公开(公告)号：CN103975427B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280060141.1

申请日：2012-10-04

Applicant: 沃尔泰拉半导体公司

Inventor： M·迈克尔 ,  K·H·陈 ,  I·耶尔格维奇 ,  C·江 ,  A·斯特拉塔克斯

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49527 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1427 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16196 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述了互连衬底在功率管理系统中的各种应用。

公开(公告)号：CN103633059B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210479913.7

申请日：2012-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕文雄 ,  郑明达 ,  吴逸文 ,  蔡钰芃 ,  杜家玮 ,  刘重希

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/566 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体封装件及其制造方法，其中该半导体封装件包括：半导体衬底、位于半导体衬底上方的接触焊盘、位于接触焊盘上方的互连层、形成在接触焊盘和互连层之间的钝化层、位于互连层上方的凸块以及位于互连层和钝化层上方并覆盖凸块的下部的保护层。保护层包括弯曲表面区。

公开(公告)号：CN104995732A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201380073383.9

申请日：2013-12-17

Applicant: 英闻萨斯有限公司

Inventor： 贝尔加桑·哈巴 ,  伊利亚斯·穆罕默德 ,  特伦斯·卡斯基 ,  雷纳尔多·柯 ,  埃利斯·周

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/10 ,  H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H05K1/11 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/528 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/181 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/206

Abstract: 一种结构(10)包括键合元件(24)，键合元件(24)具有联接至第一表面的第一部分处的导电元件(18)以及远离衬底(12)的端面。介质封装元件(40)可覆盖且从第一部分延伸，且填充键合元件(24)之间的空间，以使键合元件(24)相互分离。封装元件(40)具有背离第一表面的第三表面。键合元件(24)的未封装部分由在第三表面处未被封装元件覆盖的端面的至少部分限定。封装元件(40)至少部分限定第一表面的第二部分(210)，第二部分(210)不同于第一部分且具有容纳微电子元件(602)的整个面积的面积。一些导电元件(18)在位于第二部分且用于与这种微电子元件(602)相连接。

公开(公告)号：CN104617075A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410162691.5

申请日：2014-04-22

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/433 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1626 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81897 ,  H01L2224/81904 ,  H01L2224/81951 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本公开提供一种引线框架的封装结构，其包含一裸晶、一介电层、至少一导电柱、至少一引线框架以及至少一锡球。介电层设置于裸晶的表面上。至少一导电柱穿透介电层并设置该表面上。至少一引线框架设置于介电层上并与至少一导电柱间有一间隔。锡球填充该间隔并电性连接该至少一导电柱及该至少一引线框架。

公开(公告)号：CN102201383B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110073355.X

申请日：2011-03-25

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 张恕铭 ,  楼百尧 ,  温英男 ,  刘建宏

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/92142 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开一种电子元件封装体及其制造方法，电子元件封装体包括：至少一半导体芯片、至少一抵接部、一钝化保护层以及一基板。半导体芯片具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中至少一重布线设置于半导体芯片的第一表面上，且电连接于半导体芯片的至少一导电垫结构。抵接部设置于重布线上并与其电性接触。钝化保护层覆盖半导体芯片的第一表面且环绕抵接部。基板贴附于半导体芯片的第二表面。本发明也揭示上述电子元件封装体的制造方法。

公开(公告)号：CN103887260A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310545281.4

申请日：2013-11-06

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 陈瑞琴 ,  林哲歆 ,  顾子琨

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开一种芯片接合结构及其制作方法，其中的芯片接合结构至少包括一第一基板、相对第一基板配置的一第二基板以及位在第一与第二基板之间的铜对接结构。在铜对接结构内具有一Cu-Cu接合界面，此Cu-Cu接合界面具有不同的凹凸组合特征，且Cu-Cu接合界面的两边的铜结晶方向不同。

公开(公告)号：CN102280423B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201110025101.0

申请日：2011-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  黄雅希 ,  陈新瑜 ,  蔡柏豪 ,  林彦甫 ,  黄震麟 ,  蔡方文 ,  邱文智

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/488 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/81805

Abstract: 本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。本发明的集成电路装置的工作件(work？piece)包括具有上表面和侧壁的铜凸块。在铜凸块的侧壁上形成保护层，但其上表面没有保护层。保护层包括铜的化合物和聚合物，且为介电层。本发明提供的集成电路装置及其制造方法，在裸片对晶片接合工艺中，即使工作件的温度高时，保护层也可避免铜凸块的氧化。

公开(公告)号：CN103295986A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210189750.9

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  林俊宏 ,  普翰屏 ,  郑明达 ,  吴凯强

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了形成用于堆叠封装件的连接件的机构。形成用于堆叠封装件的连接件的机构的所述实施例能够实现具有更细间距的更小连接件，该连接件实现了更小的封装件尺寸以及额外的连接。一个封装件上的导电元件部分地嵌入在该封装件的模塑料中从而与另一个封装件上的接触件或金属焊盘相接合。通过嵌入导电元件，可以将导电元件制造得更小并且在导电元件和模塑料之间不具有间隙。可以通过向连接件的最大宽度加入间隔边距来确定连接件的间距。其他封装件上的各种类型的接触件可以与导电元件相接合。

公开(公告)号：CN102891121A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201110400027.6

申请日：2011-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢政杰 ,  黄震麟 ,  蔡柏豪 ,  侯上勇 ,  林俊成 ,  郑心圃

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1362 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13672 ,  H01L2224/16056 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供了导电柱的系统和方法。实施例包括：在其外部边缘周围具有沟槽的导电柱。当在导电柱上方形成导电凸块时，将沟槽用于引导导电材料，例如，焊料。然后，通过导电材料可以将导电柱电连接至另一接触件。本发明还提供了一种导电凸块的柱设计。

公开(公告)号：CN102696097A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080059307.9

申请日：2010-12-24

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 细见彰良

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 本发明提供在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和有机酸和有机膦酸、有机酸为选自柠檬酸及苹果酸中的至少一种、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%，有机酸的含量为0.75~25质量%、有机膦酸的含量为0.0005~1质量%的在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的蚀刻液、及使用了这些蚀刻液的半导体装置的制造方法。