公开(公告)号：CN107195559A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710289171.4

申请日：2017-04-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈明祥 ,  牟运 ,  李超

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/3213 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L24/80 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L2021/603

Abstract: 本发明属于电子制造领域，并公开了一种覆锡纳米多孔铜低温键合的方法，包括：首先在初始衬底上通过超声清洗、溅射或电镀、热处理制备出铜合金薄膜；再通过选择性腐蚀工艺制备出纳米多孔铜结构；最后将锡沉积于纳米多孔铜结构表面，形成覆锡纳米多孔铜结构；利用该覆锡纳米多孔铜结构作为键合层，在低温低压下实现键合。本发明工艺简单，能实现低温低压键合，高温服役，降低键合工艺产生的热应力，具有广泛应用前景。

公开(公告)号：CN105895607A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510657643.8

申请日：2015-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄见翎 ,  张博平 ,  刘重希 ,  廖信宏 ,  黄英叡

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4828 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L2021/6027 ,  H01L2021/60277 ,  H01L2021/603 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49 ,  H01L21/4889

Abstract: 半导体封装件包括载体、至少一个粘合剂部分、多个微引脚和管芯。载体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。粘合剂部分设置在第一表面上，并且多个微引脚设置在粘合剂部分中。管芯设置在没有微引脚的剩余的粘合剂部分上。本发明的实施例还涉及用于半导体封装件的互连结构和制造互连结构的方法。

公开(公告)号：CN105405833A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510990247.7

申请日：2015-12-24

Applicant: 江苏长电科技股份有限公司

Inventor： 刘恺 ,  梁志忠 ,  王赵云 ,  陈益新

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49537 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L25/072 ,  H01L2021/60007 ,  H01L2021/603

Abstract: 本发明涉及一种多芯片多搭平铺夹芯封装结构及其工艺方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、提供第一引线框；步骤二、在第一引线框涂覆锡膏；步骤三，在步骤二中第一引线框基岛区域涂覆的锡膏上植入第一芯片和第二芯片；步骤四，提供第二引线框，在第二引线框上涂覆锡膏；步骤五，将第二引线框压合在第一引线框上表面的第一芯片和第二芯片上，压合后第一引线框和第二引线框形成整体框架；步骤六，将步骤五形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊；步骤七，塑封料塑封；步骤八，切割或冲切作业。本发明的有益效果是：增加产品热消散的能力，降低产品的封装电阻。且整条产品可一体成型，生产效率高。

公开(公告)号：CN104347469A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410362920.8

申请日：2014-07-28

Applicant: 先进科技新加坡有限公司

Inventor： 陈文忠 ,  樊俊豪

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L24/27 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  Y10T156/1092 ,  Y10T156/1702 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L21/683 ,  H01L2021/603 ,  H01L2221/683

Abstract: 本发明公开用于在热压键合过程中固定多个半导体器件的设备，包含有：主体；多个支撑表面，位于主体的第一侧面上，被配置来在热压键合过程中固定至少一个半导体器件；多个内部管道，位于主体内，每个内部管道从位于主体的第一侧面的各自一个支撑表面的开口延伸至主体第二侧面的开口；主体的第二侧面的开口被配置来连接至各自的气动通路上，以进行流体互通，每个气动通路具有单独可控的气动吸附力，以致于主体的第一侧面的支撑表面的开口被操作来抵靠于主体的第一侧面的支撑表面有选择地固定一个或多个半导体器件，或者从那里将其释放。本发明还公开用于在热压键合过程中固定半导体器件的装置和通过热压键合将多个半导体器件键合至衬底上的方法。

公开(公告)号：CN108039415B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201711065564.3

申请日：2017-11-02

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 钟志白 ,  李佳恩 ,  郑锦坚 ,  杨力勋 ,  徐宸科 ,  康俊勇

IPC: H01L51/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L33/48 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L24/81 ,  H01L33/48 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L51/50 ,  H01L2021/603 ,  H01L2224/818 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

Abstract: 本发明提供一种微元件的封装方法，包括：1)于基底上形成封装材料层，并对封装材料层进行半固化处理；2)基于封装材料层的表面粘性，将微元件的阵列抓取于封装材料层表面；3)将微元件的阵列与封装基板上的共晶金属对准接合；4)对微元件的阵列与共晶金属下进行共晶处理，并保持封装材料的半固化状态；5)将半固化的封装材料层与封装基板进行压合，使封装材料层包覆微元件，并对封装材料进行完全固化；以及6)去除基底。本发明利用半固化的硅胶实现微元件的抓取，并利用低温高真空压合实现微元件的转移及密封，工艺简单流畅，可实现微元件的无空隙封装，提高封装质量并有效降低封装成本。

公开(公告)号：CN105489507A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510915451.2

申请日：2015-12-09

Applicant: 天津大学

Inventor： 梅云辉 ,  封双涛 ,  陆国权 ,  李欣

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  B23K11/00

CPC classification number: H01L21/50 ,  B23K11/002 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/80 ,  H01L2021/60007 ,  H01L2021/603

Abstract: 本发明开发了一种IGBT芯片与直接覆铜基板的快速烧结连接方法及装置；以纳米银焊膏为中间连接层，利用直流脉冲电流加热原理实现IGBT芯片与DBC基板的快速烧结连接。将施压装置通过紧固螺栓固定在直流脉冲电流加热设备的基座上，然后将预热好的试样放置在压柱正下方，通过螺栓在加压螺纹孔中向下行进，对其下方的压柱施压，利用直流脉冲电流加热实现IGBT芯片与DBC基板的快速烧结连接。本发明工艺过程具有速度快，效率高，总能量输入小，且成本低的优点。有效阻止烧结接头中银颗粒/晶粒尺寸的过度长大及粗化，有益于烧结纳米银接头力学性能和长期服役可靠性的提高。

公开(公告)号：CN105448882A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510991837.1

申请日：2015-12-24

Applicant: 江苏长电科技股份有限公司

Inventor： 梁志忠 ,  王亚琴 ,  徐赛 ,  朱悦

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49537 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L25/072 ,  H01L2021/60007 ,  H01L2021/603

Abstract: 本发明涉及一种框架外露多芯片单搭平铺夹芯封装结构的工艺方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、提供第一引线框；步骤二、在第一引线框上涂覆锡膏；步骤三、在第一引线框锡膏上植入第一芯片；步骤四、提供第二引线框，在第二引线框上涂覆锡膏；步骤五、将第二引线框压合在第一芯片上；步骤六、进行回流焊；步骤七、在第二引线框上涂覆锡膏；步骤八、在第二引线框上植入第二芯片；步骤九、提供第三引线框，在第三引线框上涂覆锡膏；步骤十、将第三引线框压合在第二芯片上；步骤十一、进行回流焊；步骤十二、塑封料塑封；步骤十三、切割或冲切作业。本发明的有益效果是：增加产品热消散的能力，降低产品的封装电阻。

公开(公告)号：CN105308120A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480032412.1

申请日：2014-05-30

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 榛叶阳一 ,  松村和行 ,  野中敏央

IPC: C08L63/00 ,  B29C41/12 ,  C08G59/68 ,  C08K3/00 ,  C08K5/07 ,  H01L21/60 ,  H05K1/14

CPC classification number: C08J5/18 ,  B29C41/02 ,  B29K2063/00 ,  B29K2105/16 ,  B29K2509/00 ,  C08J2363/00 ,  C08K3/013 ,  C08K5/07 ,  C08K9/04 ,  H01L21/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49558 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/603 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3512 ,  H05K3/305 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  C08K3/0033 ,  C08L63/00

Abstract: 本发明提供一种树脂片，其在朝与面平行的方向施加动态剪切应变时的应力测定中，在温度80℃、频率0.5Hz下，应变的振幅为膜厚的10％时的损耗正切与所述振幅为0.1％时的损耗正切的差为1以上。通过使用本发明的树脂片，可提供在树脂片中气泡或龟裂的产生少，连接可靠性优异的半导体装置。另外，本发明的树脂组合物在保存中的凝聚物的产生少。另外，将树脂组合物成形为片状而得的树脂片的平坦性良好。另外，所述树脂组合物的硬化物可提供连接可靠性高的电路基板或者半导体装置。

公开(公告)号：CN105308120B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201480032412.1

申请日：2014-05-30

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 榛叶阳一 ,  松村和行 ,  野中敏央

IPC: C08L63/00 ,  B29C41/12 ,  C08G59/68 ,  C08K3/00 ,  C08K5/07 ,  H01L21/60 ,  H05K1/14

CPC classification number: C08J5/18 ,  B29C41/02 ,  B29K2063/00 ,  B29K2105/16 ,  B29K2509/00 ,  C08J2363/00 ,  C08K3/013 ,  C08K5/07 ,  C08K9/04 ,  H01L21/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49558 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/603 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3512 ,  H05K3/305 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  C08K3/0033 ,  C08L63/00

Abstract: 本发明提供一种树脂组合物、树脂片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种树脂片，其在朝与面平行的方向施加动态剪切应变时的应力测定中，在温度80℃、频率0.5Hz下，应变的振幅为膜厚的10％时的损耗正切与所述振幅为0.1％时的损耗正切的差为1以上。通过使用本发明的树脂片，可提供在树脂片中气泡或龟裂的产生少，连接可靠性优异的半导体装置。另外，本发明的树脂组合物在保存中的凝聚物的产生少。另外，将树脂组合物成形为片状而得的树脂片的平坦性良好。另外，所述树脂组合物的硬化物可提供连接可靠性高的电路基板或者半导体装置。

公开(公告)号：CN106098573A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610283784.2

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  川端大辅

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/82203 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2021/603 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83053 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该方法抑制烧结性的接合材料的材料成本的增大，且进行高品质的接合。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：工序(a)，在基板(绝缘基板(3))之上配置片状的烧结性的接合材料(2a)；工序(b)，在工序(a)之后，在接合材料(2a)之上配置半导体元件(1)；以及工序(c)，一边在基板与半导体元件(1)之间对所述接合材料(2a)施加压力、一边对所述接合材料(2a)进行烧结，接合材料(2a)含有Ag或Cu的微粒，微粒被有机膜包裹。