公开(公告)号：CN109037185A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810822103.4

申请日：2018-07-24

Applicant: 天水华天科技股份有限公司

Inventor： 慕蔚 ,  李习周 ,  陈志祥 ,  李琦 ,  张易勒

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种引线框架及其超薄型小外形倒装封装件，属于微电子封装技术领域。其中引线框架包括若干呈矩阵式排列的引线框架单元，引线框架单元的内引脚设置为沙漏形排布，能够利用塑封料将芯片上的焊料凸点与内引脚上的电镀焊盘牢牢固定，减少热膨胀引力引起内引脚移动，导致电镀焊盘与内引脚接触不良的现象。应用该引线框架单元结合先进的倒装焊和3D堆叠封装技术取代传统的SOP/TSSOP封装技术，且采用可保证高可靠性的适配性工艺路线进行生产，可以得到电阻、电感和寄生电容值低，芯片内部阻性损耗和开关损耗小、发热量低的超薄型小外形倒装封装件，提高了高频封装产品的使用频率范围。

公开(公告)号：CN108701652A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014530.3

申请日：2017-02-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.法伊尔 ,  P.加尼切尔 ,  G.拉克纳 ,  J.米勒 ,  M.珀尔齐 ,  T.波尔斯特 ,  C.冯科布林斯基

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/8234 ,  H01L21/561 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49562 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 在实施例中，一种方法包括：在半导体晶片的第一表面的非器件区域中形成至少一个沟槽，所述非器件区域布置在部件位置之间，所述部件位置包括器件区域和第一金属化结构；将第一聚合物层施加到半导体晶片的第一表面，使得沟槽和部件位置的边缘区域被第一聚合物层覆盖，并且使得第一金属化结构的至少一部分未被第一聚合物层覆盖；去除半导体晶片的第二表面的部分，第二表面与第一表面相对，在非器件区域中露出第一聚合物层的部分并产生经加工的第二表面；以及在非器件区域中穿过第一聚合物层插入分离线，以形成多个分离的半导体管芯。

公开(公告)号：CN108292626A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580084799.X

申请日：2015-12-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·K·米勒 ,  P·莫罗 ,  K·俊 ,  P·B·菲舍尔 ,  D·潘图索

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1211 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16141 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种装置包括：电路结构，所述电路结构包括器件层；在器件层的第一侧上并且耦合到晶体管器件中的多个晶体管器件的一个或多个导电互连级；以及衬底，所述衬底包括耦合到所述一个或多个导电互连级的导电穿硅过孔，使得所述一个或多个互连层位于所述穿硅过孔和所述器件层之间。一种方法，包括：在衬底上形成多个晶体管器件，所述多个晶体管器件限定器件层；在所述器件层的第一侧上形成一个或多个互连级；去除衬底的一部分；以及将穿硅过孔耦合到所述一个或多个互连级，使得所述一个或多个互连级位于所述器件层和所述穿硅过孔之间。

公开(公告)号：CN105140136B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510438605.3

申请日：2010-03-11

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 林茂雄 ,  李进源 ,  罗心荣 ,  杨秉荣 ,  刘德笙

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC classification number: G06F1/16 ,  G11C5/147 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/50 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6666 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4918 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/85 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/07025 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/0231

Abstract: 本申请涉及使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片。本发明揭示集成电路芯片和芯片封装，其包含所述集成电路芯片的顶部处的过钝化方案和所述集成电路芯片的底部处的底部方案，所述过钝化方案和底部方案使用顶部后钝化技术和底部结构技术。所述集成电路芯片可通过所述过钝化方案或所述底部方案连接到外部电路或结构，例如球栅格阵列(BGA)衬底、印刷电路板、半导体芯片、金属衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。还描述相关的制造技术。

公开(公告)号：CN104737288B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201380052136.0

申请日：2013-10-03

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： B·M·亨德森 ,  C-G·谭 ,  G·A·尤维戈哈拉 ,  R·贾里泽纳里

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/525 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/60 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一个特征涉及至少包括第一集成电路(IC)管芯和第二IC管芯的多芯片模块。第二IC管芯具有通过穿板通孔电耦合至第一IC管芯的输入/输出(I/O)节点。第二管芯的有效表面还包括熔丝，该熔丝电耦合至I/O节点并适配成保护第二IC管芯不受由静电放电(ESD)所导致的损害。具体而言，该熔丝保护第二IC管芯不受可作为在多芯片模块的制造期间将第一管芯电耦合至第二管芯的结果而产生的ESD的损害。一旦将第一管芯耦合至第二管芯，熔丝就可将由ESD生成的ESD电流旁路至地。在封装多芯片模块完成之后，熔丝可被烧断。

公开(公告)号：CN107134430A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710234357.X

申请日：2017-02-28

Applicant: 商升特公司

Inventor： 黄昌俊 ,  J·克拉克

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/304 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0255 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8082 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296

Abstract: 本发明公开堆叠半导体管芯以用于系统级ESD保护的半导体装置和方法。一种半导体装置具有包括第一保护电路的第一半导体管芯。包括第二保护电路的第二半导体管芯被设置在第一半导体管芯上面。移除第一半导体管芯和第二半导体管芯的一部分以减小管芯厚度。形成互连结构以共同地连接第一保护电路和第二保护电路。使入射到互连结构的瞬变情况共同地通过第一保护电路和第二保护电路放电。具有保护电路的任何数目半导体管芯可以被堆叠并经由互连结构而互连以增加ESD电流放电能力。可以通过将第一半导体晶片设置在第二半导体晶片上面然后将晶片单片化来实现管芯堆叠。替换地，使用管芯到晶片或管芯到管芯组装。

公开(公告)号：CN103972226B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310331225.0

申请日：2013-08-01

Applicant: 稳懋半导体股份有限公司

Inventor： 高谷信一郎 ,  萧献赋 ,  林正国 ,  花长煌

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/66 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种化合物半导体集成电路，其具有表面以及/或背面金属层，可用于连接至外部电路。该化合物半导体集成电路晶片(第一晶片)包含一基板、一电子元件层以及一介电层。一第一金属层形成于该介电层的表面，一第三金属层则形成于基板背面。该第一金属层与第三金属层主要由铜所构成，且用于连接至其他外部的电子电路。第一晶片上的第一或第三金属层以三维的方式分布于第一晶片的电子元件上方或下方，一第二晶片可以设置堆叠于第一晶片的表面或背面，并通过第一或第三金属层电连接两个晶片上分隔的连接节点。

公开(公告)号：CN103681474B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310447344.2

申请日：2013-09-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J.P.甘比诺 ,  C.E.卢斯 ,  D.S.范斯莱特 ,  B.C.韦布

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L23/5384 ,  G06F17/5045 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L27/0207 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文公开了一种半导体结构及其制造方法、硬件描述语言设计结构，具体公开了形成在半导体材料上的穿透硅过孔(TSV)和接触体、制造方法以及设计结构。该方法包括在形成于基板上的电介质材料中形成接触孔。该方法还包括在基板中以及穿过电介质材料形成过孔。该方法还包括利用沉积技术使接触孔和电介质材料具有金属衬垫，所述沉积技术将避免衬垫在形成于基板中的过孔中形成。该方法还包括用金属填充接触孔和过孔，使得金属形成在接触孔中的衬垫上或者在基板上直接形成在过孔中。

公开(公告)号：CN103748678B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201180072839.0

申请日：2011-08-16

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·莫腾森 ,  R·尼克森 ,  N·沃茨

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1511 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/381 ,  H05K1/113 ,  H05K3/4038 ,  Y10T29/49124 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种偏移中介层包括：焊盘侧，其包括焊盘侧球栅阵列（BGA）；以及层叠封装（POP）侧，其包括POP侧BGA。焊盘侧BGA包括两个相邻的、分隔开的焊盘侧焊垫，并且POP侧BGA包括两个相邻的、分隔开的POP侧焊垫，其通过该偏移中介层耦接到相应的两个焊盘侧BGA。焊盘侧BGA被配置为与第一级互连相连接。POP侧BGA被配置为与POP基板相连接。两个焊盘侧焊垫中的每一个均具有与相应的两个POP侧焊垫不同的足迹。

公开(公告)号：CN105932009A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610011407.3

申请日：2016-01-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 望月敬太 ,  中岛健介 ,  是成贵弘 ,  中嶋幸治

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/12 ,  H01M10/44 ,  H02J7/00

CPC classification number: H02J7/0026 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H01M10/44 ,  H02J7/0031 ,  H03K2217/0054 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/52 ,  H01L23/12 ,  H02J7/00

Abstract: 本发明涉及半导体芯片、半导体装置和电池组，提供了高通用性的半导体产品。共用漏极衬垫连同放电和充电功率晶体管的源极衬垫和栅极衬垫一起形成于半导体芯片的表面之上。因而，当半导体芯片正面朝下地安装于布线板之上时，不仅是放电和充电功率晶体管的源极衬垫和栅极衬垫，还有共用漏极衬垫也会与布线板的布线电耦接。