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公开(公告)号：CN105226035B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510535157.9
申请日：2011-05-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/525 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L29/06
CPC classification number: H01L24/05 , G06K9/0004 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/525 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/06165 , H01L2224/06167 , H01L2224/0801 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/3701 , H05K1/181 , H05K2201/09418 , H05K2201/09445 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，该晶片封装体包括：一下基底；一上基底，具有一上表面及一下表面，且设置于下基底上方；一凹口，邻近于上基底的一侧壁，其中凹口沿着自上基底的上表面朝下表面的一方向而形成；一元件区或感测区，位于上基底的上表面；一导电垫，位于上基底的上表面；以及一导电层电性连接导电垫，且沿着上基底的侧壁延伸至凹口。本发明可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程，且可显著缩减制程时间与成本。
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公开(公告)号：CN105244330A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510535128.2
申请日：2011-05-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/525 , H01L29/06 , H01L21/56 , H01L21/683
CPC classification number: H01L24/05 , G06K9/0004 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/525 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/06165 , H01L2224/06167 , H01L2224/0801 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/3701 , H05K1/181 , H05K2201/09418 , H05K2201/09445 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；一凹口，邻近于基底的一侧壁，其中凹口沿着自基底的上表面朝下表面的一方向而形成；生物特征的元件区或感测区，位于基底的上表面；一导电垫，位于基底的上表面；以及一导电层，电性连接导电垫，且沿着基底的侧壁延伸至凹口。本发明可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程，且可显著缩减制程时间与成本。
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公开(公告)号：CN102244047B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110122210.4
申请日：2011-05-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , G06K9/0004 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/525 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/06165 , H01L2224/06167 , H01L2224/0801 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/3701 , H05K1/181 , H05K2201/09418 , H05K2201/09445 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一承载基底；一半导体基底，具有一上表面及一下表面，且设置于该承载基底之上；一元件区或感测区，位于该半导体基底的该上表面；一导电垫，位于该半导体基底的该上表面；一导电层，电性连接该导电垫，且自该半导体基底的该上表面延伸至该半导体基底的一侧壁上；以及一绝缘层，位于该导电层与该半导体基底之间。本发明可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程，且可显著缩减制程时间与成本。
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公开(公告)号：CN104851851B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201510072112.2
申请日：2015-02-11
Applicant: 艾普凌科有限公司
Inventor： 竹泽真
CPC classification number: H01L24/27 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0801 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/4912 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/10156 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置及其制造方法。本发明提供防潮性良好的半导体装置。通过在由密封树脂(8)覆盖的半导体芯片(2)的上侧面形成具有大的凹凸的区域(25)，并在下侧面形成具有小的凹凸的区域(24)，使半导体芯片(2)和密封树脂(8)的紧密贴合力提高，防止来自外部的水分的浸入。
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公开(公告)号：CN103548129B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201180071145.5
申请日：2011-08-30
Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L21/76251 , B23K20/021 , B23K20/023 , B23K35/001 , B23K35/0255 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2101/40 , H01L21/185 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/038 , H01L2224/0384 , H01L2224/04026 , H01L2224/05557 , H01L2224/05647 , H01L2224/0801 , H01L2224/08501 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/275 , H01L2224/27505 , H01L2224/278 , H01L2224/2784 , H01L2224/29019 , H01L2224/2908 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/3201 , H01L2224/325 , H01L2224/32501 , H01L2224/7565 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83345 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/1434 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/0105 , H01L2224/83
Abstract: 本发明涉及用于使第一固体衬底（1）与含有第一材料的第二固体衬底（2）粘合的方法，该方法通过下面的步骤，尤其是下面的顺序进行：‑在第二固体衬底（2）上形成或施加含有第二材料的功能层（5），‑使第一固体衬底（1）与第二固体衬底（2）在功能层（5）上接触，‑将固体衬底（1、2）一起压制用于在第一和第二固体衬底（1、2）之间形成永久粘合，该粘合通过第一材料与第二材料的固体扩散和/或相变至少部分地得到增强，其中在功能层（5）上产生体积增加。在粘合过程中，没有或仅仅稍微超出了第一材料对第二材料的溶解度极限，从而尽可能避免金属间相的沉积并与此相反地形成混合晶体。第一材料可以是铜，而第二材料可以是锡。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104851851A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510072112.2
申请日：2015-02-11
Applicant: 精工电子有限公司
Inventor： 竹泽真
CPC classification number: H01L24/27 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0801 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/4912 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/10156 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置及其制造方法。本发明提供防潮性良好的半导体装置。通过在由密封树脂(8)覆盖的半导体芯片(2)的上侧面形成具有大的凹凸的区域(25)，并在下侧面形成具有小的凹凸的区域(24)，使半导体芯片(2)和密封树脂(8)的紧密贴合力提高，防止来自外部的水分的浸入。
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公开(公告)号：CN106057693A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610644869.9
申请日：2016-08-08
Applicant: 天水华天科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/48488 , H01L24/03 , H01L23/488 , H01L24/08 , H01L2224/0801 , H01L2224/081
Abstract: 一种IC封装引线键合短接结构,包括两个金属焊盘上各预植的第一金属球，两个所述第一金属球之间引线键合实现短接互连，两个所述第一金属球之间中间位置叠加第二金属球。上述的制备方法：第一步，需要短接互连的两个金属焊盘用球型焊接的方法各预植一个第一金属球；第二步，两个第一金属球之间用金丝或铜丝或合金丝引线键合；第三步，对准在两个预植的第一金属球的中间位置叠加焊接第二金属球。本发明在两个植球点进行叠球的短接工艺，解决了短线焊接接触不良的技术问题且容易实现，现行的设备完全可以满足工艺要求，不需要新增设备投资。
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公开(公告)号：CN105226035A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510535157.9
申请日：2011-05-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/525 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L29/06
CPC classification number: H01L24/05 , G06K9/0004 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/525 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/06165 , H01L2224/06167 , H01L2224/0801 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/3701 , H05K1/181 , H05K2201/09418 , H05K2201/09445 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，该晶片封装体包括：一下基底；一上基底，具有一上表面及一下表面，且设置于下基底上方；一凹口，邻近于上基底的一侧壁，其中凹口沿着自上基底的上表面朝下表面的一方向而形成；一元件区或感测区，位于上基底的上表面；一导电垫，位于上基底的上表面；以及一导电层电性连接导电垫，且沿着上基底的侧壁延伸至凹口。本发明可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程，且可显著缩减制程时间与成本。
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公开(公告)号：CN102244047A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110122210.4
申请日：2011-05-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , G06K9/0004 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/525 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/06165 , H01L2224/06167 , H01L2224/0801 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/3701 , H05K1/181 , H05K2201/09418 , H05K2201/09445 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一承载基底；一半导体基底，具有一上表面及一下表面，且设置于该承载基底之上；一元件区或感测区，位于该半导体基底的该上表面；一导电垫，位于该半导体基底的该上表面；一导电层，电性连接该导电垫，且自该半导体基底的该上表面延伸至该半导体基底的一侧壁上；以及一绝缘层，位于该导电层与该半导体基底之间。本发明可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程，且可显著缩减制程时间与成本。
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公开(公告)号：CN107534014A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023993.1
申请日：2016-05-06
Applicant: 索尼公司
Inventor： 羽根田雅希
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L27/14 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/89 , H01L27/14 , H01L27/14636 , H01L27/1469 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/0801 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/80009 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/0104 , H01L2924/05442 , H04N5/369
Abstract: 本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。
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