公开(公告)号：CN103715161B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201310455546.1

申请日：2013-09-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张翠嶶 ,  J.赫格劳尔 ,  G.内鲍尔 ,  R.奥特伦巴

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37118 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37164 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15701 ,  H01L2924/15717 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099

Abstract: 芯片装置，芯片封装和用于制作芯片装置的方法。提供芯片封装。该芯片封装包括芯片载体，电压供应引线，感测端子和被设置芯片载体上的芯片。芯片包括第一端子和第二端子，其中第一端子电接触芯片载体。芯片封装也包括形成在第二端子上的导电元件，导电元件将第二端子电耦合到电压供应引线和感测端子。

公开(公告)号：CN103681542B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201310396680.9

申请日：2013-09-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.布鲁奇 ,  E.格里布尔 ,  R.奥特伦巴 ,  B.勒默尔

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/36 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/2105 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48618 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48718 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48818 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80903 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83902 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 芯片封装和用于制作芯片封装的方法。提供一种芯片封装，所述芯片封装包括：包括至少一个腔体的载体；至少部分地设置在至少一个腔体内的芯片；设置在芯片的至少一个侧壁上的至少一个中间层；其中至少一个中间层被配置为将来自芯片的热量热传导到载体。

公开(公告)号：CN103890976B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280050852.0

申请日：2012-10-17

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 水野英范 ,  牧田纪久夫

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/043

CPC classification number: H01L25/045 ,  C09J5/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2453/00 ,  H01L24/29 ,  H01L25/043 ,  H01L25/50 ,  H01L31/043 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/15788 ,  Y02E10/548 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供在界面确保优良的导电性及透明性并将半导体元件接合的方法以及基于该接合方法的接合结构。提供在界面确保优良的导电性并且能够进行有利于元件特性的光学特性的设计的半导体元件的接合方法以及基于该接合方法的接合结构。将未被有机分子覆盖的导电性纳米粒子无光学损失地配置于半导体元件的表面，使另一个半导体元件压接于该导电性纳米粒子上。

公开(公告)号：CN102403279B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110267260.1

申请日：2011-09-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.奥特伦巴

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/291

Abstract: 本发明涉及功率半导体芯片封装。一种器件包括具有外延层和体半导体层的竖直功率半导体芯片。第一接触焊盘布置于功率半导体芯片的第一主要面上，而第二接触焊盘布置于功率半导体芯片的与第一主要面相对的第二主要面上。该器件还包括附着到第二接触焊盘的导电载体。

公开(公告)号：CN104835746A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510071017.0

申请日：2015-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.海因里希 ,  P.帕尔姆 ,  T.西姆贝克 ,  H.托维斯滕

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83931 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023

Abstract: 具有被结合到金属箔的半导体管芯的半导体模块。一种制造半导体模块的方法包括提供包括被附着于金属层的金属箔的金属复合材料衬底，该金属箔比金属层更薄且包括与之不同的材料，在将金属箔结构化之前将多个半导体管芯的第一表面附着于金属箔，并将被附着于金属箔的半导体管芯装入电绝缘材料中。在用电绝缘材料包住半导体管芯之后将金属层和金属箔结构化，使得电绝缘材料的表面区没有金属箔和金属层。沿着没有金属箔和金属层的表面区划分电绝缘材料以形成单个模块。

公开(公告)号：CN102917835B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201180025835.7

申请日：2011-07-28

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 山口拓人 ,  冈本正英 ,  池田靖 ,  黑田洋光 ,  黑木一真 ,  秦昌平 ,  小田佑一

IPC: B23K35/22 ,  B23K1/00 ,  B23K35/14 ,  B23K35/26 ,  B23K35/28 ,  B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C22C18/00 ,  C22C18/02 ,  C22C21/00 ,  H01L21/52 ,  H05K3/34 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K35/0238 ,  B21B3/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/282 ,  B23K35/286 ,  B23K35/302 ,  B23K35/38 ,  B23K35/383 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/017 ,  B32B15/018 ,  C22C5/02 ,  C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/08 ,  C22F1/165 ,  H01L21/50 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12792 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明的目的在于，对于半导体元件与框架或基板的接合、或者金属板与金属板的接合，使用不使用铅的材料并且确保高可靠性。作为半导体元件与框架或基板的接合材料，通过使用Zn系金属层101由Al系金属层102a、102b夹持，并且Al系金属层102a、102b的外侧由X系金属层103a、103b（X=Cu、Au、Ag、Sn）夹持的层压材料作为接合材料，即使在高氧气浓度氛围中，表面的X系金属层也会在该接合材料熔融的时刻之前保护Zn和Al免遭氧化，可以保持该接合材料作为焊料的润湿性、接合性，可以确保接合部的高可靠性。

公开(公告)号：CN102364345B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110167479.4

申请日：2011-06-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.洪 ,  M.托本

IPC: G01R1/30 ,  G01R19/00 ,  G01R27/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/16

CPC classification number: H05K1/181 ,  G01R1/203 ,  H01L23/647 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0207 ,  H01L28/20 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H05K3/222 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2201/0969 ,  H05K2201/10022 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2203/173 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明涉及具有并联电阻的电路装置。本发明涉及一种具有装配有并联电阻（3）的电路载体（2）的电路装置。该装置包括：具有上侧（5a）的扁平绝缘载体（5）以及施加到该上侧（5a）上的结构化的金属化层（6）；第一功率半导体芯片（1），其布置在金属化层（6）的第一片段（61）上并且具有与第一片段（61）导电地连接的第一下芯片负载接线端子（11）。并联电阻（3）布置在金属化层（6）的第二片段（62）上并且具有与第二片段（62）导电连接的下主接线端子（31）。在第一片段（61）与第二片段（62）之间构造有导电连接（4），其包括构造在第一片段与第二片段之间的狭窄部（40），在电路装置运行时在第一下芯片负载接线端子（11）与下主接线端子（31）之间流动的电流必然经过狭窄部（40）。

公开(公告)号：CN104396011A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380033792.6

申请日：2013-05-27

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 池内宏树

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/645 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8482 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/92248 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在将与逆变器模块的P、U及N输出电极分别连接的铜电极棒彼此靠近并配置于芯片的上表面的现有结构中，未充分实现降低不需要的电感分量的目的。半导体装置包括：第1引线框(1)；第2引线框(2)；配置于第1引线框(1)与第2引线框(2)之间的第2绝缘树脂(8)；半导体元件(4a)和(4b)；将第1引线框(1)和第2引线框(2)进行密封的密封树脂(9)；将半导体元件(4a)和(4b)、与第1引线框(1)电连接的电布线部(5)；以及将第1引线框(1)和第2引线框(2)电连接的层间连接部(6)。

公开(公告)号：CN104245203A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380012347.1

申请日：2013-02-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中野公介 ,  高冈英清

IPC: B23K1/00 ,  C22C9/01 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  B23K1/19 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34 ,  B23K35/26 ,  B23K101/40 ,  C22C9/00

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/19 ,  B23K35/0216 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/0266 ,  B23K35/222 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/42 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/01322 ,  H01R4/02 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K13/0465 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  B23K1/00 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/00 ,  H01L2021/60007 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明提供一种在确保充分的接合强度的同时将第1金属部件和第2金属部件接合且能抑制、防止温阶连接的再回流焊等阶段中的接合材料流出的接合方法等。在将由第1金属构成的第1金属部件(11a)和由第2金属构成的第2金属部件(11b)介由含有比第1和/或第2金属熔点低的低熔点金属的接合材料(10)进行接合时，使构成接合材料的低熔点金属为Sn或含Sn合金，第1和第2金属中的至少一方为会与构成接合材料的低熔点金属之间生成金属间化合物12的金属或合金，在将接合材料配置在第1金属部件和第2金属部件之间的状态下，在上述低熔点金属熔融的温度下进行热处理。

公开(公告)号：CN103827353A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280047301.9

申请日：2012-09-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·古耶诺特 ,  A·法伊奥克 ,  M·里特纳 ,  C·弗吕 ,  T·卡利希 ,  M·京特 ,  F·韦茨尔 ,  B·霍恩贝格尔 ,  R·霍尔茨 ,  A·菲克斯

IPC: C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/00 ,  H01L25/00 ,  H05K1/00 ,  H05K3/00

CPC classification number: B23K35/0238 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B32B15/06 ,  B32B15/16 ,  B32B2264/105 ,  C23C26/00 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29213 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3478 ,  H05K2203/0405 ,  H05K2203/1131 ,  Y10T428/12049 ,  Y10T428/12063 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种复合层（10）、特别是用于将作为接合副的电子构件连接的复合层，其包括至少一个承载膜（11）和被施加在所述承载膜上的层组件（12），所述层组件包括至少一个被施加在所述承载膜（11）上的、包含至少一种金属粉末的可烧结的层（13）和被施加在所述可烧结的层（13）上的焊接层（14）。此外，本发明涉及一种用于形成复合层的方法、一种包括根据本发明的复合层（10）的电路组件以及复合层（10）在用于电子构件的接合方法中的应用。