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公开(公告)号：CN101410965A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011329.6
申请日：2007-04-04
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/03019 , H01L2224/039 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05083 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/1146 , H01L2224/13022 , H01L2224/13116 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/01074 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01039 , H01L2224/05552
Abstract: 一种用于最后段制程(FBEOL)半导体器件形成的方法，包括：在半导体晶片(106)的上层中形成终端铜衬垫(104)，在所述终端铜衬垫之上形成绝缘叠层(114)，以及在所述绝缘叠层的一部分内构图并开口终端过孔(116)以留下保护所述终端铜衬垫的所述绝缘叠层的底部覆层(118)。在所述绝缘叠层的顶部之上形成并构图有机钝化层(126)，并去除在所述终端铜衬垫之上的所述底部覆层(118)。在所述有机钝化层和终端铜衬垫之上淀积球限制冶金(BLM)叠层(128)，以及在所述BLM叠层的构图的部分上形成焊料球连接(108)。
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公开(公告)号：CN101410965B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200780011329.6
申请日：2007-04-04
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/03019 , H01L2224/039 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05083 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/1146 , H01L2224/13022 , H01L2224/13116 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/01074 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01039 , H01L2224/05552
Abstract: 一种用于最后段制程(FBEOL)半导体器件形成的方法，包括：在半导体晶片(106)的上层中形成终端铜衬垫(104)，在所述终端铜衬垫之上形成绝缘叠层(114)，以及在所述绝缘叠层的一部分内构图并开口终端过孔(116)以留下保护所述终端铜衬垫的所述绝缘叠层的底部覆层(118)。在所述绝缘叠层的顶部之上形成并构图有机钝化层(126)，并去除在所述终端铜衬垫之上的所述底部覆层(118)。在所述有机钝化层和终端铜衬垫之上淀积球限制冶金(BLM)叠层(128)，以及在所述BLM叠层的构图的部分上形成焊料球连接(108)。
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公开(公告)号：CN100555616C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710182106.8
申请日：2007-06-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/12 , H01L2224/02126 , H01L2224/02255 , H01L2224/03019 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05027 , H01L2224/05082 , H01L2224/0555 , H01L2224/05552 , H01L2224/05556 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/10126 , H01L2224/1147 , H01L2224/11902 , H01L2224/13007 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种电子元件、使用其的半导体器件以及制造电子元件的方法。该电子元件具有钝化层、形成于该垫电极和钝化层之上的下金属层、以及形成于下金属层上的隔离金属层用于外部连接电极，在钝化层中形成有暴露部分垫电极的开口，该电子元件还包括配置在开口外部或/和内部的隔离金属层下面的凹槽或/和突起，该下金属层形成在凹槽或/和突起上且具有与凹槽或/和突起相应的表面形状。
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公开(公告)号：CN108206140A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201611177412.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/06 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/03019
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在器件晶圆上形成第一钝化层、再分布线以及第一再分布焊盘和第二再分布焊盘；形成覆盖再分布线、第一再分布焊盘和第二再分布焊盘的第二钝化层和光刻胶层；对光刻胶层进行图形化，以形成用于暴露所述第一再分布焊盘的第一开口，和用于暴露所述第二再分布焊盘的第二开口；以光刻胶层为掩膜刻蚀第二钝化层，以暴露第一再分布焊盘表面，以及暴露第二再分布焊盘的表面和部分第二再分布焊盘侧壁，同时在第二再分布焊盘底部形成间隙壁。该半导体器件的制作方法可以克服目前的再分布焊盘制作工艺复杂，容易出现穿通的问题。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。
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公开(公告)号：CN104769711B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201380057472.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/43 , B81B2207/093 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/768 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L29/84 , H01L2224/02166 , H01L2224/03019 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/10126 , H01L2224/11019 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/1183 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13138 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13163 , H01L2224/13565 , H01L2224/13687 , H01L2224/13688 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/01034 , H01L2924/0109 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 一种导电互连(340、440、540、640)包括导电支承层(330、430、530、630)，在该导电支承层(330、430、530、630)上的导电材料(320、520、620)，以及部分地包围该导电材料(320、520、620)的无机套环(350、450、550、650)。无机套环(350、450、550、650)也被布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。一种制造导电互连(340、440、540、640)的方法包括在籽晶层(304、504)上制造导电材料(320、520、620)，形成有机套环(310、510)以部分地包围该导电材料(320、520、620)，蚀刻导电籽晶层(304、504)以形成导电支承层(330、430、530、630)，以及进行加热以将有机套环(310、510)转变为无机套环(350、450、550、650)，该无机套环(350、450、550、650)部分地包围导电材料(320、520、620)并布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。有机套环(310、510)可通过在导电材料(320、520、620)上沉积光敏旋涂电介质材料并图案化该光敏旋涂电介质材料来形成。导电材料(620)可以是单个导电材料(320)或者可包括由势垒层分隔的第一导电层(332)和第二导电层(324)的堆叠，在这种情况下加热步骤还导致导电材料堆叠中的第二导电层(324)的回流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107591375A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710547295.8
申请日：2017-07-06
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/02 , G06K9/00013 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L2224/02333 , H01L2224/0235 , H01L2224/0236 , H01L2224/0237 , H01L2224/02371 , H01L2224/02373 , H01L2224/02381 , H01L2224/03019 , H01L2224/04105 , H01L2224/08221 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/73259 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2924/10155 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/0231 , H01L2224/11 , H01L2224/19
Abstract: 一种晶片封装体及其制作方法，该晶片封装体包含晶片、第一绝缘层、重布线层与钝化层。晶片具有感应器、至少一焊垫、相对的顶面与底面、及邻接顶面与底面的侧壁。感应器位于顶面。焊垫位于顶面的边缘。第一绝缘层位于晶片的底面与侧壁上。重布线层位于第一绝缘层上，且重布线层电性接触焊垫的侧面。重布线层至少部分凸出于焊垫而裸露。钝化层位于第一绝缘层与重布线层上，使未凸出焊垫的重布线层位于钝化层与第一绝缘层之间，而凸出焊垫的重布线层位于钝化层上。晶片封装体的感应器因无间隔件覆盖，可提升晶片封装体的感测能力。
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公开(公告)号：CN104681449A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410720997.8
申请日：2014-12-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/4832 , H01L21/4842 , H01L21/561 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/02215 , H01L2224/03019 , H01L2224/03464 , H01L2224/09183 , H01L2224/095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/84439 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01103 , H01L2924/0133 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/37 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/37099 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及带有光学检查特征的无引线半导体封装。半导体封装包含：多个键合焊盘，具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；涂层，覆盖键合焊盘的第一侧；半导体管芯和电导体，附连到键合焊盘的第二侧；以及模制化合物，在键合焊盘的第二侧处封闭半导体管芯和电导体。模制化合物具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，键合焊盘凸出穿过第一侧，模制化合物的第一侧在键合焊盘中的邻近的键合焊盘之间具有平面的表面。封装进一步包含电镀在未被模制化合物覆盖的键合焊盘的暴露侧壁上并且通过光学检查可检测的材料。对应的制造的方法也被提供。
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公开(公告)号：CN104183506A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410165326.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L24/02 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/0218 , H01L2224/0219 , H01L2224/03005 , H01L2224/03009 , H01L2224/03015 , H01L2224/03019 , H01L2224/034 , H01L2224/03622 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05 , H01L2224/05565 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/32145 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/73265 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/365 , H01L2924/3651 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L24/11
Abstract: 封装半导体器件是通过在集成电路器件12的外部表面上形成导电焊盘14，在所述导电焊盘上形成钝化层24、56、106，移除在所述导电焊盘上的接合区上的一部分所述钝化层，在围绕所述接合区的大部分外围的周围形成牺牲阳极28、54、112，在所述接合区内形成导电接合34、62、116以及在所述导电接合和所述牺牲阳极的暴露部分的周围形成密封材料38、64、118。
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公开(公告)号：CN106558566A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610825014.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 利根川丘
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/31 , H01L21/31056 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/44 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/4827 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L29/1095 , H01L29/417 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L2224/02126 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/031 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/03522 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05017 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48799 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2924/05042 , H01L2924/0509 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/1203 , H01L2924/1206 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/059 , H01L2924/0103 , H01L2924/00 , H01L24/02 , H01L2224/02125 , H01L2224/03013 , H01L2224/03019 , H01L2224/04
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置的特性得到改善。半导体装置被配置为具有设置在互连上方并且具有开口的保护膜和设置在开口中的镀敷膜。将狭缝设置在开口的侧面中，并且将镀敷膜还配置在狭缝中。由此，将镀敷膜设置在开口的侧面中，并且镀敷膜还生长在狭缝中。这导致了在随后的镀敷膜的形成期间的长的镀敷溶液渗透路径。因此，在互连(焊盘区)中不容易形成腐蚀部分，即使形成了腐蚀部分，狭缝的部分也作为牺牲物先于互连(焊盘区)被腐蚀，使得可以抑制腐蚀部分向互连(焊盘区)中的扩展。
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公开(公告)号：CN102339757B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110198369.4
申请日：2011-07-15
Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/329 , H01L23/00 , H01L29/861
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/7802 , H01L29/8611 , H01L2224/02122 , H01L2224/03015 , H01L2224/03019 , H01L2224/0332 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03848 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05166 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/32225 , H01L2224/3223 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/4823 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10331 , H01L2924/10335 , H01L2924/10338 , H01L2924/10351 , H01L2924/10373 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及用于制造具有玻璃衬底的半导体器件的方法。公开一种用于制造半导体器件的方法。提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶片。提供第一玻璃衬底，所述第一玻璃衬底在结合表面处具有空腔和开口中的至少一个。第一玻璃衬底被结合到半导体晶片的第一表面，使得金属焊盘被布置在第一玻璃衬底的相应空腔或开口内。半导体晶片的第二表面被机械加工。在半导体晶片的被机械加工的第二表面上形成至少一个金属化区域。
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