公开(公告)号：CN108538711A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810456225.6

申请日：2013-08-06

Applicant: 阿沃吉有限公司

Inventor： 聂辉 ,  唐纳德·R·迪斯尼 ,  伊舍克·C·克孜勒亚尔勒

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/83 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于使用工程化衬底的氮化镓电子器件的方法和系统，所述方法包括提供包括第III族氮化物籽层的工程化衬底，形成耦接至所述第III族氮化物籽层的GaN基功能层，形成电耦接至所述GaN基功能层的至少一部分的第一电极结构。该方法还包括在所述GaN基功能层的与工程化衬底相反一侧结合载体衬底，以及移除所述工程化衬底结构的至少一部分。该方法进一步包括形成电耦接至所述GaN基功能层的至少另一部分的第二电极结构以及移除所述载体衬底。

公开(公告)号：CN108369912A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580085210.8

申请日：2015-12-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浜口卓也 ,  中田洋辅 ,  中野诚也 ,  多留谷政良

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/52 ,  H01L24/32 ,  H01L29/45 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/37001

Abstract: 在半导体衬底(1)之上形成有铝电极(2)。焊料连接用的金属膜(3)形成于铝电极(2)之上。有机保护膜(4)在铝电极(2)之上与金属膜(3)分离地形成。有机保护膜(4)与金属膜(3)的间隔大于或等于有机保护膜(4)的厚度的一半。由此，即使在烧结接合时有机保护膜(4)发生变形，其应力也不会传递至金属膜(3)。因此，能够防止焊料连接用的金属膜(3)破裂。

公开(公告)号：CN108352377A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064173.7

申请日：2016-12-07

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： G·迪克斯 ,  R·L·叶奇 ,  F·马齐利

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/42 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0652 ,  H01L28/00 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 本发明的教示可应用于电容器的制造及设计。在这些教示的一些实施例中，电容器可形成于重掺杂衬底上。例如，一种用于制造电容器的方法可包含：在重掺杂衬底的第一侧上沉积氧化物层；在所述氧化物层上沉积第一金属层；及在所述重掺杂衬底的第二侧上沉积第二金属层。

公开(公告)号：CN104541373B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201380042559.4

申请日：2013-08-06

Applicant: 阿沃吉有限公司

Inventor： 聂辉 ,  唐纳德·R·迪斯尼 ,  伊舍克·C·克孜勒亚尔勒

IPC: H01L29/66

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/83 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括提供包括第III族氮化物籽层的工程化衬底，形成耦接至所述第III族氮化物籽层的GaN基功能层，形成电耦接至所述GaN基功能层的至少一部分的第一电极结构。该方法还包括在所述GaN基功能层的与工程化衬底相反一侧结合载体衬底，以及移除所述工程化衬底结构的至少一部分。该方法进一步包括形成电耦接至所述GaN基功能层的至少另一部分的第二电极结构以及移除所述载体衬底。

公开(公告)号：CN104798185B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380059808.0

申请日：2013-11-13

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 谷本智 ,  佐藤伸二 ,  谷泽秀和 ,  松井康平

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3)，且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23)，分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小哑铃截面构造体(4)。

公开(公告)号：CN104701285B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201510063568.2

申请日：2011-01-13

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林佳升 ,  蔡佳伦 ,  徐长生 ,  李柏汉

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/481 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种晶片封装体，晶片封装体包括半导体基底，具有第一表面和相对的第二表面。间隔层设置在半导体基底的第二表面下方，并且盖板设置在间隔层下方。形成凹陷部邻接半导体基底的侧壁，由半导体基底的第一表面至少延伸至间隔层。然后，保护层设置在半导体基底的第一表面之上以及凹陷部内。本发明可提升晶片封装体的信赖性，并避免导线层产生脱层现象。

公开(公告)号：CN104603934B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201380044807.9

申请日：2013-08-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  米田裕 ,  大西良孝 ,  菅原济文

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

CPC classification number: H05K1/0203 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/4024 ,  H01L2224/4118 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16172 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/92252 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2076

Abstract: 本发明具备：传热板(4)，隔着绝缘层(8)接合散热部件(9)；印制基板(3)，相对传热板(4)隔开规定的间隔地配置，在外侧面形成了的电极图案(32)的附近设置了开口部(3a)；电力用半导体元件(2)，配置于传热板(4)与印制基板(3)之间，背面与传热板(4)接合；以及布线部件(5)，一端与在电力用半导体元件(2)的表面形成了的主电力用电极(21C)的第1接合部接合，另一端与第2接合部(32p)接合，构成为在从主电力用电极(21C)朝向印制基板(3)地在垂直方向上延伸的空间中放入第2接合部(32p)的至少一部分，并且在从开口部(3a)起在垂直方向上延伸的空间中包含第1接合部。

公开(公告)号：CN104425394B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201410436888.3

申请日：2014-08-29

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 蔡曜骏 ,  许镇鹏 ,  温士逸 ,  杨季瑾 ,  胡鸿烈

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  G02B6/12 ,  G02B6/34 ,  G02B2006/12061 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/60 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/861 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48148 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/026 ,  H01S5/34 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明公开一种基板、其制造方法及其应用，该基板包括基材、两个导体结构以及至少一二极管。两个导体结构分别从基材的第一表面，经由贯穿基材的两个穿孔，延伸到基材的第二表面。至少一二极管埋入于所述穿孔其中之一的一侧壁的基材中。

公开(公告)号：CN103855037B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201310625260.3

申请日：2013-11-28

Applicant: 同和金属技术有限公司

Inventor： 砂地直也 ,  小山内英世 ,  栗田哲

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/4857 ,  C23C24/106 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83395 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/203 ,  Y10T428/12472 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种电子部件安装基板，包括：大致具有矩形平面形状的铝或铝合金的（用于安装电子部件的）金属板（10），该金属板（10）的一个主面经表面处理从而具有不低于0.2微米的表面粗糙度；形成在金属板（10）的一个主面上的镍或镍合金的镀膜（20）；通过（含有银的烧结体的）银粘接层（12）与镀膜（20）相接合的电子部件（14）；大致具有矩形平面形状的陶瓷基板（16），该陶瓷基板（16）的一个主面与金属板（10）的另一主面相接合；以及与陶瓷基板（16）的另一主面相接合的散热金属板（金属底板）（18）。

公开(公告)号：CN104520976B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201380041827.0

申请日：2013-03-11

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 植田充彦 ,  佐名川佳治 ,  明田孝典 ,  林真太郎

IPC: H01L21/52 ,  B23K20/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  B23K20/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在基板上安装多个芯片的安装方法，包括在基板上临时地接合所述多个芯片中每个的临时接合过程，以及在基板上牢固地接合临时接合在基板上的所述多个芯片中每个的主要接合过程。在临时接合过程中，包括第一步骤和第二步骤的第一基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第一步骤中，基板(1)中的第一金属层和芯片中的第二金属层被定位。在第二步骤中，第二金属层和第一金属层通过固相扩散接合而临时地接合。在主要接合过程中，包括第三步骤和第四步骤的第二基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第三步骤中，识别临时接合于基板的芯片的位置。在第四步骤中，通过液相扩散接合使第二金属层和第一金属层经受主要接合。