公开(公告)号：CN106133894B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201480077514.5

申请日：2014-04-04

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 藤原正和 ,  佐竹由宇 ,  似内勇哉

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L21/52 ,  H01L24/26 ,  H01L24/83 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29391 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041

Abstract: 本发明提供一种高热传导性、散热性优异、可以将半导体元件及发光元件通过无加压的方式与基板良好地接合的半导体粘接用热固化性树脂组合物及发光装置用热固化性树脂组合物。一种热固化性树脂组合物、将该树脂组合物作为芯片粘接膏使用的半导体装置及作为散热部件粘接用材料使用的电气电子部件，所述热固化性树脂组合物含有：(A)厚度或短径为1～200nm的银微粒、(B)除所述(A)成分以外的平均粒径大于0.2μm且30μm以下的银粉、(C)树脂粒子以及(D)热固化性树脂，将(A)成分的银微粒和(B)成分的银粉的总量设为100质量份时，(C)成分配合成0.01～1质量份、(D)成分配合成1～20质量份。

公开(公告)号：CN108417499A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201611134822.4

申请日：2016-12-11

Applicant: 优博创新科技有限公司

Inventor： 张小平 ,  单智慧

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L21/50 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/315 ,  H01L23/3672

Abstract: 本申请提供了一种空腔封装结构及其制造方法。根据本申请的一个实施例，所述制造方法包括将一个金属散热片通过一个中间结构连接在一个引线框架上，所述中间结构导热且电绝缘；模塑一个塑料体以包围散热片及引线框架裸露的引线，且有选择地和部分地暴露金属引线上表面、散热片上表面、以及散热片下表面；通过一种导热材料将一个半导体芯片与空腔内散热片暴露的上表面相连；将半导体芯片的焊盘和与之对应的引线上表面进行引线接合从而使其接地；以及在塑料体上安装一个盖子，以保护空腔内引线接合后的半导体芯片。

公开(公告)号：CN104169389B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201380014782.8

申请日：2013-04-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 工藤直 ,  松田和也 ,  藤绳贡

IPC: C09J201/00 ,  C09J4/00 ,  C09J7/30 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  H01L21/60 ,  H01R11/01

CPC classification number: C09J4/00 ,  C08K3/22 ,  C08K5/54 ,  C08K2201/001 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J2201/602 ,  C09J2205/102 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15788 ,  H01R4/04 ,  H01R12/52 ,  H05K3/323 ,  H05K3/361 ,  H05K2201/0129 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电路连接材料，其为用于将相对向的两个电路构件电连接的电路连接材料，其含有热塑性树脂、自由基聚合性化合物、自由基聚合引发剂和无机微粒，以电路连接材料的总量为基准，自由基聚合性化合物的含量为大于或等于40质量％，自由基聚合性化合物中分子量小于或等于1000的化合物的含量为小于或等于15质量％，无机微粒的含量为5～30质量％，并且所述电路连接材料至少含有下述式(1)所表示的化合物。

公开(公告)号：CN103367170B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201310109309.X

申请日：2013-03-29

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 库尔特-格奥尔格·贝森德费尔 ,  海科·布拉姆尔 ,  娜蒂娅·埃德纳 ,  克里斯蒂安·约布尔

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及衬底和用于制造至少一个功率半导体器件的衬底的方法。衬底带有第一和第二金属化层（2a、2b），该方法具有方法步骤：a）制备不导电的绝缘材料本体（1）；b）将第二金属化层施加到绝缘材料本体（1）的与绝缘材料本体（1）的第一侧（15a）对置的第二侧（15b）上；c）将不导电的漆层（3）施加到第二金属化层上，漆层（3）具有凹部（13）；d）在第二金属化层上将突起（6、6’）电沉积在漆层（3）具有凹部（13）的部位上。此外，本发明还涉及一种衬底（7、7’、7’’）。本发明实现了对布置在衬底上的功率半导体器件（10a、10b）的可靠的冷却。

公开(公告)号：CN104134651B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201410182740.1

申请日：2014-04-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宮本浩靖

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/04 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84132 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16196 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0203 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1053 ,  H05K2201/1056 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811

Abstract: 本发明涉及半导体装置。矩形的控制芯片的长边和矩形的存储器芯片的长边被布置为平行于BGA中的布线衬底的上表面的第一边。盖子包括一对第一边檐和一对第二边檐，第二边檐的宽度被形成为比第一边檐更宽，并且在安装在布线衬底的上表面上的控制芯片的短边的外侧以及安装在布线衬底的上表面上的存储器芯片的短边的外侧确保用于安装片状部件的安装区域和用于接合盖子的接合基底区，这使得能够在接合基底区上布置盖子的较宽的宽度的第二边檐。因此，能够减小BGA的安装面积。

公开(公告)号：CN104584212B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201380045244.5

申请日：2013-06-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C-P·秋

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32135 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/1515 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/171 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了包括封装衬底中的管芯的堆叠管芯封装。本文中所描述的一些实施例包括装置和形成这种装置的方法。在一个这种实施例中，装置可以包括衬底、第一管芯和耦合到所述第一管芯和所述衬底的第二管芯。所述衬底可以包括开口。所述管芯的至少一部分可以占据所述衬底中的所述开口的至少一部分。描述了包括附加装置和方法的其它实施例。

公开(公告)号：CN105017980B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201510072094.8

申请日：2015-02-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金智软 ,  姜炅求 ,  朴憬修 ,  朴永祐 ,  孙秉勤 ,  申炅勳 ,  申颍株 ,  郑光珍 ,  韩在善 ,  黄慈英

IPC: C09J7/10 ,  C09J163/00 ,  C09J9/02 ,  H01L23/488

CPC classification number: C09J7/00 ,  C08K2201/001 ,  C08L63/00 ,  C09D163/00 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J163/00 ,  C09J2201/602 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2463/00 ,  H01L23/488 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0665 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0353 ,  H05K1/09 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01006

Abstract: 本发明提供一种各向异性导电膜的组成物、各向异性导电膜以及通过所述各向异性导电膜连接的半导体装置。通过差示扫描热量测定法来测量，所述组成物包含放热峰值温度为80℃至110℃的第一环氧树脂和放热峰值温度为120℃至200℃的第二环氧树脂。因此，各向异性导电膜允许在低温下快速固化并且展现充足的储存稳定性，同时保证结合后的优良连接性质。

公开(公告)号：CN104576314B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410524598.4

申请日：2014-10-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·R·耶杜拉 ,  K·H·加瑟 ,  S·韦勒特 ,  K·迈尔 ,  F·J·桑托斯罗德里奎兹

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27005 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29021 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07802

Abstract: 本发明提供用于处理晶片的方法和晶片结构。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：从晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：提供托架和晶片，所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面，其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架，所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分；以及，将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。

公开(公告)号：CN104733329B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410068916.0

申请日：2014-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何冠霖 ,  陈衿良 ,  林韦廷 ,  刘育志 ,  林士砚

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/373 ,  H01L25/00 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/04 ,  H01L23/16 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/40 ,  H01L23/4012 ,  H01L23/42 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83493 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92122 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1616 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1631 ,  H01L2924/16315 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2224/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于封装半导体器件的方法和结构。在实施例中，将第一衬底接合至第二衬底，将第二衬底接合至第三衬底。在应用底部填充材料之前将热界面材料放置在第二衬底上。可以将环形件放置在热界面材料上，以及在第二衬底和第三衬底之间分配底部填充材料。通过在放置底部填充材料之前放置热界面材料和环形件，使得底部填充材料不能干扰热界面材料和第二衬底之间的界面，并且热界面材料和环形件可以用作底部填充材料的物理屏障，从而防止溢流。本发明还包括半导体封装结构和工艺。

公开(公告)号：CN104241145B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201410255214.3

申请日：2014-06-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·施密特

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/68 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01L24/33 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/12 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H05K3/007 ,  H05K3/0097 ,  H05K3/3431 ,  H05K2203/0139 ,  H05K2203/0195 ,  H05K2203/085 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体模块的方法。为此提供附着载体(3)和多个电路载体(2)。该附着载体(3)具有附着的顶面(32)、以及与该附着的顶面(32)相对的底面(33)。每个电路载体(2)包括陶瓷载体(20)和被应用在陶瓷载体上的上导电层(21)、以及电路载体底面(25)。通过将该多个电路载体(2)放到该附着的顶面(32)上该电路载体(2)的电路载体底面(25)接触该附着的顶面(32)并且粘附在其上，从而形成准成果，其中该多个电路载体(2)能够在维持该准成果的情况下被处理并且之后被从该附着的顶面(32)取下。