公开(公告)号：CN104704620B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201380040541.0

申请日：2013-08-01

Applicant: 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司

Inventor： J.塞雷 ,  A.勒内夫 ,  A.斯科奇

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K3/3431 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  B23K3/0684 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95101 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H05K1/111 ,  H05K3/3468 ,  H05K13/0465 ,  H05K2201/10992 ,  H05K2203/044 ,  H05K2203/047 ,  H05K2203/048 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105

Abstract: 描述了用于流控自组装的双焊料层、电组件衬底以及采用所述流控自组装的方法。所述双焊料层包括在电组件衬底（18）的焊料焊盘（16）上所部署的基底焊料（14）的层上所部署的自组装焊料（12）的层。所述自组装焊料（12）具有小于第一温度的液相线温度，并且所述基底焊料（14）具有大于所述第一温度的固相线温度。在流控自组装方法期间所述自组装焊料（12）在第一温度下液化，以引起电组件（10）粘附到所述衬底（18）。在附接之后，所述衬底（18）被从浴器（20）被移除并且被加热，从而所述基底焊料（14）和自组装焊料（12）组合以形成合成合金（22），所述合成合金在所述组件（10）与所述衬底（18）上的所述焊料焊盘（16）之间形成最终的电焊料连接。

公开(公告)号：CN104425055B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410452753.6

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平塚大祐 ,  井口知洋 ,  内田雅之

IPC: H01B1/22 ,  C09K5/10 ,  H01L23/29

CPC classification number: B23K35/025 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0074 ,  B22F2999/00 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K35/282 ,  B23K35/286 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/32 ,  B23K35/322 ,  B23K35/325 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/362 ,  C22C1/0491 ,  C22C5/06 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/3737 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29372 ,  H01L2224/29373 ,  H01L2224/29376 ,  H01L2224/29378 ,  H01L2224/2938 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01102 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1067 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  B22F1/0022

Abstract: 根据本发明，可提供含有极性溶剂、和分散在上述极性溶剂中且包含第一金属的粒子的金属粒子膏糊。在上述极性溶剂中，溶解有与上述第一金属不同的第二金属。本发明还提供了使用了该金属粒子膏糊的固化物及半导体装置。

公开(公告)号：CN103633075B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310275097.2

申请日：2013-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶德强

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/585 ,  H01L24/19 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26125 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26155 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/33519 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明公开了一种叠层封装半导体器件和形成该半导体器件的方法，该半导体器件包括具有至少一个第一管芯和至少一个第二管芯的封装件。该半导体器件还包括将至少一个第一管芯和至少一个第二管芯电连接至衬底的一组导电元件。该半导体器件还包括位于至少一个第一管芯和至少一个第二管芯之间的热接触垫以将至少一个第一管芯热隔离于至少一个第二管芯。

公开(公告)号：CN101681855B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200880017314.5

申请日：2008-05-26

Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社

Inventor： 小西美佐夫

IPC: H01L21/60 ,  C09J5/00 ,  C09J7/02 ,  C09J9/02 ,  C09J201/00 ,  H01B5/16 ,  H01R11/01 ,  H05K3/32

CPC classification number: H05K3/323 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14165 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/2989 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01R4/04 ,  H01R12/57 ,  H05K2201/094 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在通过固化粘接剂层(12a)来固定布线基板(20)和至少一个面上配置了连接端子(27)的电气部件(25)的电气装置(1)中，固化粘接剂层(12a)具有第一固化区域(15a)和玻璃转变温度比第一固化区域(15a)低的第二固化区域(18a)。将第一固化区域(1a)和第二固化区域(18a)配置在布线基板(20)上的不同位置上。特别是，在连接细长的电气部件(25)时，在第一固化区域(12a)中连接其两端部，在第二固化区域中连接其两端部之间。

公开(公告)号：CN101146885B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200680007085.X

申请日：2006-03-06

Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社

Inventor： 小西美佐夫

IPC: C09J201/00 ,  C09J5/08 ,  C09J7/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/00 ,  H01B5/16 ,  H01L21/60 ,  H01R11/01

CPC classification number: H01L24/29 ,  C09J9/00 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01R4/04 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2203/1163 ,  H05K2203/1178 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供相对于微细间距的连接端子能够确实地连接的各向异性导电性粘结剂及使用了该粘结剂的电极连接方法。本发明的各向异性导电性粘结薄膜1是在绝缘性粘结剂树脂6中分散有通过加热表现发泡性的发泡成分8和导电粒子7的粘结薄膜。该发泡成分8以形成独立状态的泡部的方式分散在绝缘性粘结剂树脂6中。作为发泡成分8使用含有将有机溶剂密封在热塑性微胶囊中的微粒子的发泡成分。

公开(公告)号：CN1498417A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN01818740.4

申请日：2001-09-19

Applicant: 纳诺皮尔斯技术公司

Inventor： 赫伯特·J·诺伊豪斯 ,  迈克尔·E·沃纳 ,  弗雷德里克·A·布卢姆 ,  迈克尔·科巴尔

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/48 ,  G06K19/06 ,  H01Q1/24 ,  H01Q1/36 ,  H04Q5/22

CPC classification number: H01L24/10 ,  G06K19/07752 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29409 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H05K3/325 ,  H05K3/4007 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种用于将诸如智能卡或智能嵌体的RFID装置中的第一元件(210)的导电触点(220)永久地物理和电力连接至该装置的第二元件(212)的导电触点(214)。通过在第一元件(210)或第二元件(212)的导电触点上共沉积金属和导电硬微粒(218)并使用绝缘粘合剂(224)以在元件(210)(212)和他们的导电触点(220)(214)之间提供永久的接合，实现该装置的第一和第二元件之间的连接。RFID装置的元件(210)(212)可包括，例如，存储器芯片、微处理器芯片、收发器、或其它分立或集成电路装置、芯片载体、芯片模件、以及导电区，例如天线。

公开(公告)号：CN105247666B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201480029861.0

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山崎浩次 ,  荒木健

IPC: H01L21/52 ,  B23K20/00 ,  B23K35/14

CPC classification number: H01L24/49 ,  B23K20/004 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  H01L23/49 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/4501 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83014 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于在将接合对象物之间接合了的接合部处，形成空隙少的高熔点的金属间化合物。本发明的半导体装置(30)的特征在于，具备在形成于安装基板(电路基板(12))的第一Ag层(4)与形成于半导体元件(9)的第二Ag层(10)之间挟持了的合金层(13)，合金层(13)具有由第一Ag层(4)以及第二Ag层(10)的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线(5)从该合金层(13)的外周侧延伸地配置。

公开(公告)号：CN103548129B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201180071145.5

申请日：2011-08-30

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： K.马丁希茨 ,  M.温普林格 ,  B.雷布汉 ,  K.欣格尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B23K20/021 ,  B23K20/023 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明涉及用于使第一固体衬底（1）与含有第一材料的第二固体衬底（2）粘合的方法，该方法通过下面的步骤，尤其是下面的顺序进行：‑在第二固体衬底（2）上形成或施加含有第二材料的功能层（5），‑使第一固体衬底（1）与第二固体衬底（2）在功能层（5）上接触，‑将固体衬底（1、2）一起压制用于在第一和第二固体衬底（1、2）之间形成永久粘合，该粘合通过第一材料与第二材料的固体扩散和/或相变至少部分地得到增强，其中在功能层（5）上产生体积增加。在粘合过程中，没有或仅仅稍微超出了第一材料对第二材料的溶解度极限，从而尽可能避免金属间相的沉积并与此相反地形成混合晶体。第一材料可以是铜，而第二材料可以是锡。

公开(公告)号：CN106098573A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610283784.2

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  川端大辅

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/82203 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2021/603 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83053 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该方法抑制烧结性的接合材料的材料成本的增大，且进行高品质的接合。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：工序(a)，在基板(绝缘基板(3))之上配置片状的烧结性的接合材料(2a)；工序(b)，在工序(a)之后，在接合材料(2a)之上配置半导体元件(1)；以及工序(c)，一边在基板与半导体元件(1)之间对所述接合材料(2a)施加压力、一边对所述接合材料(2a)进行烧结，接合材料(2a)含有Ag或Cu的微粒，微粒被有机膜包裹。

公开(公告)号：CN105247666A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480029861.0

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山崎浩次 ,  荒木健

IPC: H01L21/52 ,  B23K20/00 ,  B23K35/14

CPC classification number: H01L24/49 ,  B23K20/004 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  H01L23/49 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/4501 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83014 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于在将接合对象物之间接合了的接合部处，形成空隙少的高熔点的金属间化合物。本发明的半导体装置(30)的特征在于，具备在形成于安装基板(电路基板(12))的第一Ag层(4)与形成于半导体元件(9)的第二Ag层(10)之间挟持了的合金层(13)，合金层(13)具有由第一Ag层(4)以及第二Ag层(10)的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线(5)从该合金层(13)的外周侧延伸地配置。