Patent search cpc:"H01L2224/83455" Page 1

1.

发明授权
功率模块有权

公开(公告)号：CN104885206B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201380066872.1

申请日：2013-12-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 大桥东洋 , 长友义幸 , 长瀬敏之 , 黑光祥郎

IPC: H01L21/52 , B23K35/26 , C22C13/00

CPC classification number: H05K7/02 , B23K35/0272 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B23K2101/42 , B32B15/017 , C22C13/00 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L23/488 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/13055 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105

Abstract: 本发明的功率模块中，在电路层(12)中与半导体元件(3)的接合面，设置有由铜或铜合金构成的铜层，且在电路层(12)与半导体元件(3)之间形成有使用焊锡材料而形成的焊锡层(20)。在焊锡层(20)中的从电路层(12)表面至厚度30μm的区域中，通过EBSD测定而测定的平均结晶粒径被设定为10μm以下，焊锡层(20)的组成为，作为主成分含有Sn，并且含有0.01质量％以上1.0质量％以下的Ni、0.1质量％以上5.0质量％以下的Cu，在功率循环试验中，在通电时间5秒、温度差80℃的条件下负载10万次功率循环时，热阻上升率低于10％。

2.

发明授权
具有被结合到金属箔的半导体管芯的半导体模块有权

公开(公告)号：CN104835746B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510071017.0

申请日：2015-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.海因里希 , P.帕尔姆 , T.西姆贝克 , H.托维斯滕

IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/498 , H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4832 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/06181 , H01L2224/24246 , H01L2224/27831 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2918 , H01L2224/2926 , H01L2224/29393 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/83005 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83931 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01013 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20644 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2224/19 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023

Abstract: 具有被结合到金属箔的半导体管芯的半导体模块。一种制造半导体模块的方法包括提供包括被附着于金属层的金属箔的金属复合材料衬底，该金属箔比金属层更薄且包括与之不同的材料，在将金属箔结构化之前将多个半导体管芯的第一表面附着于金属箔，并将被附着于金属箔的半导体管芯装入电绝缘材料中。在用电绝缘材料包住半导体管芯之后将金属层和金属箔结构化，使得电绝缘材料的表面区没有金属箔和金属层。沿着没有金属箔和金属层的表面区划分电绝缘材料以形成单个模块。

3.

发明公开
金属粒子膏糊、使用了其的固化物及半导体装置无效

公开(公告)号：CN107262958A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710589627.9

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平塚大祐 , 井口知洋 , 内田雅之

IPC: B23K35/26 , B23K35/28 , B23K35/30 , B23K35/32 , B23K35/36 , B23K35/362 , B23K35/24 , B22F1/00 , C22C1/04 , H01L23/373 , H01L21/48 , H01L23/488

CPC classification number: B23K35/025 , B22F1/0003 , B22F1/0018 , B22F1/0074 , B22F2999/00 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K35/282 , B23K35/286 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/32 , B23K35/322 , B23K35/325 , B23K35/3601 , B23K35/362 , C22C1/0491 , C22C5/06 , H01L21/4867 , H01L23/3737 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0381 , H01L2224/04026 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2732 , H01L2224/2741 , H01L2224/2744 , H01L2224/29006 , H01L2224/29294 , H01L2224/29313 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2936 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29371 , H01L2224/29372 , H01L2224/29373 , H01L2224/29376 , H01L2224/29378 , H01L2224/2938 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/832 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/8322 , H01L2224/83411 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/8384 , H01L2924/01102 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1067 , H01L2924/12044 , H01L2924/15787 , H01L2924/0543 , H01L2924/01031 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , B22F1/0022

Abstract: 本发明提供了包含极性溶剂、分散在所述极性溶剂中且包含第一金属的粒子、和溶解在所述极性溶剂中且与所述第一金属不同的第二金属的金属粒子膏糊，所述极性溶剂选自由醇、二醇醚、酯、氨基化合物、脂肪族烃、和芳香族烃组成的组中，所述第二金属以有机金属化合物或盐的形式添加。本发明还提供了使用了该金属粒子膏糊的固化物及半导体装置。

4.

发明授权
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102437130B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110375028.X

申请日：2007-11-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田靖 , 冈本正英

IPC: H01L23/00 , H01L23/48 , H01L21/60 , C22C18/04

CPC classification number: H01L23/49582 , B23K20/02 , B23K20/04 , B23K35/0238 , B32B15/017 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/12736 , Y10T428/31678 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有第一部件、第二部件以及将所述第一部件和所述第二部件接合的连接材料。所述连接材料具有：Al系层、在所述Al系层和所述第一部件之间设置的第一Zn-Al系层以及在所述Al系层和所述第二部件之间设置的第二Zn-Al系层。通过使用该连接材料，在连接时能够抑制连接材料的表面的Al氧化膜的形成，能够得到用Zn-Al合金不能得到的良好的浸润性。另外，在接合后存留有Al系合金层的场合，由于柔软的Al作为应力缓冲材料发挥功能，所以能够得到很高的接合可靠性。

5.

发明公开
金属构件及其表面加工方法、半导体装置及其制造方法、复合成型体有权

公开(公告)号：CN105722633A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480060594.3

申请日：2014-11-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小林涉 , 林英二 , 神田和辉

IPC: B23K26/00 , B23K26/359 , H01L21/50 , H01L21/52

CPC classification number: B23K26/359 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/354 , B23K26/355 , B23K26/3584 , B23K2101/40 , B23K2103/08 , H01L21/4821 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2924/40102 , H01L2924/014 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的在于通过较以往为低能量密度的能量束来形成能够确保金属构件与其他构件的密合性的粗糙面或者可以抑制金属构件中的软钎料的扩散的粗糙面。本发明的基材(21)的表面上设有金属薄膜(22)的金属构件(2)的表面加工方法具有通过对所述金属薄膜的表面(22a)以脉冲宽度为1μ秒以下照射能量密度为100J/cm2以下的脉冲振荡的激光束、从而使所述金属薄膜的表面部分熔融或蒸发、在所述熔融或蒸发之后使所述金属薄膜的表面部分凝固、从而将所述金属薄膜的表面进行粗糙化，所述金属薄膜由以Ni、Au、Pd、Ag中的至少1种为主成分的材料所构成。

6.

发明公开
Bi基钎料合金和使用其的电子部件的接合方法以及电子部件安装基板无效

公开(公告)号：CN105531075A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480050538.1

申请日：2014-08-27

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 永田浩章

IPC: B23K35/26 , C22C1/02 , C22C12/00 , H01L21/52 , H05K3/34

CPC classification number: H05K3/3457 , B23K35/26 , B23K35/264 , C22C1/02 , C22C1/03 , C22C12/00 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29113 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83455 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K1/09 , H05K1/181 , H05K3/341 , H01L2224/45099 , H01L2924/01013 , H01L2924/01047 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/0105 , H01L2924/0103 , H01L2924/01052 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/20107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在Bi-Ag中含有特定量的Al，使含Ag与Al的金属间化合物的粒子分散在钎料合金内而形成的Bi基钎料合金，和使用该Bi基钎料合金的经镀Ag处理的电子部件或裸Cu框架电子部件或经镀Ni处理的电子部件等的接合方法，以及电子部件安装基板。还提供一种Bi基钎料合金等，其特征在于，其为含有Ag和Al，实质上不含有Pb，Bi的含有率在80质量％以上，并且熔点的固相线在265℃以上，液相线在390℃以下的Bi基钎料合金，Ag的含量为0.6-18质量％，而且，Al的含量为0.1-3质量％并且为Ag的含量的1/20-1/2，使含有Ag与Al的金属间化合物的粒子分散在钎料合金内而形成。