公开(公告)号：CN106463394B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201580022823.7

申请日：2015-03-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 根岸哲 ,  寺井护 ,  山本圭

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L23/29 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/373 ,  H01L23/562 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 具备：半导体元件(5)，具有半导体基板(1)、形成于半导体基板(1)的正面(1A)且具有开口部的绝缘膜(2)以及在半导体基板(1)的正面(1A)上在开口部内形成的电极(3)；以及第1保护膜(9)，被设置成覆盖半导体元件(5)，绝缘膜(2)的膜厚(W1)是半导体基板的厚度(W2)的1/500以上且4μm以下，绝缘膜的每单位膜厚的压缩应力是100MPa/μm以上。

公开(公告)号：CN109716511A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780058052.6

申请日：2017-08-14

Applicant: QORVO美国公司

Inventor： 扬·爱德华·万德梅尔 ,  乔纳森·哈勒·哈蒙德 ,  朱利奥·C·科斯塔

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B7/0025 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/0023 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0792 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/185 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/10083 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1322 ,  H05K2203/308

Abstract: 本公开涉及一种晶片级封装，所述晶片级封装包括第一薄化裸片(12)、多层再分布结构(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片包括由玻璃材料形成的第一装置层(24)。所述多层再分布结构包括再分布互连件，所述再分布互连件将所述第一装置层连接到在所述多层再分布结构的底部表面上的封装触点(44)。在本文中，所述再分布互连件与所述第一装置层之间的连接不含焊料。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口。所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。

公开(公告)号：CN108987367A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810482659.3

申请日：2018-05-18

Applicant: 意法半导体公司

Inventor： A·卡达格 ,  E·小安蒂拉诺 ,  E·M·卡达格

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49861

Abstract: 本公开涉及一种使用预模制的引线框形成的、具有焊料可附着的侧壁的引线框封装件及其制造方法。将具有多个凹部和多个孔的金属镀覆的引线框放置到顶部和底部模制工具中。然后在引线框中的多个凹部和孔中形成模制化合物，以形成预模制的引线框。将多个管芯和导线耦合到预模制的引线框，并且用密封剂覆盖所得到的组合件。备选地，可以处理裸露的引线框，并且可以在密封之后施加金属层。锯或其他切割装置用于进行分割，以形成引线框封装件。每个所得到的引线框封装件具有焊料可附着的侧壁，以用于改善封装件与电路板之间的焊接接点的强度。

公开(公告)号：CN106098666B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610213046.0

申请日：2016-04-07

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  张恕铭 ,  沈信隆

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/08267 ,  H01L2224/08268 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16267 ,  H01L2224/16268 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含一第一晶片与一第二晶片。第一晶片包含：一第一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一无源元件，位于第一表面上；一第一保护层，覆盖第一无源元件，第一保护层还具有相对于该第一表面的一第三表面；以及一第一导电垫结构与一第二导电垫结构，位于第一保护层中，并电性连接至第一无源元件。第二晶片位于第三表面上，且具有一有源元件与一第二无源元件电性连接至有源元件，其中有源元件电性连接至第一导电垫结构。本发明不仅可节省大量的制程时间，且能降低已知电感元件的成本。

公开(公告)号：CN106067431B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610235850.9

申请日：2016-04-15

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 陈语同 ,  苏冠群 ,  许传进 ,  陈键辉 ,  叶晓岚 ,  何彦仕

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种晶圆涂布系统与晶片封装体的制备方法。该晶圆涂布系统包含一晶圆底座、一流动性绝缘材料喷洒装置以及一晶圆倾斜升降销。晶圆底座具有一承载部与一旋转部，承载部装设于旋转部上，并用以承载一晶圆，且旋转部用以相对于一预定轴旋转。流动性绝缘材料喷洒装置位于晶圆底座上方，用以喷洒一流动性绝缘材料至晶圆，而晶圆倾斜升降销设置使晶圆与重力方向夹一第一锐角。本发明不仅提升了晶片封装体的绝缘性，还能够避免后续形成的导电层产生断线。

公开(公告)号：CN108573947A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810178281.8

申请日：2018-03-05

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 三室阳一 ,  加藤伸二郎 ,  盐浦哲郎

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/78 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49894 ,  H01L21/4846

Abstract: 本发明提供半导体装置，半导体装置(100)具有：基板(101)；层叠体(103)，其设置在基板的一个主面(101a)侧且包含铝合金布线(102)和包围该铝合金布线(102)绝缘膜(107)；和覆盖层叠体(103)的氮化硅膜(104)，在上述氮化硅膜和上述绝缘膜上，在与上述铝合金布线(102)的焊接部分重叠的位置设置有开口部(105)，在铝合金布线的表面中的从开口部(105)露出的部分附着包含含有硅和氮的反溅射残渣的堆积物而形成有覆膜(106)。该半导体装置能够防止铝合金布线中的作为焊盘露出的部分由于水分而发生腐蚀(电化腐蚀)。

公开(公告)号：CN108573944A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810200156.2

申请日：2018-03-12

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 五十岚觉 ,  加藤伸二郎 ,  长谷川尚 ,  秋野胜 ,  井村行宏

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/02107 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02123 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/3512 ,  H01L23/485 ,  H01L21/4846

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置(10)具有：布线层(5)，其包含设置于基板(1)上的包含铝或铝合金的布线膜(6)和设置于布线膜(6)上的氮化钛膜(7)；保护层(9)，其覆盖布线层(5)的上表面(5a)和侧面(5b)；和焊盘部(8)，其是贯通保护层(9)和氮化钛膜(7)且布线膜(6)露出而成的，保护层(9)是从布线层(5)侧依次层叠第1氮化硅膜(41)、氧化膜(3)和第2氮化硅膜(42)而成的。不易产生包含氮化钛的防反射膜的腐蚀，能够利用一次光刻工序对焊盘部进行开口。

公开(公告)号：CN104183506B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201410165326.X

申请日：2014-04-23

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： S·P·肖邦 ,  丁珉 ,  V·马修 ,  S·S·罗斯

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0218 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/03005 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03015 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 封装半导体器件是通过在集成电路器件12的外部表面上形成导电焊盘14，在所述导电焊盘上形成钝化层24、56、106，移除在所述导电焊盘上的接合区上的一部分所述钝化层，在围绕所述接合区的大部分外围的周围形成牺牲阳极28、54、112，在所述接合区内形成导电接合34、62、116以及在所述导电接合和所述牺牲阳极的暴露部分的周围形成密封材料38、64、118。

公开(公告)号：CN107946246A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201610889998.4

申请日：2016-10-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 宋春 ,  钟怡

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/562

Abstract: 本发明提供一种密封环结构、半导体器件及电子装置，该密封环结构包括围绕集成电路区设置的第一密封环，所述第一密封环包括多层层叠设置的介质层，以及设置于所述介质层中并与所述介质层齐平的金属层，在所述介质层中还设置有填充有导电材料的介层孔，用于实现各层金属层之间的连接，其中，所述介层孔错位排布以使在水平方向和/或垂直方向上相邻的所述介层孔不处于对齐位置上。该密封环结构具有减少应力，防止切割时出现分层问题的优点。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。

公开(公告)号：CN107924876A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680046299.1

申请日：2016-07-26

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： V·万卡他德莱

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/014

Abstract: 集成电路设置具有暴露所述多个焊盘的多个不同尺寸的钝化层，以用于粘合。焊盘的尺寸以至少部分地补偿由于焊盘的不对称分布而导致的粘合(例如倒装芯片热压粘合)期间的应力的方式而变化。