Patent search cpc:"H01L2224/8381" Page 1

1.

发明授权
半导体装置和制造半导体装置的方法有权转让

公开(公告)号：CN105575928B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201510708562.6

申请日：2015-10-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢

IPC: H01L23/485 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/4853 , H01L23/4334 , H01L23/488 , H01L23/4924 , H01L23/49537 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05655 , H01L2224/292 , H01L2224/29211 , H01L2224/29347 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/32505 , H01L2224/33181 , H01L2224/83455 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047

Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体元件；被接合构件，其被接合到半导体元件并且包括镍膜；以及接合层，其被接合至所述被接合构件并且包含2.0wt％或以上的铜，其中接合层包括焊料部分和Cu6Sn5部分，焊料部分的基体金属至少包含作为构成元素的锡并且包含单质的铜，并且Cu6Sn5部分与镍膜接触。

2.

发明公开
用于施加接合层的方法有权

公开(公告)号：CN105517947A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201380079527.1

申请日：2013-09-13

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格

IPC: B81C3/00 , H01L23/10

CPC classification number: H01L24/83 , B81C3/001 , B81C2203/036 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29105 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29117 , H01L2224/29118 , H01L2224/29123 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29184 , H01L2224/32145 , H01L2224/32507 , H01L2224/8302 , H01L2224/83022 , H01L2224/8381 , H01L2224/83894 , H01L2924/01003 , H01L2924/01005 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01034 , H01L2924/01037 , H01L2924/01038 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01055 , H01L2924/01056 , H01L2924/01322 , H01L2924/10251 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/1026 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10323 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10331 , H01L2924/10332 , H01L2924/10333 , H01L2924/10334 , H01L2924/10335 , H01L2924/10336 , H01L2924/10346 , H01L2924/1037 , H01L2924/10371 , H01L2924/10372 , H01L2924/10373 , H01L2924/10375 , H01L2924/10376 , H01L2924/10377 , H01L2924/10821 , H01L2924/10823 , H01L2924/10831 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01013 , H01L2924/01031 , H01L2924/0103

Abstract: 本发明涉及一种用于将由基本层及保护层组成的接合层施加到基板上的方法，其具有以下方法步骤：将可氧化的基本材料作为基本层施加到该基板的接合侧上，用可至少部分地溶解于该基本材料中的保护材料作为保护层来至少部分地覆盖该基本层。另外，本发明涉及一种相应的基板。

3.

发明公开
用于制造功率模块的方法以及功率模块无效

公开(公告)号：CN105304512A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510445932.1

申请日：2015-07-27

Applicant: 西门子公司

Inventor： 贝恩德·屈滕 , 米夏埃尔·莱佩纳特 , 龙尼·维尔纳

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/3735 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/32225 , H01L2224/32503 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/8381 , H01L2224/83825 , H01L2224/8383 , H01L2924/0002 , H01L2924/10155 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/38 , H01L2924/386 , H01L2924/00 , H01L2224/26 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L24/80 , H01L2224/80 , H01L2224/83

Abstract: 本发明涉及一种用于制造功率模块(10)的方法。该方法包括提供具有上侧(14)和下侧(16)的第一构件(12)；将包括第一材料(36)的第一层(28)直接沉积到第一构件(12)的上侧(14)上；将包括与第一材料(36)不同的第二材料(38)的第二层(30)直接沉积到第一层(28)上；提供具有上侧(20)和下侧(22)的第二构件(18)，将第二构件(18)的下侧(22)布置在第二层(30)上并通过对第一构件(12)的下侧(16)和/或第二构件(18)的上侧(20)加载预定的力(FN1，FN2)使第一构件(12)和第二构件(18)材料配合地连接。

4.

发明授权
复合焊料合金预制件有权

公开(公告)号：CN102883851B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180012879.6

申请日：2011-03-09

Applicant: 铟泰公司

Inventor： W·刘 , N-C·李

IPC: B23K35/02 , B23K35/26

CPC classification number: B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29083 , H01L2224/83101 , H01L2224/83801 , H01L2224/8381 , H01L2224/83825 , H01L2924/01322 , H01L2924/15747 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , H01L2924/00

Abstract: 本发明的各种实施方式提供用于高温无Pb焊接应用的层状复合预制箔。层状复合预制箔由高熔点延展性金属或合金核心层和在核心层每一侧的低熔点焊料涂布层组成。在焊接期间，核心金属、液体焊料层和衬底金属反应并消耗低熔点焊料相，以形成高熔点金属间化合物相(IMC)。产生的焊接接头由被在衬底侧的IMC层包夹的延展性核心层组成。接头具有比初始焊料合金涂层的原始熔化温度高得多的再熔化温度，允许随后装配封装的器件。

5.

发明公开
接合方法、电子装置的制造方法和电子部件有权

公开(公告)号：CN104245203A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380012347.1

申请日：2013-02-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中野公介 , 高冈英清

IPC: B23K1/00 , C22C9/01 , C22C13/00 , C22C13/02 , B23K1/19 , H01L21/52 , H01L21/60 , H05K3/34 , B23K35/26 , B23K101/40 , C22C9/00

CPC classification number: B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/19 , B23K35/0216 , B23K35/0233 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/0266 , B23K35/222 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2101/42 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/04 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05647 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32227 , H01L2224/32507 , H01L2224/83101 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2924/01322 , H01R4/02 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K13/0465 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/0103 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , B23K1/00 , B23K2101/40 , H01L24/00 , H01L2021/60007 , H05K3/34

Abstract: 本发明提供一种在确保充分的接合强度的同时将第1金属部件和第2金属部件接合且能抑制、防止温阶连接的再回流焊等阶段中的接合材料流出的接合方法等。在将由第1金属构成的第1金属部件(11a)和由第2金属构成的第2金属部件(11b)介由含有比第1和/或第2金属熔点低的低熔点金属的接合材料(10)进行接合时，使构成接合材料的低熔点金属为Sn或含Sn合金，第1和第2金属中的至少一方为会与构成接合材料的低熔点金属之间生成金属间化合物12的金属或合金，在将接合材料配置在第1金属部件和第2金属部件之间的状态下，在上述低熔点金属熔融的温度下进行热处理。

6.

发明授权
半导体模块失效转让

公开(公告)号：CN102593091B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201210013261.8

申请日：2012-01-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢 , 奥村知巳 , 三好达也

IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/433 , H01L21/48

CPC classification number: H01L23/4334 , H01L23/3142 , H01L23/473 , H01L23/492 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/06181 , H01L2224/27013 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/83801 , H01L2224/8381 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/3656 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/37099

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块，其包括：金属块；半导体装置，其经由焊料层而安装于所述金属块的表面的半导体装置安装区域中；以及模压部，其通过在所述金属块和所述半导体装置上对树脂进行模压而形成；其中所述金属块的所述表面包括电镀区域和粗化区域，并且所述半导体装置安装区域设置在所述电镀区域中。

7.

发明公开
双相介金属互连结构及其制作方法有权复审申请

公开(公告)号：CN103715178A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201210459988.9

申请日：2012-11-15

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 张景尧 , 张道智 , 庄东汉 , 李俊彦

IPC: H01L23/538 , H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/76885 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29005 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/83065 , H01L2224/8309 , H01L2224/83091 , H01L2224/83097 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/8381 , H01L2224/83825 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/00 , H01L2924/206 , H01L2924/00014

Abstract: 一种双相介金属互连结构及其制作方法。所述双相介金属互连结构介于芯片与载板之间，包括第一介金属相、第二介金属相、第一焊接金属层以及第二焊接金属层。第二介金属相包覆第一介金属相，且第一介金属相与第二介金属相含有不同的高熔点金属。第一焊接金属层与第二焊接金属层分别配置于第二介金属相的相对两侧，其中第一介金属相是用以填补第二介金属相形成时产生的微孔洞缺陷。

8.

发明授权
发光二极管芯片固晶方法、固晶的发光二极管及芯片结构有权

公开(公告)号：CN102104090B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201010504210.6

申请日：2010-10-08

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林修任 , 林建宪 , 郑佳申 , 陈効义

IPC: H01L33/00 , H01L33/62

CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/29 , H01L2224/8381 , H01L2224/83825 , H01L2924/14 , H01L2924/00

Abstract: 一种发光二极管芯片固晶方法、固晶的发光二极管及芯片结构，发光二极管芯片的固晶方法，适于将发光二极管芯片固晶于一基体上。发光二极管芯片具有第一金属薄膜层。芯片结构包括有一芯片及一固晶材料层，固晶材料层设置于芯片的一侧面上。固晶方法包含形成第二金属薄膜层于基体表面；形成固晶材料层于第二金属薄膜层；置放发光二极管芯片于固晶材料层并使第一金属薄膜层与固晶材料层接触；以一液固反应温度加热固晶材料层一预固时间，以形成第一介金属层及第二介金属层；以及以一固固反应温度加热固晶材料层一固化时间，以进行固固反应。上述液固反应温度及固固反应温度均低于110℃，且固固反应后的第一、二介金属层的熔点高于200℃。