公开(公告)号：CN106847786B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201611094799.0

申请日：2016-12-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·迈尔 ,  K·普雷塞尔 ,  M·沃伊诺夫斯基

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L23/495 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/18162

Abstract: 电子装置(710)包括半导体封装结构(770)，半导体封装结构(770)具有第一主表面区域(772)和第二主表面区域(774)并包括半导体芯片(712)和连接器块(600)，半导体芯片(712)包括位于第二主表面区域(774)内的至少一个芯片垫(714)，连接器块(600)包括至少一个第一导电贯通连接部(602)和至少一个第二导电贯通连接部(604)，至少一个第一导电贯通连接部(602)和至少一个第二导电贯通连接部(604)以不同的横截面积(A1，A2)在第一主表面区域(772)与第二主表面区域(774)之间延伸并与半导体芯片(712)并排布置。

公开(公告)号：CN105374786B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201510504927.3

申请日：2015-08-17

Applicant: ABB瑞士股份有限公司

Inventor： 柳春雷 ,  迪迪埃·科泰 ,  弗兰齐斯卡·布雷姆 ,  斯拉沃·基钦

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H05K1/18 ,  H05K3/30

CPC classification number: H01L23/49861 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/071 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开内容描述了一种功率电子模块及其制造方法。该功率电子模块包括：导电引线框架，第一半导体器件的芯片嵌入在导电引线框架中；安装在导电引线框架和第一半导体器件的芯片之上的第一PCB；以及安装在所述PCB之上的支承框架，支承框架包括其中嵌入有第二半导体器件的芯片的腔，其中，第二半导体器件的芯片位于第一半导体器件的芯片之上，并且第一PCB包括在第一半导体器件的芯片与第二半导体器件的芯片之间的第一导电路径。

公开(公告)号：CN106328603B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610003814.X

申请日：2016-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡毓祥 ,  刘重希 ,  郭宏瑞 ,  廖思豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/32 ,  G03F7/0387 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/095 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/18162

Abstract: 一些实施例涉及用于形成封装件结构的方法并且由此形成的封装件结构。实施例方法包括：在支撑结构上沉积感光介电层；在感光介电层的表面上形成第一层；将感光介电层暴露于辐射；以及在形成第一层和暴露于辐射之后，显影感光介电层。支撑结构包括集成电路管芯。在显影期间，第一层具有与感光介电层不同的去除选择性。根据一些实施例，在显影之后可以提高感光介电层的厚度均匀性，并且可以减少因显影感光介电层导致的厚度损失。本发明实施例涉及封装件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN109791894A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780057483.0

申请日：2017-09-18

Applicant: 德卡科技公司

Inventor： 克拉格·必绍普 ,  克里斯多佛·M·斯坎伦

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/31 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01074

Abstract: 本发明公开一种半导体装置及方法可包括：测量在嵌入式晶粒面板内的多个半导体晶粒的各自的真实位置。确定多个半导体晶粒中的每个的总径向位移。通过根据优先级列表将总径向位移的一部分分步至每个层，将多个半导体晶粒的每个总径向位移分步至每个半导体晶粒的两个或更多层，以形成用于每一层的分布径向位移。可使用每一层的分布径向位移来变换用于多个半导体晶粒的每一层的变换。在多个半导体晶粒的每个上可形成单元特定图案，该单元特定图案含有用于多个层的每个的变换。

公开(公告)号：CN106158818B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610221935.1

申请日：2016-04-11

Applicant: 联发科技股份有限公司

Inventor： 蔡宪聪

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/43 ,  H01L24/46 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/2512 ,  H01L2224/25174 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/82

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装及其制作方法。其中该半导体封装包含有半导体晶粒、多个I/O垫、模封材和多个打印的内连结构。其中该多个I/O垫分布在该半导体晶粒的主动面上。其中，该模封材覆盖该半导体晶粒的主动面，并且该模封材的下表面与该半导体晶粒的下表面齐平。其中，该多个内连结构嵌入于该模封材中，并电连接该多个I/O垫。其中各个该打印的内连结构包含导电接线以及导电接垫，其中该导电接线与该导电接垫是一体成型的。该半导体封装，利用打印技术(如3D打印)来形成内连结构，因此可以提高半导体封装的良品率。

公开(公告)号：CN106298716B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610133708.3

申请日：2016-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  刘国全

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种器件包括：底部封装件，其包括：互连结构、位于互连结构上方的模塑料层、位于模塑料层中的半导体管芯和嵌入在模塑料层中的焊料层，其中，焊料层的顶面低于模塑料层的顶面，并且顶部封装件通过由焊料层和顶部封装件的凸块形成的接合结构接合在底部封装件上。本发明实施例涉及封装件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN104716127B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201410111063.4

申请日：2014-03-24

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/645 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种芯片封装结构，包括芯片、至少一感应线圈、封装胶体以及重配置线路层。芯片包括有源表面以及相对有源表面的背面。感应线圈环绕设置于芯片的周围区域。封装胶体覆盖芯片以及周围区域并暴露有源表面，且感应线圈配置于封装胶体上。重配置线路层覆盖有源表面以及部分封装胶体以及部分感应线圈，并电性连接芯片。

公开(公告)号：CN108656662A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810254962.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 安田浩之 ,  菅生道博 ,  加藤英人 ,  近藤和纪

IPC: B32B15/00 ,  B32B15/08 ,  B32B15/092 ,  B32B27/06 ,  B32B27/28 ,  B32B27/38

CPC classification number: H01L23/49838 ,  C08G8/04 ,  C08L63/00 ,  C09D161/12 ,  C23C14/205 ,  C23C14/34 ,  C25D3/38 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/50 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2924/00 ,  B32B15/00 ,  B32B15/08 ,  B32B15/092 ,  B32B27/06 ,  B32B27/28 ,  B32B27/281 ,  B32B27/38

Abstract: 提供层合体，其包括支撑体、树脂层、金属层、绝缘层和重布线层。树脂层包含具有遮光性质的光分解性树脂并且具有至多20％的对于波长355nm的光透射率。所述层合体易于制造并且具有耐热加工性，容易分离所述支撑体，并且有效生产半导体封装体。

公开(公告)号：CN108615710A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201710068494.0

申请日：2017-02-08

Applicant: 艾马克科技公司

Inventor： 韩意书 ,  李泰勇 ,  新及补

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L23/3107 ,  H01L21/56

Abstract: 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属平面，其在所述顶部衬底表面上，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。

公开(公告)号：CN108615687A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810751511.5

申请日：2013-05-03

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 颜瀚琦 ,  锺启生 ,  廖国宪 ,  叶勇谊

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552 ,  H01L25/16 ,  H01Q1/22 ,  H01Q9/04 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01L23/49805 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/0407 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体封装件，包括：一基板；一半导体芯片，设于该基板上；一封装体，包覆该半导体芯片；一电磁干扰屏蔽元件，形成于该封装体上；一介电结构，包覆该电磁干扰屏蔽元件；一天线元件，形成于该介电结构上；一馈入元件，连接该天线元件与该基板的一馈入接点；以及数个天线接地元件，设于该介电结构内且直接连接该天线元件与该电磁干扰屏蔽元件，其中该数个天线接地元件环绕该馈入元件。