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公开(公告)号:CN104347549B
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201410352981.6
申请日:2014-07-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/065 , H01L25/0657 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0612 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48499 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/4917 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/4945 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83101 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01079 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明公开了一种可提高半导体器件的可靠性的技术。所述半导体器件包括具有形成于芯片装载面上的多个焊点(引脚)BF的布线基板3、搭载于布线基板3上的半导体芯片、以及分别具有球形部Bnd1及接合部Bnd2的多条引线BW。多个焊点BF具有分别与引线BWa的接合部Bnd2连接的焊点BF1、以及与引线BWb的球形部Bnd1连接的焊点BF2。另外,在俯视观察时,焊点BF2配置在与多个焊点BF1的配置列Bd1上不同的位置上,而且,焊点BF2的宽度W2比焊点BF1的宽度W1大。
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公开(公告)号:CN104916608B
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201410421592.4
申请日:2014-08-25
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60 , H01L21/603
CPC classification number: H01L24/85 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L2224/05599 , H01L2224/45144 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48451 , H01L2224/48465 , H01L2224/48479 , H01L2224/4909 , H01L2224/4911 , H01L2224/49429 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85345 , H01L2224/85399 , H01L2224/85986 , H01L2924/00014 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2224/4554 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据一个实施例,半导体器件包括第一环和第二环。折返部是通过沿第一方向从第一接合部伸出所述第一环,然后沿第二方向折返所述第一环形成的部分。所述折返部具有其被对着所述第一接合部挤压的形状。所述第二环被接合到所述折返部。所述第二环的一端位于第二位置。所述第二位置沿所述第一环的延伸方向与第一位置偏移。所述第一位置是所述第一环的所述第一接合部的中心。
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公开(公告)号:CN104272480B
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201380024094.X
申请日:2013-05-07
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/4828 , H01L23/49568 , H01L33/64 , H01L33/644 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/12044 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , Y10T29/49121 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 在不同的实施例中,提供了用于制造用于电子器件(60)的器件载体的方法,其中首先提供导体框架片段(30)。导体框架片段(30)具有导电材料。导体框架片段(30)具有用于构造第一电接触元件(42)的第一接触片段(32)、用于构造第二电接触元件(44)的第二接触片段(34)、以及用于容纳电子器件(60)的容纳区域(38)。至少容纳区域(38)和第二接触片段(34)导电地彼此连接。至少在导体框架片段(30)的与容纳区域(38)相对的侧上构造导热和电绝缘的中间元件(50)以用于将热从容纳区域(38)中排出并且将容纳区域(38)电绝缘。至少在中间元件(50)的背向容纳区域(38)的侧上构造热接触部(52)以用于热接触电子器件(60)。
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公开(公告)号:CN105210202B
公开(公告)日:2018-04-27
申请号:CN201480026324.0
申请日:2014-05-05
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 提出一种发射辐射的半导体器件,其具有‑至少一个具有半导体层序列(200)的半导体芯片(2),所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20);‑安装面(11),在所述安装面上构成有用于外部接触半导体芯片的至少一个电接触部(51,52),其中安装面平行于半导体层序列的主延伸平面伸展;‑辐射出射面(10),所述辐射出射面倾斜于或垂直于安装面伸展;‑辐射引导层(3),所述辐射引导层设置在半导体芯片和辐射出射面之间的光路中;和‑反射器本体(4),所述反射器本体局部地邻接于辐射引导层并且在半导体器件的俯视图中遮盖半导体芯片。此外,提出一种用于制造发射辐射的半导体器件的方法。
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公开(公告)号:CN105702842B
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201610214827.1
申请日:2011-09-21
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/08 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 说明了一种光电子半导体器件,包括:载体,具有上侧和与上侧相对的下侧;至少一个布置在上侧处的具有辐射出射面的发射辐射的半导体部件;吸收辐射的层,被设立用于吸收射到器件上的环境光;和布置在载体的至少一个连接部位上方的至少一个层开口,其中吸收辐射的层在横向方向上完全包围发射辐射的半导体部件并且至少局部地与发射辐射的半导体部件的侧面直接接触,辐射出射面无吸收辐射的层,层开口在横向方向上与半导体部件有间隔地布置,在层开口中至少局部地布置导电材料,导电材料至少局部地布置在器件的背离载体的外面上,导电材料将连接部位与半导体部件导电地连接,以及导电材料是辐射可穿透的。
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公开(公告)号:CN105492637B
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201580001736.3
申请日:2015-05-20
Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司
CPC classification number: H01L24/45 , C22C5/10 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45101 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45117 , H01L2224/45138 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45163 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48479 , H01L2224/48507 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01005 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01004 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01203 , H01L2924/01044 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2224/48471 , H01L2924/00015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01033 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线,其特征在于,包含总计为0.05~5原子%的In、Ga、Cd中的1种以上,其余量包含Ag和不可避免的杂质。
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公开(公告)号:CN107017174A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201611241079.2
申请日:2016-12-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 岛贯好彦
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49861 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49548 , H01L23/49555 , H01L23/49582 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83862 , H01L2224/85051 , H01L2224/85186 , H01L2224/85423 , H01L2224/85447 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/20753 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L23/3121 , H01L21/56 , H01L23/49544 , H01L2224/85
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括:管芯焊盘;形成有接合焊盘的半导体芯片;引线,引线的一个端部位于半导体芯片附近;连接电极和引线的耦接导线;以及密封体,密封体将半导体芯片、耦接导线、引线的一部分和管芯焊盘的一部分密封。管芯焊盘的下表面从密封体的下表面露出,管芯焊盘和耦接导线包括铜,并且半导体芯片的厚度大于管芯焊盘的厚度与从半导体芯片的上表面到密封体的上表面的厚度之和。
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公开(公告)号:CN104813457B
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201380059828.8
申请日:2013-11-12
Applicant: 株式会社新川
IPC: H01L21/60
CPC classification number: B23K20/007 , B23K20/004 , B23K20/005 , B23K20/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/78301 , H01L2224/78343 , H01L2224/78349 , H01L2224/789 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/859 , H01L2224/85986 , H01L2924/00014 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/20753 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
Abstract: 打线装置(10)包括供金属线(30)插通的毛细管(28)、未接合判定电路(36)及控制部(80)。未接合判定电路(36)对保持于毛细管的金属线与接合对象物之间施加规定的交流电气信号,并取得保持于毛细管的金属线与接合对象物之间的电容值,在第一接合处理后电容值降低时,判断为金属线自接合对象物被切断,在之后到达第二接合点之前电容值恢复时,判断为被切断的上述金属线垂下而接触于接合对象物。
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公开(公告)号:CN102576790B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201080044010.5
申请日:2010-08-31
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明说明一种光电子部件,带有:-载体(1),其具有第一主面(1a),-至少一个无衬底的光电子半导体芯片(2),以及-接触金属化物(3a,3b),其中-所述载体(1)是电绝缘的,-所述至少一个光电子半导体芯片(2)借助连接材料(4)、尤其是焊接材料固定在载体(1)的第一主面(1a)上,-所述接触金属化物(3a,3b)覆盖第一主面(1a)的至少一个没有光电子半导体芯片(2)的区域,以及-所述接触金属化物(3a,3b)导电地与光电子半导体芯片(2)连接。
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公开(公告)号:CN103367179B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201210088144.8
申请日:2012-03-29
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/4824 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48991 , H01L2224/73265 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85051 , H01L2224/85186 , H01L2924/00014 , H01L2924/10161 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明公开了一种打线方法,包含:(1)将芯片置于一承载件上;(2)将塑性材料点于所述芯片上,其中所述塑性材料位于所述芯片的打线焊垫与所述承载件的引脚间;(3)打线于所述打线焊垫与所述引脚上,使焊线连接于所述打线焊垫与所述引脚间,并埋入所述塑性材料中。本发明所提出的打线方法,可在打线过程中使焊线立即被塑性材料所包埋及固定,因此可避免在打线过程中因振动造成的焊线互碰短路,可提高制作工艺良率。
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