Patent search cpc:"H01L2224/48824" Page 1

1.

发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN108735699A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810342630.5

申请日：2018-04-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 武直矢

IPC: H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L2224/04042 , H01L2224/05557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05638 , H01L2224/0612 , H01L2224/4845 , H01L2224/48824 , H01L2924/0483 , H01L2924/386

Abstract: 本发明提供一种抑制接合焊盘间的短路的技术。半导体装置具有：半导体基板；第一接合焊盘，设在所述半导体基板的上表面，且由含有铝的金属构成；及第二接合焊盘，设在所述半导体基板的所述上表面。所述第一接合焊盘的上表面以越接近所述第二接合焊盘则越位于上方的方式倾斜。

2.

发明公开
瀑布引线键合无效

公开(公告)号：CN108269792A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810161266.2

申请日：2011-05-18

Applicant: 晟碟半导体(上海)有限公司 , 晟碟信息科技(上海)有限公司

Inventor： 吕忠 , 余芬 , 邱进添 , 俞志明 , 肖富强

IPC: H01L25/065 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/49

CPC classification number: H01L23/49866 , H01L21/768 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03013 , H01L2224/03614 , H01L2224/04042 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06145 , H01L2224/06155 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48096 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48456 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/78349 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/85399 , H01L2224/85948 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48095

Abstract: 公开了一种半导体器件的引线键合结构。该引线键合结构包括：键合垫；连续引线，与键合垫相互扩散，所述引线将所述键合垫与第一电接触和第二电接触电连接，第二电接触与第一电接触不同。

3.

发明公开
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN107962313A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711344468.2

申请日：2016-05-19

Applicant: 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社

Inventor： 山田隆 , 小田大造 , 榛原照男 , 大石良 , 斋藤和之 , 宇野智裕

IPC: B23K35/02 , B23K35/30 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L23/00

CPC classification number: B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B32B15/00 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12882 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/265 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013

Abstract: 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。

4.

发明授权
用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线有权

公开(公告)号：CN103295993B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310223610.3

申请日：2013-06-06

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 , 三上道孝 , 冈崎纯一 , 滨本拓也 , 中岛伸一郎 , 山下勉 , 三苫修一 , 小野甲介 , 刘斌 , 执行裕之

IPC: H01L23/49 , C22C9/00

CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004

Abstract: 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。