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1.

发明公开
半导体用接合线有权转让

公开(公告)号：CN105023902A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510431505.8

申请日：2010-07-16

Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司

Inventor： 寺岛晋一 , 宇野智裕 , 山田隆 , 小田大造

IPC: H01L23/49 , H01L21/60 , C22C5/02

CPC classification number: C22C5/04 , C22C5/02 , C22C5/06 , C22C9/00 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/4516 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48011 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/4851 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48764 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48864 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2224/85564 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/01034 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0102 , H01L2924/01013 , H01L2924/00014 , H01L2224/45144 , H01L2924/01204 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/01001 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01007 , H01L2224/45669 , H01L2924/2076 , H01L2924/01018 , H01L2224/48465 , H01L2924/20654 , H01L2924/20652 , H01L2924/20655 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明提供即使对于镀钯的引线框也能够确保良好的楔接合性、耐氧化性优异的以铜或铜合金为芯线的半导体用接合线。根据一个实施方式的半导体用接合线，其特征在于，具有：由铜或铜合金构成的芯线；形成于该芯线的表面的具有10～200nm的厚度的含有钯的被覆层；和形成于该被覆层的表面的具有1～80nm的厚度的含有金和钯的合金层，所述合金层中的金的浓度为10体积％～75体积％，在测定接合线表面的结晶取向所得到的测定结果中，相对于拉丝方向的倾斜为15度以下的结晶取向的晶粒的面积比为40％～100％。

2.

发明公开
用于接合应用的涂覆线材无效

公开(公告)号：CN104937140A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201380071250.8

申请日：2013-12-18

Applicant: 贺利氏德国有限责任两合公司

Inventor： E.米尔克 , J.沙尔夫

IPC: C23C26/00 , C23C18/08 , C23C30/00 , C23C14/00 , C23C16/00 , H01L21/00

CPC classification number: B23K20/007 , B23K20/10 , B23K35/0261 , B23K35/0272 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/322 , B23K35/40 , B23K35/404 , B23K2101/42 , C23C14/14 , C23C18/08 , C23C28/00 , C23C30/00 , C25D5/34 , C25D7/0607 , H01B1/026 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/745 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/43125 , H01L2224/432 , H01L2224/4321 , H01L2224/435 , H01L2224/43823 , H01L2224/43825 , H01L2224/43826 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/4556 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/45663 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45673 , H01L2224/45676 , H01L2224/45678 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48824 , H01L2224/85181 , H01L2224/85801 , H01L2924/00011 , H01L2924/01076 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H05K1/09 , H05K3/34 , H05K2201/10287 , H05K2203/049 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/01046 , H01L2924/01006 , H01L2924/01001 , H01L2924/01008 , H01L2924/01007 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/20751 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20752 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049 , H01L2924/01005 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明涉及一种接合线材，其包含具有表面的芯，其中所述芯包含选自铜和银的芯主要组分；和至少部分地覆盖在所述芯的表面上的涂覆层，其中所述涂覆层以至少10%的量包含选自钯、铂、金、铑、钌、锇和铱的涂覆组分作为组分；其特征在于所述涂覆层以至少10%的量包含所述芯的主要组分作为组分。

3.

发明公开
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN104051401A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410095780.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 梶原良一 , 中条卓也 , 新井克夫 , 谷藤雄一 , 冈浩伟 , 宝蔵寺裕之

IPC: H01L23/495 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49 , H01L21/50 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/3192 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29294 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/3011 , H01L2224/3201 , H01L2224/32013 , H01L2224/32058 , H01L2224/32059 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45565 , H01L2224/45616 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48997 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/83055 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8392 , H01L2224/83951 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/8592 , H01L2224/85951 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/10272 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/06 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/01013 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/83205

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的解决的一个问题是提高半导体装置的可靠性。具有：管芯焊盘（6）、搭载于管芯焊盘（6）的SiC芯片（1）、对管芯焊盘（6）和SiC芯片（1）进行接合的多孔质的第1烧结Ag层（16）、以及覆盖第1烧结Ag层（16）的表面并且被形成为圆角状的加强树脂部（17）。进而，具有与SiC芯片（1）的源电极（2）电连接的源极引线（9）、与栅电极（3）电连接的栅极引线、与漏电极（4）电连接的漏极引线、以及覆盖SiC芯片（1）、第1烧结Ag层（16）及管芯焊盘（6）的一部分的密封体（14），加强树脂部（17）覆盖SiC芯片（1）的侧面（1c）的一部分。

4.

发明授权
具有增进焊接强度的镀层的导线结构失效

公开(公告)号：CN102097410B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200910200358.8

申请日：2009-12-11

Applicant: 日月光封装测试(上海)有限公司

Inventor： 王德峻

IPC: H01L23/49 , H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/48 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/8502 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/00012 , H01L2224/45624

Abstract: 本发明公开一种具有增进焊接强度的镀层的导线结构，所述导线结构用于半导体封装工艺，所述导线结构包含一导线芯材及包覆于其外表面的一镀层，所述导线结构通过一打线接合方法，使其一端焊接于一打线接合表面。所述镀层的材质熔点低于所述导线芯材的材质熔点；以及所述镀层的材质与所述打线接合表面的材质相同。因此，所述镀层能提供一均匀的接触层于所述导线芯材及所述接合表面之间，以增进焊点强度。并且，所述导线结构的镀层具有足够厚度，因此所述镀层在打线后仍可提供完整的同质介面。

5.

发明公开
用于连接半导体装置的高纯度铜细线有权

公开(公告)号：CN103283009A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201280002217.5

申请日：2012-10-18

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 三上道孝 , 合濑昌章 , 中岛伸一郎 , 三村利孝 , 弥永幸弘 , 市川司 , 高田晃

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45664 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/15747 , H01L2924/01204 , H01L2924/01206 , H01L2924/01046 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2224/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/01007 , H01L2924/20305 , H01L2924/2076 , H01L2924/20752 , H01L2924/20756 , H01L2924/01205 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01016 , H01L2924/00013 , H01L2924/20751 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

Abstract: 通过制备使其截面组织成为双重组织的高纯度铜细线，铜细线的机械强度增加，并因此提供亚毫米直径的高纯度铜细线，其最适用于在短时间内反复进行多次开/关操作的高温功率半导体。本发明涉及具有氧化物膜并且由纯度为99.999至99.99994质量％的铜制成的高纯度铜细线；该铜细线具有这样的截面组织，其中，10颗最大的晶粒共同地具有占截面组织总面积的5-25％的晶粒面积，且此晶粒面积的80％以上在相对于表面层的内侧，所述表面层被定义为具有细线直径的1/20以下的厚度；该高纯铜细线通过连续拉拔制成，并用于连接半导体装置。

6.

发明公开
一种镀钯镀银的双镀层键合铜丝的制造方法失效

公开(公告)号：CN103219246A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310065261.7

申请日：2013-03-01

Applicant: 溧阳市虹翔机械制造有限公司

Inventor： 吕燕翔 , 居勤坤 , 史仁龙 , 万传友 , 彭芳美 , 周国忠

IPC: H01L21/48 , C25D5/10 , C25D7/06

CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20111 , H01L2924/00012 , H01L2924/01204 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明公开了一种双镀层键合铜丝，所述铜丝具有三层结构，最内层为在高纯铜中添加了微量金属元素的铜芯，在该铜芯的表面镀有纯钯导电层，在纯钯导电层的表面镀有纯银导电层；其中所述微量金属元素为锡、镁和铝。

7.

发明公开
半导体用接合线有权转让

公开(公告)号：CN102422404A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080019191.6

申请日：2010-07-16

Applicant: 新日铁高新材料株式会社 , 日铁新材料股份有限公司

Inventor： 寺岛晋一 , 宇野智裕 , 山田隆 , 小田大造

IPC: H01L21/60 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C5/06

CPC classification number: C22C5/04 , C22C5/02 , C22C5/06 , C22C9/00 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/4516 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48011 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/4851 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48764 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48864 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2224/85564 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/01034 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0102 , H01L2924/01013 , H01L2924/00014 , H01L2224/45144 , H01L2924/01204 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/01001 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01007 , H01L2224/45669 , H01L2924/2076 , H01L2924/01018 , H01L2224/48465 , H01L2924/20654 , H01L2924/20652 , H01L2924/20655 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明提供即使对于镀钯的引线框也能够确保良好的楔接合性、耐氧化性优异的以铜或铜合金为芯线的半导体用接合线。该半导体用接合线的特征在于，具有由铜或铜合金构成的芯线、在该芯线的表面的具有10～200nm的厚度的含有钯的被覆层和在该被覆层的表面的具有1～80nm的厚度的含有贵金属和钯的合金层，所述贵金属为银或金，所述合金层中的所述贵金属的浓度为10体积％～75体积％。

8.

发明授权
In焊锡包覆的铜箔带状导线及其连接方法失效转让

公开(公告)号：CN101375412B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200780003954.6

申请日：2007-01-30

Applicant: 昭和砚壳石油株式会社

Inventor： 田泽健一

IPC: H01L31/042 , H01L31/04 , C23C2/14 , C22C28/00 , B23K35/26 , G02F1/1345

CPC classification number: C23C26/02 , B23K35/26 , C22C28/00 , C23C28/023 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/745 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L2224/43 , H01L2224/45014 , H01L2224/45032 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45609 , H01L2224/45639 , H01L2224/745 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15788 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T29/49117 , Y10T29/532 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01006

Abstract: 本发明提供In焊锡包覆铜箔带状导线及其连接方法。该方法可无破损地、低成本、可靠且牢固地连接玻璃基板上的导体电极与带状导线，将仅在厚度为300μm以下的铜箔或镀锡铜箔(2)的一面上包覆了厚度为100μm以下的In焊锡(3)、或在一面上包覆上述In焊锡(3)而除了该一面之外的其他面上包覆很少In焊锡(3)(上述焊锡(3)中，In 100～90％、Ag 10～0％)而成的In焊锡包覆铜箔带状导线(1)载置在玻璃基板(4A)上的Mo金属背面电极层(4B)的露出部上之后，将超声波钎焊烙铁(5)压接到上述铜箔带状导线(1)的上表面上，使上述In焊锡(3)熔融，从而将上述铜箔带状导线(1)连接于上述电极层(4B)上。另外，也有这样的方法：预先在上述电极层(4B)上钎焊In焊锡(3)(与上述组成相同)之后，将带状的铜箔或镀锡铜箔(2)载置到其上，利用超声波钎焊烙铁(5)将上述铜箔(2)连接于上述电极层(4B)上。