Patent search cpc:"H01L2924/01031" Page 1

1.

发明公开
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN107962313A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711344468.2

申请日：2016-05-19

Applicant: 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社

Inventor： 山田隆 , 小田大造 , 榛原照男 , 大石良 , 斋藤和之 , 宇野智裕

IPC: B23K35/02 , B23K35/30 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L23/00

CPC classification number: B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B32B15/00 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12882 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/265 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013

Abstract: 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。

2.

发明授权
用于基板接合的平坦化基板表面有权转让

公开(公告)号：CN104054171B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201280053476.0

申请日：2012-08-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·C·库尼 , J·S·杜恩 , D·W·马丁 , C·F·马桑特 , B-A·雷尼 , 师利仁 , E·J·斯普罗吉斯 , 曾康怡

IPC: H01L23/48 , H01L21/58

CPC classification number: H01L23/4825 , H01L21/6835 , H01L21/76819 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/5223 , H01L23/5283 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L29/1054 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05687 , H01L2224/06181 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/73251 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80075 , H01L2224/80203 , H01L2224/804 , H01L2224/80487 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/15788 , H01L2924/014 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2924/05432 , H01L2924/053 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/04941 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

Abstract: 公开了用于接合基板表面的方法、接合基板组件和用于接合基板组件的设计结构。通过使用器件基板(10)的第一表面(15)形成产品芯片(25)的器件结构(18、19、20、21)。在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层(26)。布线层被平整化。临时操作晶片(52)被可去除地接合到平整化后的布线层。响应可去除地将临时操作晶片接合到平整化后的第一布线层，器件基板的与第一表面相对的第二表面(54)被接合到最终操作基板(56)。然后从组件去除临时操作晶片。

3.

发明公开
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN107195609A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710593376.1

申请日：2015-05-20

Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司

Inventor： 小山田哲哉 , 宇野智裕 , 出合博之 , 小田大造

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L24/45 , C22C5/10 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45101 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45117 , H01L2224/45138 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45163 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48479 , H01L2224/48507 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01005 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01004 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01203 , H01L2924/01044 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2224/48471 , H01L2924/00015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01033 , H01L2224/4554 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。

4.

发明公开
整合扇出型封装体无效

公开(公告)号：CN107195595A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201610719176.1

申请日：2016-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖思豪 , 郭宏瑞 , 胡毓祥

IPC: H01L23/31

CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3185 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L2224/04105 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/12105 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/18162 , H01L23/3171

Abstract: 一种整合扇出型封装体，包括晶粒、绝缘密封体、填充物以及重布线路结构。绝缘密封体密封晶粒的侧壁，且绝缘密封体包括位于其上表面的凹陷。填充物覆盖绝缘密封体的上表面且至少部分填入凹陷内。重布线路结构覆盖晶粒的有源表面以及填充物，且与晶粒电性连接。重布线路结构包括覆盖晶粒以及填充物的介电层。

5.

发明授权
金属粒子膏糊、使用了其的固化物及半导体装置有权

公开(公告)号：CN104425055B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410452753.6

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平塚大祐 , 井口知洋 , 内田雅之

IPC: H01B1/22 , C09K5/10 , H01L23/29

CPC classification number: B23K35/025 , B22F1/0003 , B22F1/0018 , B22F1/0074 , B22F2999/00 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K35/282 , B23K35/286 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/32 , B23K35/322 , B23K35/325 , B23K35/3601 , B23K35/362 , C22C1/0491 , C22C5/06 , H01L21/4867 , H01L23/3737 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0381 , H01L2224/04026 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2732 , H01L2224/2741 , H01L2224/2744 , H01L2224/29006 , H01L2224/29294 , H01L2224/29313 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2936 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29371 , H01L2224/29372 , H01L2224/29373 , H01L2224/29376 , H01L2224/29378 , H01L2224/2938 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/832 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/8322 , H01L2224/83411 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/8384 , H01L2924/01102 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1067 , H01L2924/12044 , H01L2924/15787 , H01L2924/0543 , H01L2924/01031 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , B22F1/0022

Abstract: 根据本发明，可提供含有极性溶剂、和分散在上述极性溶剂中且包含第一金属的粒子的金属粒子膏糊。在上述极性溶剂中，溶解有与上述第一金属不同的第二金属。本发明还提供了使用了该金属粒子膏糊的固化物及半导体装置。

6.

发明授权
用于包括通过接合包含覆盖低熔点材料层的非低熔点材料层的两个接合部件而形成的高熔点合金的微电子组件的接合结构以及对应制造方法有权

公开(公告)号：CN105122447B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201380071665.5

申请日：2013-12-02

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： C·E·尤佐

IPC: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L21/60 , H05K3/34 , H01L23/10 , H01L21/50

CPC classification number: H05K13/046 , H01L21/4853 , H01L21/50 , H01L21/76898 , H01L23/10 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/98 , H01L2224/02372 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05138 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/13009 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13138 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/1319 , H01L2224/14131 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/16501 , H01L2224/16505 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29138 , H01L2224/29147 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32501 , H01L2224/32505 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81075 , H01L2224/8112 , H01L2224/81141 , H01L2224/81193 , H01L2224/81825 , H01L2224/83075 , H01L2224/8312 , H01L2224/83193 , H01L2224/83825 , H01L2924/00014 , H01L2924/381 , H01L2924/04953 , H01L2924/01071 , H01L2924/01042 , H01L2924/01015 , H01L2924/04941 , H01L2924/01074 , H01L2924/01047 , H01L2924/01031 , H01L2924/01034 , H01L2924/00012 , H01L2924/07025 , H01L2224/05552

Abstract: 一种微电子组件(10、110、210、310、410)包括：第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)，具有第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)；以及第二衬底(14、114、214、314、414)，具有第二导电元件(26、126、226、326、426)。该组件还包括导电合金块(16、116)，接合至第一和第二导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)，包括第一、第二和第三材料。导电合金块(16、116)的第一和第二材料的熔点均低于合金的熔点。第一材料的浓度从朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)设置的位置处的相对较大量向朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)的相对较小量变化，并且第二材料的浓度从朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)设置的位置处的相对较大量向朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的相对较小量变化。通过将具有第一接合部件(30、230、330、430)的第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)与具有第二接合部件(40、240、340、440)的第二衬底(14、114、214、314、414)对准来形成微电子组件(10、110、210、310、410)，使得第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件彼此接触，第一接合部件(30、230、330、430、1030)包括邻近第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的第一材料层(36、536、636、736、836、936)以及上覆第一材料层(36、536、636、736、836、936)的第一保护层(38、538、638、738、838、938)，第二接合部件(40、240、340、440)包括邻近第二导电元件(26)的第二材料层(46)以及上覆第二材料层(46)的第二保护层(48)，并且加热第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件使得第一(36、536、636、736、836、936)和第二(46)材料层的至少部分一起扩散以形成使第一(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)和第二(14、114、214、314、414)衬底彼此接合的合金块(16、116)。可以在第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)上形成多个第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)以及在第二衬底(14、114、214、314、414)上形成多个第二导电元件(26、126、226、326、426)，由多个导电合金块(16、116)接合。导电合金块(116)还可以包围并密封内部容积。