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公开(公告)号:CN104471693B
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201380037938.4
申请日:2013-07-01
Applicant: 库利克和索夫工业公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/432 , H01L2224/45099 , H01L2224/451 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/4845 , H01L2224/48465 , H01L2224/78301 , H01L2224/78611 , H01L2224/78621 , H01L2224/85045 , H01L2224/851 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85365 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01049
Abstract: 一种形成一导线互连结构的方法包含以下步骤:(a)利用一导线接合工具形成一导线接合于一基板上之一接合位置处;(b)使与该导线接合接续之一段导线延伸至另一位置;(c)利用该导线接合工具将该段导线之一部分压抵于该另一位置上;(d)将该导线接合工具、以及该段导线之该被压抵部分移动至该导线接合上方之一位置;以及(e)使该段导线在该被压抵部分处自一导线供应源分离,藉此提供接合至该接合位置之一导线互连结构。
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公开(公告)号:CN105103279B
公开(公告)日:2018-03-23
申请号:CN201480019763.9
申请日:2014-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K101/40 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/012 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2101/42 , B23K2103/56 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/051 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/2932 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/45124 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01034 , H01L2924/01015 , H01L2924/0103 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01038 , H01L2924/01052 , H01L2924/013
Abstract: 焊料接合层具有分散于基质的微粒状的多个第二结晶部(22)在第一结晶部(21)之间的晶粒边界析出的结构。第一结晶部(21)是以预定比例包括锡和锑的多个Sn晶粒。第二结晶部(22)由以相对于Sn原子以预定比例包括Ag原子的第一部分、或者相对于Sn原子以预定比例包括Cu原子的第二部分构成,或者由该第一部分和第二部分构成。另外,焊料接合层也可以具有作为相对于Sn原子以预定比例包括Sb原子的晶粒的第三结晶部(23)。由此,能够以低融点进行焊料接合、具有实质上均匀的金属组织、形成可靠性高的焊料接合层。
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公开(公告)号:CN103789568B
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201410054839.3
申请日:2014-02-18
Applicant: 浙江佳博科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/12041 , H01L2924/01079 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01205 , H01L2924/0102 , H01L2924/01034 , H01L2924/01045 , H01L2924/01004 , H01L2924/01027 , H01L2924/01049 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005
Abstract: 本发明提供一种合金键合丝及其制备方法,所述合金键合丝的成分和重量含量为:金5‑10%,铝1‑5%,镍0.5‑5%,其余为纯度≥99.999wt%的银。本发明提供的合金键合丝成本低廉、键合性能优良、在高速键合条件下不断线、机械性能强,可用于集成电路、大规模集成电路、分立器件、LED封装。
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公开(公告)号:CN107533988A
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201680022381.0
申请日:2016-03-16
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
Inventor: 稻叶明
IPC: H01L21/60 , B05D3/00 , B05D7/14 , H01C1/14 , H01F27/29 , H01G2/06 , H01G4/232 , H01G4/248 , H01G4/30
CPC classification number: H01L24/32 , B05D3/007 , B05D7/14 , H01C1/14 , H01F27/29 , H01G2/065 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/248 , H01G4/30 , H01L24/83 , H01L2224/3223 , H01L2224/83851 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207
Abstract: 一种电气部件,该电气部件包含端电极(104,105)和在该端电极上形成的热熔性聚合物层(即,焊膏),其中该热熔性聚合物层包含(i)100重量份的金属粉末和(ii)1至30重量份的热塑性聚合物,其中该聚合物的熔体质量流动速率(MFR)在120℃至200℃和0.3至8kgf下为0.5至20g/10min。
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公开(公告)号:CN104681503B
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201510085057.0
申请日:2009-08-26
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H05K3/423 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H05K3/426 , H05K3/445 , H05K2201/09563 , H05K2203/1476 , H05K2203/1492 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种贯通电极基板和使用贯通电极基板的半导体装置,在该贯通电极基板中,提高了将基板的表面和背面导通的导通部中的电特性。本发明的贯通电极基板(100)具备具有贯通表面和背面的贯通孔(104)的基板(102);和填充在贯通孔(104)内并含有金属材料的导通部(106),导通部(106)至少包含面积加权后的平均晶粒直径为13μm以上的金属材料。另外,导通部(106)包含晶粒直径为29μm以上的金属材料。此外,导通部的一端含有面积加权后的平均晶粒直径比13μm小的金属材料,导通部的另一端至少含有面积加权后的平均晶粒直径为13μm以上的金属材料。
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公开(公告)号:CN102470472B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201080032990.7
申请日:2010-07-21
Applicant: 贺利氏材料工艺有限责任两合公司
CPC classification number: B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K35/362 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/29499 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/83948 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/20751 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于电子部件与基板的材料锁合连接的方法,此方法包括a)提供具有要连接的第一表面的电子部件和具有要连接的第二表面的基板,b)将焊膏施加到至少一个所述要连接的表面上,c)布置该电子部件和基板以使要连接的第一电子部件表面和要连接的第二基板表面通过焊膏接触,和d)焊接来自c)的布置以产生电子部件与基板之间的材料锁合连接,其特征在于,该焊膏含有(i)10‑30重量%铜粒子,(ii)60‑80重量%至少一种选自锡和锡‑铜合金的材料的粒子,和(iii)3‑30重量%助焊剂,其中该铜粒子和至少一种选自锡和锡‑铜合金的材料的粒子的平均粒径不大于15微米,且其中所施加的焊膏层的厚度为至少20微米。
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公开(公告)号:CN105671355B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201610235857.0
申请日:2016-04-15
Applicant: 浙江佳博科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/0102 , H01L2924/01058 , H01L2924/01026 , H01L2924/01041 , H01L2924/01028 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/01049
Abstract: 本发明提供了一种低成本合金键合丝及其制备方法与应用,该合金键合丝通过采用高纯银为基材,添加金、钯、钙、铈、铁、铌、镍等元素,并在合理分析和大量研究的基材上确定上述各组分的最适宜用量,使得合金中的各元素间产生协同促进作用,从而能够获得一种强度高、韧性好、适于高速键合的高性能合金键合丝。经试验证明,本发明的合金键合丝具有较低的电阻率及良好的导热性和机械性能,其抗拉强度优于同等线径的传统合金键合丝,且本发明的合金键合丝的材料成本仅为黄金线材的1/8,总体销售价格仅为同规格金线的1/5,大幅降低了LED及IC封装的制造成本,因而本发明的合金键合丝是分立器件和集成电路封装领域的首选材料。
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公开(公告)号:CN104602862B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201280075513.8
申请日:2012-06-30
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: H01L24/13 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/0261 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01B1/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1301 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H05K3/3457 , H05K2203/041 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种焊料球,其为抑制焊料球接合界面的界面剥离、并且抑制焊料球与焊膏之间产生的未熔合的焊料球,为镀Au等的Ni电极部与在Cu上涂布有水溶性预焊剂的Cu电极部均可使用的焊料球。本发明是一种无铅焊料球,其为Ag1.6~2.9质量%、Cu0.7~0.8质量%、Ni0.05~0.08质量%、余量为Sn的BGA、CSP的电极用无铅焊料球,无论被接合的印刷电路板为Cu电极,还是表面处理使用镀Au、镀Au/Pd的Ni电极,耐热疲劳性和耐落下冲击性这二者均优异。进而,也可以在该组成中以总计0.003~0.1质量%添加1种以上选自Fe、Co、Pt的元素,或者以总计0.003~0.1质量%添加1种以上选自Bi、In、Sb、P、Ge的元素。
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公开(公告)号:CN104513632B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201410521172.3
申请日:2014-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/04 , C09J9/02 , H01B5/14
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2712 , H01L2224/29005 , H01L2224/29083 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/0665 , H01L2924/15788 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/30101 , H05K3/323 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/05341 , H01L2924/0542 , H01L2924/0103 , H01L2924/0532 , H01L2924/01012 , H01L2924/05342 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/053 , H01L2924/01083 , H01L2924/0536 , H01L2924/01042 , H01L2924/0535 , H01L2924/01023 , H01L2924/01041 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01006
Abstract: 本发明公开了一种各向异性导电膜和一种使用所述各向异性导电膜的半导体装置。所述各向异性导电膜具有三层结构,包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层,所述三层以此顺序依序堆叠。所述各向异性导电膜可通过调整所述各别层的流动性使得终端之间的空间可由所述绝缘层充分填充且可抑制导电粒子向所述空间中流出来防止终端之间短路并具有提高的连接可靠性。
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公开(公告)号:CN102468197B
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201110058357.1
申请日:2011-02-21
Applicant: 新科金朋有限公司 , 星科金朋(上海)有限公司
Inventor: R·D·彭德塞
IPC: H01L21/60 , H01L21/50 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L25/00
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/1134 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13099 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1601 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/27013 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81345 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H05K3/325 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及形成倒装芯片互连结构的方法。一种半导体器件具有半导体管芯,该半导体管芯具有形成在半导体管芯的有源表面上的多个凸块或互连结构。凸块可以具有可熔部分和非可熔部分,例如导电柱和形成在导电柱上的凸块。具有互连部位的多个导电迹线形成在衬底上。凸块宽于互连部位。掩蔽层形成在衬底的远离互连部位的区域上。凸块在压力或回流温度下被结合到互连部位,使得凸块覆盖互连部位的顶面和侧面。密封剂沉积在管芯与衬底之间的凸块周围。掩蔽层可以形成坝状物以阻挡密封剂延伸到半导体管芯之外。凸起体可以形成在互连部位或凸块上。
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