公开(公告)号：CN105990292A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510849120.3

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 右田达夫 ,  小木曾浩二

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第1半导体基板、第2半导体基板、第1金属层、第2金属层、第3金属层、第1合金层、以及第2合金层。第1半导体基板与第2半导体基板相互对向。第1金属层设置在第1半导体基板的第2半导体基板侧。第2金属层设置在第2半导体基板的第1半导体基板侧。第3金属层配置在第1金属层与第2金属层之间。第1合金层配置在第1金属层与第3金属层之间，且包含第1金属层的成分与第3金属层的成分。第2合金层配置在第2金属层与第3金属层之间，且包含第2金属层的成分与第3金属层的成分。第1及第2金属层的至少一方为中央部相比其周缘部而向远离第3金属层的方向凹陷。

公开(公告)号：CN101989557B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010243543.8

申请日：2010-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山下创一 ,  右田达夫 ,  饭岛匡 ,  宫田雅弘 ,  内田雅之 ,  栂嵜隆 ,  江泽弘和

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。根据本发明，在具有作为第1导电层的电极端子的基板上使感光性树脂膜改性，形成具有到达电极端子的第1开口和第2开口的绝缘层。接着，在包含第1开口内的绝缘层上形成与电极端子电连接的第2导电层，在第2导电层上形成第3导电层，该第3导电层与第1导电层的氧化还原电位之差小于第1导电层与第2导电层的氧化还原电位之差。接着，使感光性树脂膜改性，形成具有到达第3导电层的第3开口、和经由第2开口到达电极端子的第4开口的绝缘层，并形成与第3导电层电连接的凸块。

公开(公告)号：CN104425295A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410016445.9

申请日：2014-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白野贵士 ,  东和幸 ,  渡边慎也 ,  右田达夫

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2224/0352 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/81

Abstract: 提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法，能够降低TSV与集成电路的接触电阻。本发明的一个实施方式的半导体器件具备集成电路和导电性构件。集成电路设置在半导体基板的一方的面侧。导电性构件在厚度方向上贯通半导体基板而与集成电路连接，被埋入于与集成电路接触的接触部的与半导体基板的厚度方向垂直的方向的尺寸比贯通半导体基板的贯通部的与半导体基板的厚度方向垂直的方向的尺寸大的通孔。

公开(公告)号：CN101989557A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201010243543.8

申请日：2010-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山下创一 ,  右田达夫 ,  饭岛匡 ,  宫田雅弘 ,  内田雅之 ,  栂嵜隆 ,  江泽弘和

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。根据本发明，在具有作为第1导电层的电极端子的基板上使感光性树脂膜改性，形成具有到达电极端子的第1开口和第2开口的绝缘层。接着，在包含第1开口内的绝缘层上形成与电极端子电连接的第2导电层，在第2导电层上形成第3导电层，该第3导电层与第1导电层的氧化还原电位之差小于第1导电层与第2导电层的氧化还原电位之差。接着，使感光性树脂膜改性，形成具有到达第3导电层的第3开口、和经由第2开口到达电极端子的第4开口的绝缘层，并形成与第3导电层电连接的凸块。

公开(公告)号：CN106206505A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510854664.9

申请日：2015-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小木曾浩二 ,  村上和博 ,  右田达夫

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/113 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够谋求厚度方向上的小型化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备第1基板、铝垫、第1镍电极、第2基板、第2镍电极以及连接层。第1基板的内部具有配线。铝垫设置在第1基板的表层内，并与配线连接。第1镍电极是一部分埋设在第1基板中并与铝垫连接，并且顶面从第1基板的表面突出。第2基板积层于第1基板。第2镍电极是一部分埋设在第2基板中，并且顶面从第2基板的第1基板侧的表面突出。连接层由含锡的合金形成，将第1镍电极及第2镍电极之间连接。

公开(公告)号：CN102386147B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201110254765.4

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 右田达夫 ,  江泽弘和 ,  山下创一 ,  志摩真也

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05149 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、再布线和表面层。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。再布线在所述半导体基板上形成。表面层比所述再布线更宽。

公开(公告)号：CN102412220A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110276313.6

申请日：2011-09-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 右田达夫 ,  江泽弘和 ,  山下创一

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明的半导体装置具备多个焊料凸起，其在半导体基板上以小于等于40μm的节距并列的多个电极衬垫上经由凸起下金属分别与相应的电极衬垫电连接。上述焊料凸起的距离上述半导体基板最远的部分的直径和该焊料凸起的底边的直径的比值是1∶1～1∶4。

公开(公告)号：CN102386160A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110256133.1

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 右田达夫 ,  江泽弘和 ,  山下创一 ,  永岭公朗 ,  宫田雅弘 ,  盐月龙夫 ,  村西清

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1146

Abstract: 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、金属膜、表面改性层和再布线。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。金属膜在所述半导体基板上形成。表面改性层在所述金属膜的表层形成，提高与光刻胶图形的贴紧性。再布线隔着所述表面改性层在所述金属膜上形成。

公开(公告)号：CN102386147A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110254765.4

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 右田达夫 ,  江泽弘和 ,  山下创一 ,  志摩真也

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05149 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、再布线和表面层。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。再布线在所述半导体基板上形成。表面层比所述再布线更宽。

公开(公告)号：CN106206501A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510848901.0

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 右田达夫 ,  小木曾浩二

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够减少形成着空腔的金属部件的裂痕扩展的半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置具备半导体基板、金属部件、及金属氧化膜。半导体基板形成着从一面贯通到对向的另一面的贯通孔。金属部件设置在贯通孔的内侧，且在内部形成着空腔。金属氧化膜形成在金属部件的空腔侧的面上。