公开(公告)号：CN107195609A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710593376.1

申请日：2015-05-20

Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

Inventor： 小山田哲哉 ,  宇野智裕 ,  出合博之 ,  小田大造

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L24/45 ,  C22C5/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45117 ,  H01L2224/45138 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45163 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。

公开(公告)号：CN106558506A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610649174.X

申请日：2016-08-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 矢岛明

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/14517 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/1712

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，提高半导体器件的可靠性。在半导体器件中，连接半导体芯片(CHP)和布线基板(WB)的凸块电极(BE2)包括将其周围用绝缘膜(17)包围的第1部分和从绝缘膜(17)露出的第2部分。能够在增加凸块电极(BE2)的高度的同时，减小凸块电极(BE2)的宽度，所以能够增加与相邻的凸块电极(BE2)的距离，密封材料(UF)的填充性提高。

公开(公告)号：CN104285280B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380013561.9

申请日：2013-02-12

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 杰斯皮德·S·甘德席

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/0538 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一些实施例包含一种平坦化方法。横越半导体衬底且沿着从所述衬底向上延伸的柱而形成衬层。在所述衬层上和所述柱之间形成有机填充材料。形成横越所述柱和横越所述衬层和所述填充材料中的一或两者而延伸的平坦化表面。一些实施例包含一种半导体构造，其含有半导体裸片。导电柱延伸穿过所述裸片。所述柱具有位于所述裸片的背侧表面上方的上表面，且具有在所述背侧表面与所述上表面之间延伸的侧壁表面。衬层横越所述裸片的所述背侧表面且沿着所述柱的所述侧壁表面。导电盖位于所述柱的所述上表面上，且具有沿着与所述柱的所述侧壁表面邻近的所述衬层的边缘。

公开(公告)号：CN103681568B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310397219.5

申请日：2013-09-04

Applicant: 赫劳斯材料工艺有限及两合公司

Inventor： J-S·柳 ,  E-K·郑 ,  Y-D·卓

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/48 ,  C22C5/06

CPC classification number: B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  B23K2101/36 ,  B23K2101/40 ,  B23K2101/42 ,  C22C5/06 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12041 ,  H05K7/02 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 本发明涉及用于接合应用的银合金引线。本发明涉及接合引线，该接合引线包括：具有表面的芯，其中所述芯包含银作为主要成分并包含选自金、钯、铂、铑、钌、镍、铜和铱的至少一者，该接合引线的特征在于其具有下述特性中的至少一个：i）所述芯的晶粒的平均尺寸为0.8μm-3μm，ii）在所述引线的横截面中具有 方向的取向的晶粒的量的范围为10-20%，iii）在所述引线的横截面中具有 方向的取向的晶粒的量的范围为5-15%，以及iv）在所述引线的横截面中具有 方向的取向的晶粒和具有 方向的取向的晶粒的总量的范围为15-40%。(56)对比文件Suk Min Baeck etc.《.Texture Analysisof Copper Bonding Wire》《.MaterialsScience Forum》.2002,第408-412卷全文.F.WULFF etc.《.Crystallographictexture of drawn gold bonding wires usingelectron backscattered diffraction(EBSD)》《.JOURNAL OF MATERIALS SCIENCELETTERS》.2003,第22卷全文.

公开(公告)号：CN103262227B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180056766.6

申请日：2011-11-18

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小柏俊典 ,  栗田昌昭 ,  西森尚 ,  兼平幸男

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4885 ,  B22F7/08 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/322 ,  B23K2101/40 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0194 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明涉及转印用基板，该转印用基板由基板、形成于所述基板上的至少一种金属布线材料、和形成于所述基板与所述金属布线材料之间的衬底金属膜构成，用于将所述金属布线材料转印至被转印物，其中，所述金属布线材料为将纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.01μm～1.0μm的金粉等烧结而成的成形体，所述衬底金属膜由金等金属或合金形成。该转印用基板即使将被转印物的加热温度设为80～300℃也可以将金属布线材料转印至被转印物。

公开(公告)号：CN105185718A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510486211.5

申请日：2010-10-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J.巴特 ,  M.希尔勒曼

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明描述了使用重组晶圆的半导体器件制造的方法和设备。在一个实施例中，将切割好的半导体芯片放置在框架上的开口内。通过将模塑料填充到所述开口中来形成重组晶圆。所述模塑料被形成在所述芯片周围。在所述重组晶圆内形成完成的小片。将完成的小片与所述框架分离。

公开(公告)号：CN105070706A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510407800.X

申请日：2010-07-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 铃木进也 ,  幕田喜一

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L24/17 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/13452 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0292 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明公开了半导体器件。特别是提供一种在构成LCD驱动器的长方形形状的半导体芯片中，通过改进短边方向的平面配置方案以缩短半导体芯片尺寸的技术。具体是：构成LCD驱动器的半导体芯片CHP2中，多个输入保护电路3a～3c布置在多个输入用突起电极IBMP中的一部分输入用突起电极IBMP的下层。另一方面，在多个输入用突起电极IBMP中的其他的输入用突起电极IBMP的下层不配置输入保护电路3a～3c，而是配置有SRAM2a～2c(内部电路)。

公开(公告)号：CN103415633B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201280012387.1

申请日：2012-02-15

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 加纳学

IPC: C22B15/14 ,  C22C9/00 ,  C22C9/08 ,  C25C1/00 ,  C25C1/12 ,  C25C7/04 ,  H01L21/60

CPC classification number: B23K35/302 ,  C22C9/00 ,  C22C9/08 ,  C25C1/12 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种铜或铜合金，其特征在于，α射线量为0.001cph/cm2以下。最近的半导体器件具有高密度化和高容量化，因此，受到来自于半导体芯片附近的材料的α射线的影响而发生软错误的危险增多。特别是，对于靠近半导体器件使用的铜或铜合金布线、铜或铜合金接合线、焊锡材料等的铜或铜合金的高纯度化的要求强烈，而且寻求α射线少的材料，因此，本发明的课题在于阐明铜或铜合金的α射线产生的现象并且得到能适应于所要求的材料的使α射线量降低后的铜或铜合金及以铜或铜合金作为原料的接合线。

公开(公告)号：CN103959448A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280056612.1

申请日：2012-11-08

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小柏俊典 ,  栗田昌昭 ,  西森尚 ,  兼平幸男

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K1/09 ,  H05K3/20

CPC classification number: H01L21/4814 ,  B22F7/08 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/322 ,  B23K2035/008 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/018 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C23C18/165 ,  C25D7/00 ,  H01L21/71 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/12056 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种转印用基板，包括基板、形成在所述基板上的至少一个金属配线原料、形成在所述金属配线原料的表面上的至少1层的覆盖层、形成在所述基板与所述金属配线原料之间的基底金属膜，用于使所述金属配线原料向被转印物转印，其中，所述金属配线原料是将纯度99.9重量％以上、平均粒径0.01μm～1.0μm的金粉等的金属粉末烧结而成的成形体，所述覆盖层是金等的规定的金属或合金，由与所述金属配线原料不同的组成的金属或合金构成，且其总厚度为1μm以下，所述基底金属膜由金等的规定的金属或合金构成。本发明的转印用基板在通过转印法在被转印物形成金属配线时，能够降低被转印物侧的加热温度。

公开(公告)号：CN102131882B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200980132606.8

申请日：2009-08-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川守崇司 ,  满仓一行 ,  增子崇 ,  加藤木茂树

IPC: C09J201/00 ,  C09J4/02 ,  C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  C09J179/08 ,  C09J201/06 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J4/00 ,  C08G73/1042 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/106 ,  C08G73/1082 ,  C08L63/00 ,  C08L79/08 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/20 ,  C08L2666/22 ,  C09J4/06 ,  C09J163/00 ,  C09J179/08 ,  G03F7/038 ,  G03F7/70383 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/31518 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及可以通过在被粘接物上形成粘接剂层并利用放射线施加曝光处理及利用显影液施加显影处理而形成粘接剂图案的感光性粘接剂组合物，上述感光性粘接剂组合物具有溶解显影性，并且显影后形成的上述粘接剂图案的膜厚T1(μm)满足下述式(1)所示的条件。(T1/T0)×100≥90...(1)[式(1)中，T0表示显影处理前的粘接剂层的膜厚(μm)。]