半导体芯片（101）通过粘合剂（102）附连到具有凝聚结构的金属条带（110a），并且电气连接到具有粒子结构的可键合且可焊接的金属条带（120）；金属条带（120）接触凝聚结构的金属条带（110b），以形成垂直堆叠。焊料涂层（140）被焊接到凝聚金属条带（110a和110b）。

公开(公告)号：CN102867804B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201210236310.4

申请日：2012-07-06

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 拉尔夫·奥特伦巴

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/34 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/35831 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48671 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2224/92166 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005

Abstract: 本发明公开了一种包括具有突出体的接触片的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：具有晶片焊垫和第一引线的引线框、具有第一电极的半导体芯片、以及具有第一接触区和第二接触区的接触片。半导体芯片置于晶片焊垫之上。第一接触区置于第一引线之上，以及第二接触区置于半导体芯片的第一电极之上。多个突出体从各第一接触区和第二接触区延伸，并且每个突出体具有至少5μm的高度。

公开(公告)号：CN102420217B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201110348417.3

申请日：2011-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张翠嶶 ,  李德森

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85095 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85469 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599

Abstract: 多芯片半导体封装体及其组装。描述了半导体封装体以及其制造方法。在一个实施例中，该半导体封装体包括具有第一和第二管芯附着垫的基板。第一管芯设置在第一管芯附着垫之上。第二管芯设置在第二管芯附着垫之上。第三管芯设置在第一管芯和第二管芯之间。第三管芯具有第一、第二和第三部分，以使第一部分设置在第一管芯的一部分之上，第二部分设置在第二管芯的一部分之上，并且第三部分设置在第一管芯和第二管芯之间的区域之上。

公开(公告)号：CN102422404B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080019191.6

申请日：2010-07-16

Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

Inventor： 寺岛晋一 ,  宇野智裕 ,  山田隆 ,  小田大造

IPC: H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06

CPC classification number: C22C5/04 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85564 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

Abstract: 本发明提供即使对于镀钯的引线框也能够确保良好的楔接合性、耐氧化性优异的以铜或铜合金为芯线的半导体用接合线。该半导体用接合线的特征在于，具有由铜或铜合金构成的芯线、在该芯线的表面的具有10～200nm的厚度的含有钯的被覆层和在该被覆层的表面的具有1～80nm的厚度的含有贵金属和钯的合金层，所述贵金属为银或金，所述合金层中的所述贵金属的浓度为10体积％～75体积％。

公开(公告)号：CN104821282A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510051520.X

申请日：2015-01-30

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 元胁成久 ,  宝藏寺裕之 ,  守田俊章 ,  绀野哲丰

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明提供功率半导体组件，其能够对晶体管元件的高发热部分进行高效冷却，布线接合部的连接可靠性优秀，其特征在于包括：散热板(1)；通过接合材料与散热板(1)连接的在绝缘基板(2)的正面形成有布线的电路基板；晶体管元件(5)，具有形成在一方的面的主电极(6)和控制电极(7)、和形成在另一方的面的背面电极，背面电极通过接合材料与电路基板连接；通过接合材料与主电极(6)接合的第一导电部件(10)；和使第一导电部件(10)和控制电极(7)与其他元件或电路基板电连接的导线或带状的连接端子(11、12)，控制电极(7)配置在主电极(6)的角部，第一导电部件(10)是将控制电极(7)之上的部分切掉的形状。

公开(公告)号：CN102903694A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210263016.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 约瑟夫·赫格劳尔 ,  拉尔夫·奥特伦巴 ,  克萨韦尔·施勒格尔 ,  于尔根·施雷德尔

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48671 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01005

Abstract: 本发明涉及在一个面上具有两层金属层的功率半导体芯片。该半导体芯片包括具有多个有源晶体管元件的功率晶体管电路。第一负载电极和控制电极布置在半导体芯片的第一面上，其中，第一负载电极包括第一金属层。第二负载电极布置在半导体芯片的第二面上。第二金属层布置在第一金属层上方，其中第二金属层与功率晶体管电路电绝缘，第二金属层布置在功率晶体管电路的包括多个有源晶体管元件中的至少一个的区域的上方。

公开(公告)号：CN102484080A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080023252.6

申请日：2010-06-17

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 芳我基治 ,  吉田真悟 ,  糟谷泰正 ,  永原斗一 ,  木村明宽 ,  藤井贤治

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/005 ,  B23K20/10 ,  B23K20/24 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48451 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78303 ,  H01L2224/78307 ,  H01L2224/78309 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明是提供一种半导体装置。该半导体装置包括：半导体芯片；电极焊盘，其由含铝的金属材料构成，且形成在所述半导体芯片的表面；电极引脚，其配置在所述半导体芯片的周围；焊线，其具有线状延伸的主体部、和形成在所述主体部的两端且与所述电极焊盘以及所述电极引脚分别接合的焊盘接合部以及引脚接合部；和树脂封装，其对所述半导体芯片、所述电极引脚以及所述焊线进行密封，所述焊线由铜构成，所述电极焊盘整体以及所述焊盘接合部整体被非透水膜呈一体地覆盖。

公开(公告)号：CN101752335B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200910254194.7

申请日：2009-12-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冲田真大

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L31/02008 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29288 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置，具有形成有能够与外部电连接的外部电极的基材和形成有由导电膏构成的表面电极的半导体元件，在基材上安装有半导体元件，其中，基材的外部电极和半导体元件的表面电极通过引线接合由金丝电连接在一起。由此，提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，在包括具有能够与外部电连接的外部电极的基材和具有由导电膏构成的表面电极的半导体元件的结构中，能够确保接合可靠性的同时，使表面电极和外部电极的连接方法或连接工序简化。