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公开(公告)号：CN1790682B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200510119444.8
申请日：2005-11-10
Applicant: 日本冲信息株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , B41J2/45 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L27/153 , H01L2224/27444 , H01L2224/2747 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29114 , H01L2224/29117 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/32502 , H01L2224/83005 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8382 , H01L2224/83825 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/10349 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/00014 , H01L2924/01007 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体复合装置，它包括半导体薄膜层(105，501，806)以及基板(101，503，801)。半导体薄膜层(105，501，806)和基板被形成在半导体薄膜层与基板之间的高熔点金属和低熔点金属的合金层(121+122，511+512，911+912)彼此键合。此合金的熔点高于低熔点金属(104，404，804)的熔点。合金层(121+122，511+512，911+912)包含低熔点金属(104，404，804)与所述半导体薄膜层(105，501，806)的材料反应产生的产物(122，511，912)。
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公开(公告)号：CN107316820A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710478803.1
申请日：2017-06-22
Applicant: 中科迪高微波系统有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L2224/8301 , H01L2224/83013 , H01L2224/83805
Abstract: 本发明公开了一种微波芯片共晶焊接的工艺方法，包括：步骤1：清洗和烘干载体；步骤2：对载体进行等离子清洗；步骤3：设置共晶焊接参数；步骤4：放置并固定载体；步骤5：放置预成型金锡焊片；步骤6：放置微波芯片；步骤7：调整石英风管位置；步骤8：微波芯片共晶焊接；步骤9：焊接质量检测。该微波芯片共晶焊接的工艺方法操作简单、安全性高、具有通用性，并且适合小批量、多品种产品生产。
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公开(公告)号：CN103377956B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310129982.X
申请日：2013-04-15
Applicant: 亚太优势微系统股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材之表面，一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一锡层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆之质量，使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号：CN102543763A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110421727.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 甲骨文美国公司
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/50 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/27334 , H01L2224/27849 , H01L2224/29109 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/75 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75755 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83014 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83211 , H01L2224/83815 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16171 , H01L2924/16251 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01023 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032
Abstract: 公开了高功率密度芯片的金属热接合，给出了一种装配半导体封装的方法，包括通过反向溅射来清洁芯片的表面和排热器件的表面。该方法包括在目标接合区域上，顺序地涂敷芯片的表面和排热器件的表面以粘合剂层、阻挡层和保护层。芯片和排热器件被放入夹具内并预加热到目标温度。然后，金属热界面材料预制件被机械地碾压到芯片的表面上，并且第一和第二承载夹具被附接到一起，使得通过无焊剂工艺把芯片表面上的金属热界面材料层与排热器件的被涂敷表面接合。该方法包括在回流炉中加热被接合的承载夹具。
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公开(公告)号：CN108780826A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016398.X
申请日：2017-02-10
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L25/075 , H01L33/62
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L25/0756 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2224/81013 , H01L2224/81894 , H01L2224/81895 , H01L2224/81896 , H01L2224/83013 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2933/0016
Abstract: 提出一种光电子器件(50)，其具有半导体本体(10a-c)，所述半导体本体具有光学有源区域(12)；其还具有载体(60)和连接层对(30a-c)，所述连接层对具有第一连接层(32)和第二连接层(34)，其中：半导体本体设置在载体上，第一连接层设置在半导体本体和载体之间并且与半导体本体连接，第二连接层设置在第一连接层和载体之间，选自第一连接层和第二连接层中的至少一个层包含透射辐射的且能导电的氧化物，并且第一连接层和第二连接层至少局部地在一个或多个连接区域中直接彼此连接，使得连接层对参与半导体本体到载体上的机械联接。第一和/或第二连接层具有多个在相应的层之内彼此电绝缘的、能导电的子区域(80，82)，其中所述子区域中的至少两个子区域与半导体本体在光学有源区域的不同侧上能导电地连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104520976A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380041827.0
申请日：2013-03-11
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , B23K20/00 , H01L21/52 , H01L21/6836 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29011 , H01L2224/29012 , H01L2224/29013 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/3003 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/32501 , H01L2224/32505 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/75252 , H01L2224/75301 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75901 , H01L2224/7598 , H01L2224/8301 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83123 , H01L2224/83127 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83207 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/8383 , H01L2224/83906 , H01L2224/83907 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/10161 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种在基板上安装多个芯片的安装方法，包括在基板上临时地接合所述多个芯片中每个的临时接合过程，以及在基板上牢固地接合临时接合在基板上的所述多个芯片中每个的主要接合过程。在临时接合过程中，包括第一步骤和第二步骤的第一基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第一步骤中，基板(1)中的第一金属层和芯片中的第二金属层被定位。在第二步骤中，第二金属层和第一金属层通过固相扩散接合而临时地接合。在主要接合过程中，包括第三步骤和第四步骤的第二基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第三步骤中，识别临时接合于基板的芯片的位置。在第四步骤中，通过液相扩散接合使第二金属层和第一金属层经受主要接合。
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公开(公告)号：CN103548129A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201180071145.5
申请日：2011-08-30
Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L21/76251 , B23K20/021 , B23K20/023 , B23K35/001 , B23K35/0255 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2101/40 , H01L21/185 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/038 , H01L2224/0384 , H01L2224/04026 , H01L2224/05557 , H01L2224/05647 , H01L2224/0801 , H01L2224/08501 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/275 , H01L2224/27505 , H01L2224/278 , H01L2224/2784 , H01L2224/29019 , H01L2224/2908 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/3201 , H01L2224/325 , H01L2224/32501 , H01L2224/7565 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83345 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/1434 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/0105 , H01L2224/83
Abstract: 本发明涉及用于使第一固体衬底（1）与含有第一材料的第二固体衬底（2）粘合的方法，该方法通过下面的步骤，尤其是下面的顺序进行：-在第二固体衬底（2）上形成或施加含有第二材料的功能层（5），-使第一固体衬底（1）与第二固体衬底（2）在功能层（5）上接触，-将固体衬底（1、2）一起压制用于在第一和第二固体衬底（1、2）之间形成永久粘合，该粘合通过第一材料与第二材料的固体扩散和/或相变至少部分地得到增强，其中在功能层（5）上产生体积增加。在粘合过程中，没有或仅仅稍微超出了第一材料对第二材料的溶解度极限，从而尽可能避免金属间相的沉积并与此相反地形成混合晶体。第一材料可以是铜，而第二材料可以是锡。
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公开(公告)号：CN103377956A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310129982.X
申请日：2013-04-15
Applicant: 亚太优势微系统股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种基材的接合方法，包含:首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材的表面，一第二银层覆盖第二基材的表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一钖层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆的质量，使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号：CN103579155B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201310327642.8
申请日：2013-07-31
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/4814 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L23/48 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08148 , H01L2224/08221 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/13008 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13647 , H01L2224/27825 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29564 , H01L2224/2957 , H01L2224/29647 , H01L2224/3003 , H01L2224/30051 , H01L2224/33517 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8183 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8383 , H01L2224/9211 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01013 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953
Abstract: 本发明涉及一种制造用于热压键合的键合垫（100）的方法（200），其中，所述方法（200）具有提供步骤（202）和沉积步骤（204）。在所述提供步骤（202）中提供一具有半导体结构的载体材料（102），其中，所述载体材料（102）的最外部的边缘层构造成一布线金属层（106），用于电接触所述半导体结构。在所述沉积步骤（204）中将一单层的键合金属层（104）直接在所述布线金属层（106）的表面上进行沉积，用以制造所述键合垫（100）。
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公开(公告)号：CN104661786B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201280076109.2
申请日：2012-09-28
Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC: B23K20/02 , H01L23/488
CPC classification number: B32B37/16 , B23K20/02 , B23K20/023 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/24 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B38/0036 , B32B2309/025 , B32B2309/12 , B32B2311/12 , C23C14/24 , C23C16/44 , C23C28/02 , C25D5/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29644 , H01L2224/29647 , H01L2224/29664 , H01L2224/29666 , H01L2224/29684 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83099 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8382 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/2011 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 涂覆及接合衬底的方法。本发明涉及一种经由沉积第一材料而对第一衬底(1)涂覆第一扩散接合层(5)的方法，其在第一衬底(1)的第一表面(1o)上形成第一扩散接合层(5)，以使该第一扩散接合层(5)形成具有小于1μm的与该第一表面(1o)平行的平均粒直径H的粒表面。此外，本发明涉及一种采用以下步骤，尤其是以下流程将已如此涂覆的第一衬底(1)接合至具有第二扩散接合层(4)的第二衬底(3)的方法：‑使第一衬底(1)的第一扩散接合层(5)与第二衬底(3)的第二扩散接合层接触，‑将该衬底(1、3)压在一起而形成该第一及第二衬底(1、3)间的永久金属扩散接合。
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