公开(公告)号：CN104380460B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201380030921.6

申请日：2013-07-05

Applicant: 先端光子公司

Inventor： 宋学良 ,  佐藤望 ,  管野元太 ,  牧野瑶子

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L25/03 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/561 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16108 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1714 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48496 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/85395 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85466 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本发明提供一种能容易与主基板上的IC连接的、具备半导体元件(104)的基台(100)。本发明的一个实施方式的基台(100)包括基板(101)、电极(102)、(103)、半导体元件(104)、Au引线(105)和金凸起(106)、(107)。电极(102)、(103)、半导体元件(104)、Au引线(105)和金凸起(106)、(107)由树脂(108)在基板(101)上密封。在电极(103)上并且在Au引线(105)上利用球焊形成金凸起(107)后，对其利用划片加以切断而露出侧面。露出了的面作为基台(100)的侧面电极发挥作用。

公开(公告)号：CN104205315B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201380015827.3

申请日：2013-03-12

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 伊藤慎吾

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本发明提供一种耐湿性和高温保存特性优异的半导体装置。半导体装置具有包括芯片焊盘部和内引线部的引线框作为基板，该半导体装置还具有：搭载于芯片焊盘部的半导体元件；设置于半导体元件的电极焊盘；将设置于基板的内引线部和电极焊盘连接的铜线；和封装半导体元件和铜线的封装树脂。在深度方向上距离与铜线的接合面至少3μm以下的范围内的电极焊盘的区域，含有离子化倾向比铝小的金属作为主要成分，铜线中的硫含量相对于铜线整体为15ppm以上100ppm以下。

公开(公告)号：CN103579129B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310302969.X

申请日：2013-07-18

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 白濑丈明 ,  桥本启

IPC: H01L23/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32056 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83138 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83473 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3641 ,  H01L2924/3656 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体元件安装构件以及半导体装置，半导体元件安装构件包括供半导体元件安装的金属的元件安装部，所述元件安装部包括在俯视下一部分形成切口的金属区域，所述金属区域的切口包含第一区域与第二区域，该第二区域与所述第一区域连续且位于比所述第一区域靠外侧的位置，该第二区域比所述第一区域的宽度宽，所述第一区域的至少一部分位于半导体元件的安装侧主表面的正下方。

公开(公告)号：CN103314651B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201180062276.7

申请日：2011-12-16

Applicant: 安美特德国有限公司

Inventor： M·厄茨柯克 ,  G·拉莫斯 ,  A·基利安

IPC: H05K3/24 ,  H01L23/498

CPC classification number: H05K13/04 ,  H01B1/02 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05464 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/09 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/095 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001

Abstract: 本发明涉及将铜线键合到基板尤其是印刷电路板和IC基板上的方法，所述基板具有包括铜键合部分和钯或钯合金层的层组合件，还涉及具有键合到上述层组合件上的铜线的基板。

公开(公告)号：CN103594387B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310356763.5

申请日：2013-08-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 约翰·加特鲍尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 公开了焊盘侧壁间隔和制造接触焊盘侧壁间隔的方法。实施方式包括：在衬底上形成多个接触焊盘，每个接触焊盘具有侧壁；在衬底上形成第一光致抗蚀剂；并且将第一光致抗蚀剂从衬底上去除，从而沿多个接触焊盘的侧壁形成侧壁间隔。

公开(公告)号：CN105793964A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480027415.6

申请日：2014-11-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 前川和义 ,  河野祐一

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/02185 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/035 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05566 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/01008

Abstract: 半导体器件具有形成于多层布线层的最上层的焊盘电极(9a)、在焊盘电极(9a)上有开口(11a)的基底绝缘膜(11)、形成在基底绝缘膜(11)上的基底金属膜(UM)、形成在基底金属膜(UM)上的再布线(RM)、和形成为覆盖再布线(RM)的上表面以及侧面的覆盖金属膜(CM)。而且，在再布线(RM)的外侧区域，在形成在再布线(RM)的侧壁上的覆盖金属膜(CM)与基底绝缘膜(11)之间形成有材料不同于再布线(RM)的基底金属膜(UM)和材料不同于再布线(RM)的覆盖金属膜(CM)，在再布线(RM)的外侧区域基底金属膜(UM)与覆盖金属膜(CM)直接接触。

公开(公告)号：CN105206586A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510617413.9

申请日：2011-09-28

Applicant: 大日本印刷株式会社

Inventor： 增田正亲 ,  富田幸治 ,  冈本任史 ,  田中康则 ,  大泽宽 ,  宫野和幸 ,  仓桥笃史 ,  铃木博道

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49548 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/834 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法，半导体器件具备：引线框架，其包括裸片焊盘以及配置于裸片焊盘周围的多个引线部；半导体元件，其载置于引线框架的裸片焊盘上；以及接合线，其对引线框架的引线部与半导体元件进行电连接。引线框架、半导体元件以及接合线被密封树脂部密封。密封树脂部具有设置于半导体元件和半导体元件周围的中央区域以及位于中央区域周缘的周缘区域。中央区域的厚度大于周缘区域的厚度。各引线部分别具有从密封树脂部的背面向外侧露出的外部端子。俯视观察下，多个引线部的外部端子配置于至少一个圆周上。外部端子是宽度随着接近所述圆周的中心而变窄的形状。

公开(公告)号：CN104781920A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380057629.3

申请日：2013-09-04

Applicant: MK电子株式会社

Inventor： 金相烨 ,  文晶琸 ,  洪性在 ,  金承贤

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  B23K35/40 ,  B23K35/404 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/43 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件用接合线及其制造方法，并且更具体地，涉及包括以下步骤的半导体器件用接合线的制造方法：在具有第一金属作为主要组分的芯材料上形成具有第二金属作为主要组分的第一涂层；对在其上形成了所述第一涂层的所述芯材料进行拉线；以及在已经完成了所述拉线的所述芯材料和所述第一涂层上形成具有第三金属作为主要组分的第二涂层。当使用本发明的接合线和其制造方法时，可以降低对芯片的损害，同时防止芯材料暴露，并且提高耐酸性和第二侧面的接合性。

公开(公告)号：CN104410373A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410509826.0

申请日：2013-06-13

Applicant: 西凯渥资讯处理科技公司

Inventor： 霍华德·E·陈 ,  亦凡·郭 ,  庭福·吴·黄 ,  迈赫兰·贾纳尼 ,  田·敏·古 ,  菲利浦·约翰·勒托拉 ,  安东尼·詹姆斯·洛比安可 ,  哈迪克·布潘达·莫迪 ,  黄·梦·阮 ,  马修·托马斯·奥扎拉斯 ,  山德拉·刘易斯·培帝威克 ,  马修·肖恩·里德 ,  詹斯·阿尔布雷希特·理吉 ,  大卫·史蒂芬·雷普利 ,  宏晓·邵 ,  宏·沈 ,  卫明·孙 ,  祥志·孙 ,  帕特里克·劳伦斯·韦尔奇 ,  小彼得·J·札帕帝 ,  章国豪

IPC: H03F3/19 ,  H03F3/24

CPC classification number: H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块，其包含：功率放大器，其包含GaAs双极晶体管，所述GaAs双极晶体管具有集极、邻接所述集极的基极及射极，所述集极在与所述基极的结处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度，所述集极还具有其中掺杂浓度远离所述基极增加的至少第一分级；及RF发射线，其由所述功率放大器驱动，所述RF发射线包含导电层及所述导电层上的表面处理镀层，所述表面处理镀层包含金层、接近所述金层的钯层及接近所述钯层的扩散势垒层，所述扩散势垒层包含镍且具有小于约镍在0.9GHz下的集肤深度的厚度。本发明还提供所述模块的其它实施例连同其相关方法及组件。

公开(公告)号：CN103650131A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033910.9

申请日：2012-09-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩濑铁平 ,  油井隆

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49534 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033

Abstract: 半导体装置具有：第1半导体芯片(1)；其侧面的扩展部(2)以及其上的连接端子(4)；在半导体芯片(1)及扩展部(2)上包括与连接端子(4)接合的布线(51)和其上的绝缘层(54)的再布线部(50)；在扩展部(2)上位于再布线部(50)的表面的绝缘层(54)的开口部(541)与布线(51)接合的电极(16)。电极(16)主要由弹性模量高于布线(51)的材料构成，具有在开口部(541)与布线(51)接合的接合区域(r1)以及靠近扩展部(2)的端部的外方区域(r2)。布线(51)连续延伸到外方区域(r2)的跟前为止。