Patent search cpc:"H01L2224/83191" Page 1

1.

发明授权
低压力烧结粉末有权

公开(公告)号：CN106457383B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580026546.7

申请日：2015-04-10

Applicant: 阿尔法装配解决方案公司

Inventor： S·戈沙尔 , N·K·查基 , P·S·罗伊 , S·萨卡尔 , A·拉斯托吉

IPC: B22F1/00 , B22F7/04 , B22F9/24

CPC classification number: H01L24/29 , B22F1/0003 , B22F1/0014 , B22F1/0074 , B22F1/025 , B22F7/04 , B22F2007/047 , B22F2301/255 , B22F2302/45 , B23K1/0016 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3601 , B23K35/3613 , B23K35/3618 , B23K35/365 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01B1/22 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L51/5246 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/11003 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/131 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/13355 , H01L2224/13387 , H01L2224/1339 , H01L2224/13439 , H01L2224/1349 , H01L2224/13499 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27332 , H01L2224/27436 , H01L2224/27505 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32146 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/81075 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/8184 , H01L2224/81948 , H01L2224/83075 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8321 , H01L2224/83439 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/83948 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/206 , H01L2924/2064 , H05K3/321 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/0493 , H01L2924/01004 , H01L2224/27 , H01L2924/01074 , H01L2224/81 , H01L2224/11436 , H01L2224/11 , H01L2224/45099 , H01L2924/00

Abstract: 一种烧结粉末，其包含：具有从100nm至50μm的平均最长尺寸的第一类型的金属颗粒。

2.

发明公开
切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法有权

公开(公告)号：CN109216211A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810726671.4

申请日：2018-07-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 靍泽俊浩 , 小坂尚史 , 三木香 , 木村雄大 , 高本尚英 , 大西谦司 , 杉村敏正 , 赤泽光治

IPC: H01L21/52 , H01L21/60 , C09J7/24 , C09J7/29

CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L24/27 , C09J7/245 , C09J7/29 , C09J2201/122 , C09J2423/046 , C09J2423/106 , C09J2427/006 , C09J2433/00 , H01L21/52

Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。

3.

发明公开
各向异性导电粘接剂、粘接剂组合物的应用以及连接体无效

公开(公告)号：CN108676520A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810615121.5

申请日：2011-09-06

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 工藤直 , 松田和也 , 藤绳贡

IPC: C09J9/02 , C09J4/06 , H01L23/00 , H05K3/32 , H05K3/36

CPC classification number: C09J4/06 , C09J9/02 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/2939 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/15788 , H05K3/323 , H05K3/361 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 一种各向异性导电粘接剂，粘接剂组合物的应用以及连接体。所述各向异性导电粘接剂设置在具有电路电极且对向配置的一对电路构件之间，用于将所述一对电路构件彼此粘接，各向异性导电粘接剂包含粘接剂组合物，所述粘接剂组合物含有(a)热塑性树脂、(b)自由基聚合性化合物、(c)自由基聚合引发剂和(e)导电性粒子，所述热塑性树脂包含选自聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、苯氧树脂、聚(甲基)丙烯酸酯树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂和聚乙烯醇缩丁醛树脂中的1种或2种以上的树脂，所述自由基聚合性化合物包含具有环氧基的化合物，所述自由基聚合引发剂包含过氧化物。

4.

发明授权
半导体封装件及其制法有权

公开(公告)号：CN104183555B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201310213682.X

申请日：2013-05-31

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 邱志贤 , 蔡宗贤 , 杨超雅 , 陈嘉扬 , 郑志铭 , 朱育德

IPC: H01L23/13 , H01L21/58

CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/3121 , H01L23/4334 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/04042 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8592 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件，包括：线路板、设于该线路板上的承载件、设于该承载件上的射频芯片、电性连接该电极垫与该线路板的多个高位焊线、以及包覆该承载件、高位焊线与射频芯片的绝缘层。通过架高该射频芯片，以利于在该线路板上置放组件及高频布线，而达到高度整合无线系统级封装模块的目的。

5.

发明授权
印刷电路板有权

公开(公告)号：CN104756615B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201380056949.7

申请日：2013-05-09

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 郑元席 , 李圭洹 , 安允镐 , 李又英

IPC: H05K3/46 , H05K1/18

CPC classification number: H05K1/186 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/3135 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/2402 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/82039 , H01L2224/83005 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H05K1/0298 , H05K1/0366 , H05K1/115 , H05K1/185 , H05K3/305 , H05K3/4602 , H05K2201/0195 , H05K2201/10015 , H05K2201/10022 , H05K2201/1003 , H05K2201/10984 , Y02P70/613 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/82

Abstract: 提供了一种印刷电路板，其包括：绝缘层；嵌入绝缘层中的电子装置；以及用于固定电子装置的粘合层。

6.

发明授权
半导体器件及半导体器件的制造方法有权

公开(公告)号：CN105321908B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201510468297.9

申请日：2015-08-03

Applicant: 株式会社索思未来

Inventor： 浦乡和幸 , 清水敦和

IPC: H01L23/48 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/053 , H01L21/52 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/83191 , H01L2224/92125 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1631 , H01L2924/16315 , H01L2924/1659 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：衬底；半导体元件，设置在所述衬底上；多个电极，彼此分开地设置在所述衬底上并且在平面图中布置为围绕所述半导体元件；盖，覆盖所述半导体元件，所述盖包括内部和周边部，所述周边部在平面图中比所述内部更靠外，所述盖包括多个第一突出构件，所述多个第一突出构件彼此分开地设置，所述多个第一构件设置在所述内部中；以及多个导电构件，设置在所述多个电极和设置在分别与所述多个电极相对的位置处的多个突出构件之间，所述导电构件结合至所述多个电极和多个突出构件。采用本公开的技术方案，能够防止发生导电构件的分离和破裂。