公开(公告)号：CN105990186B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201510097023.3

申请日：2015-03-04

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 小牟田直幸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/81 ,  B23K1/0016 ,  B23K3/0478 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/8115 ,  H01L2224/8116 ,  H01L2224/8117 ,  H01L2224/8118 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置的制造装置，具备：载物台；头部，与载物台对向；驱动部，使头部移动；荷重传感器，检测移动方向的荷重；位置传感器，检测驱动部在移动方向的位置；加热机构，对头部进行加热；及控制部，控制驱动部及加热机构；控制部通过驱动部使头部移动而接近载物台，并以由荷重传感器测得的荷重值成为目标值的方式进行荷重控制，其后，通过加热机构使头部的温度上升，并以通过驱动部使头部离开载物台的方式进行位置控制，其后，停止利用加热机构的加热并且以通过驱动部使头部接近载物台的方式进行位置控制。

公开(公告)号：CN104701198B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201410725379.2

申请日：2014-12-03

Applicant: 库利克和索夫工业公司

Inventor： M·P·施密特-兰 ,  M·B·瓦塞尔曼 ,  C·W·布朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L24/75 ,  B23K1/0016 ,  B23K31/12 ,  B23K37/04 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/75001 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/7901 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种结合机用于结合半导体元件，所述结合机包括：支撑结构，其被构造成支撑基板；结合头组件，其包括结合工具，所述结合工具被构造成将多个半导体元件结合到基板；和校准工具，其包括构造成被定位在结合工具和支撑结构之间的接触部分，所述接触部分被构造成在校准操作期间同时被结合工具和支撑结构中的每个接触。

公开(公告)号：CN108695264A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810312732.2

申请日：2018-04-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 坂田贤治 ,  秋叶俊彦 ,  船矢琢央 ,  土屋秀昭 ,  吉田裕一

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/47 ,  H01L23/488 ,  H01L23/13

Abstract: 本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。

公开(公告)号：CN105826285B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201510003747.7

申请日：2015-01-04

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 辛宇尘 ,  赵南 ,  王晨

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供一种电子设备，包括承载电路板，以及装载在所述承载电路板上的芯片，所述芯片包括被封装包裹在一起的基板和裸片，所述基板内设有多条与所述贴合点对应的基板走线，所述基板底部的焊点点阵中的焊点包括分别沿两条平行直线排列的第一焊点组和第二焊点组，与第一焊点组中的焊点连接的基板走线均等长，与第二焊点组中的焊点连接的基板走线均等长，且两条基板走线的长度差值等于预设标准值，所述承载板上设有与第一焊点组和第二焊点组的焊点一一对应的焊盘，所述焊盘上均连接有电路板走线，所述第一焊点组对应的焊盘上的电路板走线与第二焊点组对应的焊盘上的电路板走线的长度差值等于所述预设标准值。

公开(公告)号：CN108140628A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058117.2

申请日：2016-10-07

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 胁山悟 ,  清水完 ,  林利彦 ,  中村卓矢 ,  城直树

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及摄像装置，所述摄像装置包括第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述摄像装置包括第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述摄像装置包括微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。

公开(公告)号：CN104769711B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201380057472.4

申请日：2013-10-30

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： Y·孙 ,  L·赵 ,  M·韩

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/43 ,  B81B2207/093 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/13688 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种导电互连(340、440、540、640)包括导电支承层(330、430、530、630)，在该导电支承层(330、430、530、630)上的导电材料(320、520、620)，以及部分地包围该导电材料(320、520、620)的无机套环(350、450、550、650)。无机套环(350、450、550、650)也被布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。一种制造导电互连(340、440、540、640)的方法包括在籽晶层(304、504)上制造导电材料(320、520、620)，形成有机套环(310、510)以部分地包围该导电材料(320、520、620)，蚀刻导电籽晶层(304、504)以形成导电支承层(330、430、530、630)，以及进行加热以将有机套环(310、510)转变为无机套环(350、450、550、650)，该无机套环(350、450、550、650)部分地包围导电材料(320、520、620)并布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。有机套环(310、510)可通过在导电材料(320、520、620)上沉积光敏旋涂电介质材料并图案化该光敏旋涂电介质材料来形成。导电材料(620)可以是单个导电材料(320)或者可包括由势垒层分隔的第一导电层(332)和第二导电层(324)的堆叠，在这种情况下加热步骤还导致导电材料堆叠中的第二导电层(324)的回流。

公开(公告)号：CN107818956A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710800845.2

申请日：2017-09-07

Applicant: 联发科技股份有限公司

Inventor： 于达人 ,  洪佑昇 ,  许文松

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L23/49827

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体封装、封装上封装及其制造方法。其中该制造方法包括：提供载体基板；在该载体基板上形成重分布层结构，其中该重分布层结构包括：至少一凸块垫；在该重分布层结构上安装半导体晶粒；在该半导体晶粒以及该重分布层结构上形成模塑料；移除该载体基板，以露出该重分布层结构的多个焊球垫；以及于该多个焊球垫上形成多个导电结构。本发明实施例，可以提高产品的良品率。

公开(公告)号：CN105226177B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201510655970.X

申请日：2015-10-13

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 何安和 ,  林素慧 ,  郑建森 ,  彭康伟 ,  林潇雄 ,  徐宸科

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/50 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了倒装LED芯片的共晶电极结构及倒装LED芯片，包括：基板；第一半导体层；第二半导体层；局部缺陷区位于部分第二半导体层上，且向下延伸至第一半导体层；第一金属层位于部分第一半导体层上；第二金属层位于部分第二半导体层上；绝缘层，覆盖于第一金属层、第二金属层、第二半导体层以及局部缺陷区的第一半导体层上，绝缘层具有开口结构，分别位于第一金属层和第二金属层上；共晶电极结构，位于具有开口的绝缘层上，在垂直方向从下至上由第一共晶层和第二共晶层组成，在水平方向划分为第一型电极区和第二型电极区。本发明解决习知倒装LED芯片在共晶接合制程中可能发生共晶空洞率过高导致封装不良问题。

公开(公告)号：CN107680913A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710820602.5

申请日：2012-10-10

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： A·R·阿什拉夫扎德

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4951 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091

Abstract: 一种使用引线框架的晶圆级封装件。当用于封装两个或多个芯片时，最终产品具有类似于方形扁平无引脚封装(QFN)的处理后表面。最终产品也将具有匹敌或超过相应的单片芯片的性能，因为两个或多个芯片能够紧密连接并且能够将每个芯片的制造处理过程定制为仅适应所述芯片上的器件的要求。晶圆级封装还可以用于封装单片芯片，也可以用于封装在一个芯片具有源器件且在第二芯片上具有无源器件的多个芯片。公开了多种示例性实施例。

公开(公告)号：CN104798448B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201380060162.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  丰田英志 ,  鸟成刚 ,  清水祐作 ,  森弘幸

IPC: H05K1/03 ,  C08J5/18 ,  C08L63/00

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08G59/08 ,  C08G59/621 ,  C08G59/686 ,  C08J2363/00 ,  C08L63/00 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49822 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191

Abstract: 一种树脂片，是用于形成可与形成于半导体芯片上的电极连接的布线电路基板的树脂片，所述树脂片在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下。