Patent search cpc:"H01L2224/0384" Page 1

1.

发明授权
横越多个导电柱的平坦化的半导体构造和方法有权

公开(公告)号：CN104285280B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380013561.9

申请日：2013-02-12

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 杰斯皮德·S·甘德席

IPC: H01L21/28 , H01L21/304

CPC classification number: H01L24/14 , H01L21/6835 , H01L21/7684 , H01L21/76898 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03825 , H01L2224/0384 , H01L2224/03845 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05016 , H01L2224/05018 , H01L2224/05019 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05555 , H01L2224/05556 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/11622 , H01L2224/1182 , H01L2224/1184 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/05042 , H01L2924/0538 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/10253 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552

Abstract: 一些实施例包含一种平坦化方法。横越半导体衬底且沿着从所述衬底向上延伸的柱而形成衬层。在所述衬层上和所述柱之间形成有机填充材料。形成横越所述柱和横越所述衬层和所述填充材料中的一或两者而延伸的平坦化表面。一些实施例包含一种半导体构造，其含有半导体裸片。导电柱延伸穿过所述裸片。所述柱具有位于所述裸片的背侧表面上方的上表面，且具有在所述背侧表面与所述上表面之间延伸的侧壁表面。衬层横越所述裸片的所述背侧表面且沿着所述柱的所述侧壁表面。导电盖位于所述柱的所述上表面上，且具有沿着与所述柱的所述侧壁表面邻近的所述衬层的边缘。

2.

发明公开
形成用于堆叠封装件的连接件的机构有权

公开(公告)号：CN103295986A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210189750.9

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 , 林俊宏 , 普翰屏 , 郑明达 , 吴凯强

IPC: H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49816 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/03334 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05075 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/11334 , H01L2224/1184 , H01L2224/1191 , H01L2224/13005 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/207 , H01L2924/206 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了形成用于堆叠封装件的连接件的机构。形成用于堆叠封装件的连接件的机构的所述实施例能够实现具有更细间距的更小连接件，该连接件实现了更小的封装件尺寸以及额外的连接。一个封装件上的导电元件部分地嵌入在该封装件的模塑料中从而与另一个封装件上的接触件或金属焊盘相接合。通过嵌入导电元件，可以将导电元件制造得更小并且在导电元件和模塑料之间不具有间隙。可以通过向连接件的最大宽度加入间隔边距来确定连接件的间距。其他封装件上的各种类型的接触件可以与导电元件相接合。

3.

发明公开
硅基液晶器件及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN102074505A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910199230.4

申请日：2009-11-20

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 黄河 , 李海艇 , 任自如 , 韩轶男

IPC: H01L21/82 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L27/02 , H01L23/485 , H01L23/528 , G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136277 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/136209 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/85 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0381 , H01L2224/0384 , H01L2224/03845 , H01L2224/04042 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05556 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/85205 , H01L2224/85214 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/05552 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099

Abstract: 一种硅基液晶器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成元件层，所述元件层形成有多个MOS器件；在所述元件层上形成层间介质层，所述层间介质层中形成有与MOS器件的栅极电连接的第一互联结构，与MOS器件漏极电连接的第二互联结构；图形化所述层间介质层，在层间介质层中形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出第一互联结构，所述第二开口暴露出第二互联结构；向所述第一开口和第二开口中填充导电材料，分别形成焊垫插塞和像素电极插塞；在所述焊垫插塞上形成焊垫，在所述像素电极插塞上形成像素电极。所述制造硅基液晶器件的方法简化了制作流程。由所述方法制造的硅基液晶器件具有较高的可靠性。

4.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效转让

公开(公告)号：CN101996971A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010247364.1

申请日：2010-08-05

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 儿谷昭一

IPC: H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/60 , H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5227 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L28/10 , H01L2224/02311 , H01L2224/0233 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0347 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/1416 , H01L2224/94 , H01L2924/0001 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/13099

Abstract: 提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。在包含规定的相邻的2个布线(7)的连接焊盘部(7b)间形成的5个延伸线部(7c)及其两侧的相邻的2个连接焊盘部(7b)的周边部的第1绝缘膜(5)的上表面，通过丝网印刷法、喷墨法等，形成由聚酰亚胺类树脂等构成的第2绝缘膜(10)。该情况下，由于该5个延伸线部(7c)的相互平行的部分是容易发生由电迁移引起的短路的区域，因此若仅将该区域覆盖第2绝缘膜(10)，则能够在该区域中使得由电迁移引起的短路不容易发生。其结果，能够使得第2绝缘膜(10)的形成区域尽可能地小，由此能够使得半导体晶片(21)不容易产生翘曲。

5.

发明公开
一种降低开关二极管结电容的键合结构及其制造方法无效

公开(公告)号：CN106449433A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611096567.9

申请日：2016-12-02

Applicant: 上海芯石微电子有限公司

Inventor： 薛维平

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L24/02 , H01L24/03 , H01L2224/03602 , H01L2224/0384

Abstract: 常规开关二极管工艺使用的硅片，都是在低阻硅层上生长高阻硅层的外延片，由于外延生长过程中掺杂物质扩散速度很快，在电阻率小于0.01Ω.㎝的低阻硅层上生长的高阻硅层的电阻率很难做到300Ω.㎝以上，本发明是在电阻率小于0.01Ω.㎝的低阻硅层上键合30-70微米厚度，电阻率大于1000Ω.㎝的高阻硅层，用此结构硅片制造的开关二极管比常规开关二极管结电容低20%以上。

6.

发明公开
用于接合薄化基片的方法有权

公开(公告)号：CN105960706A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201480057663.5

申请日：2014-12-18

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： A.费库里

IPC: H01L21/68 , H01L21/324 , H01L21/00

CPC classification number: H01L24/80 , B32B37/0046 , B32B38/1841 , B32B38/1858 , B32B2309/105 , B32B2457/14 , H01L21/187 , H01L21/304 , H01L21/67092 , H01L21/6831 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/75 , H01L24/94 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/0224 , H01L2224/0381 , H01L2224/0382 , H01L2224/03831 , H01L2224/0384 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/75251 , H01L2224/75272 , H01L2224/75701 , H01L2224/75702 , H01L2224/75704 , H01L2224/75705 , H01L2224/75724 , H01L2224/75725 , H01L2224/75734 , H01L2224/75735 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/7598 , H01L2224/80 , H01L2224/80003 , H01L2224/80006 , H01L2224/8001 , H01L2224/80011 , H01L2224/8002 , H01L2224/80047 , H01L2224/80051 , H01L2224/80093 , H01L2224/80099 , H01L2224/8013 , H01L2224/80132 , H01L2224/80201 , H01L2224/80203 , H01L2224/80209 , H01L2224/80213 , H01L2224/80801 , H01L2224/80894 , H01L2224/80907 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/97 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2221/68304 , H01L21/68 , H01L21/00 , H01L21/324

Abstract: 本发明涉及用于使第一基片(4)与第二基片(4')接合的方法，其中，第一基片(4)和/或第二基片(4')在接合之前薄化。基片(4,4')可为晶片、半导体基片、金属基片、矿物基片，尤其是蓝宝石基片、玻璃基片或聚合物基片。第一基片(4)和/或第二基片(4')被固定以用于在尤其是具有环形框架(2)的载体(3,3')的载体表面(3o,3o')上薄化和/或接合。第一基片(4)和第二基片(4')在基于基片(4,4')的对应对准标记接合之前与彼此对准且随后尤其是磁性地预固定。基片固定相应地具有用于相应地固定基片(4,4')的基片固定表面(9)，以及相应地具有围绕基片固定表面(9)的载体固定表面(8)或载体固定区域以用于基片固定的相互固定，其中尤其是载体固定表面(8)或载体固定区域为磁化的或可磁化的，或作为备选基片固定可借助于粘合物、借助于夹具、借助于插销系统或者静电地固定至彼此。

7.

发明公开
半导体装置及其制造方法失效复审申请转让

公开(公告)号：CN1667801A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200410097436.3

申请日：2004-11-15

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 长崎健二

IPC: H01L21/31 , H01L21/60 , H01L21/28 , H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02313 , H01L2224/02377 , H01L2224/0346 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/351 , Y10S438/958 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在具有电路元件的晶圆状的半导体芯片(12’)的主表面(12a)上，形成面对电路元件的钝化膜(20’)，使得主表面中沿该主表面的端边的第一区域(30)露出。然后，形成绝缘膜22，使之沿该钝化膜的主表面(20a)和侧面(20b)延伸到半导体芯片的主表面上，并使第一区域中沿主表面的端边的第二区域(35)保留。而且，在第二区域上形成在形成的同时将绝缘膜覆盖的密封层。从而，能够抑制对封装件内部的水分侵入，还能通过按照设计值镀覆而形成的再布线层等使电气特性的可靠性得到改善。

8.

发明授权
提高了板级可靠性的晶片级封装装置有权

公开(公告)号：CN104900544B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510093046.7

申请日：2015-03-02

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： P·R·哈珀 , M·梅森 , A·V·萨莫伊洛夫

IPC: H01L21/60 , H01L23/492

CPC classification number: H01L24/14 , H01L21/561 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/03334 , H01L2224/0346 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05005 , H01L2224/05541 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05611 , H01L2224/131 , H01L2224/16058 , H01L2224/161 , H01L2224/291 , H01L2224/32058 , H01L2224/321 , H01L2224/85 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/0645 , H01L2924/0665 , H01L2924/0695 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014

Abstract: 本发明描述了一种晶片级封装装置、电子装置和用于制造该晶片级封装装置的制造方法，该方法包括在晶片级封装装置上形成暴露的引线末端，以便当将晶片级封装装置结合到另一电部件时提供焊料支撑结构。在各实现方式中，晶片级封装装置包括至少一个集成电路管芯、金属垫、第一电介质层、再分布层、第二电介质层、柱结构、模制层、柱层、和镀覆层，其中柱层被锯切以在晶片级封装装置的至少两个侧面上形成垫触头。暴露的垫触头便于形成焊料角焊缝和支撑结构，结果得到改善的板级可靠性。