公开(公告)号：CN108735699A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810342630.5

申请日：2018-04-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 武直矢

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/0483 ,  H01L2924/386

Abstract: 本发明提供一种抑制接合焊盘间的短路的技术。半导体装置具有：半导体基板；第一接合焊盘，设在所述半导体基板的上表面，且由含有铝的金属构成；及第二接合焊盘，设在所述半导体基板的所述上表面。所述第一接合焊盘的上表面以越接近所述第二接合焊盘则越位于上方的方式倾斜。

公开(公告)号：CN107316842A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201610326414.2

申请日：2016-05-17

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 梁芳瑜 ,  张宏宪 ,  赖喆 ,  曾文聪 ,  黄陈昱

IPC: H01L23/13

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/02205 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/13

Abstract: 一种基板结构，包括：具有电性接点的基板本体、形成于该基板本体上并外露该电性接点的绝缘层、以及形成于该绝缘层部分表面上的绝缘保护层，该绝缘保护层具有对应位于单一该电性接点的多个开口，其中，至少一该开口位于该电性接点的外围，以于该基板结构经过高温作业时，该绝缘保护层可通过该些开口分散制造方法所产生的残留应力。

公开(公告)号：CN106877030A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201511019558.5

申请日：2015-12-30

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 彭懿正 ,  叶明华

IPC: H01R12/69 ,  H01R12/65

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00012 ,  H01R12/69 ,  H01R12/65

Abstract: 本发明公开一种接合结构及可挠式装置。该接合结构包括接触垫、各向异性导电薄膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)以及接触结构。接触垫具有至少一凹槽，其中接触垫的厚度为T且至少一凹槽的宽度为B。各向异性导电薄膜位于接触垫上方并具有多个导电粒子，各导电粒子位于至少一凹槽中，其中，各导电粒子的直径为A，且A大于B以及T，并且满足:B≦2(AT-T2)1/2。接触结构位于各向异性导电薄膜上方并通过各导电粒子与接触垫电连接。该可挠式装置包括基板、图案化绝缘层、至少一接触垫、各向异性导电薄膜以及接触结构。

公开(公告)号：CN103762184B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310330942.1

申请日：2013-08-01

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.费尔斯特 ,  W.哈特纳 ,  J.希尔特赖特 ,  U.瓦赫特

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及芯片封装和用于制造芯片封装的方法。本发明提供了一种用于制造芯片封装的方法。该方法包括：在芯片侧上形成电绝缘材料；选择性地移除所述电绝缘材料的至少一部分，由此在所述电绝缘材料中形成沟槽；将导电材料沉积在所述沟槽中，其中所述导电材料电连接到形成在所述芯片侧上的至少一个接触焊盘；在所述电绝缘材料上形成导电结构，其中所述导电结构的至少一部分与所述导电材料直接物理和电连接；以及在所述导电结构上沉积接合结构。

公开(公告)号：CN103066058B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210404792.X

申请日：2012-10-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 克里斯蒂安·比尔策 ,  乔治·迈尔-伯格

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/0579 ,  H01L2224/058 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及半导体器件和方法。一种电子器件包括半导体芯片。所述半导体芯片包括路由线。绝缘层设置在所述半导体芯片上方。焊料沉积物设置在所述绝缘层上方。通孔延伸穿过所述绝缘层的开口以使所述路由线与所述焊料沉积物电连接。所述通孔面向所述路由线的前缘线部分基本上为直线，具有凹曲率或大于所述通孔的最大横向尺寸的直径的凸曲率。

公开(公告)号：CN105097763A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510239719.5

申请日：2015-05-12

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 潘俊鹏 ,  张义民 ,  林佳升

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/48 ,  H01L21/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构的制造方法包含下列步骤：形成第一绝缘层于晶圆基板的第一表面；形成导电垫于第一绝缘层上；形成贯穿于晶圆基板的第一表面与第二表面的镂空区，使得第一绝缘层从镂空区裸露；以及激光蚀刻裸露于镂空区的第一绝缘层，使得第一绝缘层形成第一开口，且导电垫形成从第一开口裸露的凹部。本发明可提升半导体结构的良率，且可使导电垫的厚度得以减薄，节省成本。

公开(公告)号：CN104600043A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410592542.2

申请日：2014-10-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 石井泰之 ,  足立哲生

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/09051 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20753

Abstract: 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。半导体芯片(半导体器件)包括多个电极焊盘，在平面视图中，该多个电极焊盘布置在沿半导体芯片的周界的边(芯片边)延伸的多行中。在这些电极焊盘中，布置在沿芯片边的第一行中的相应电极焊盘的面积小于布置在位置比该第一行离芯片边更远的行中的相应电极焊盘的面积。

公开(公告)号：CN102656677B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080056764.2

申请日：2010-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 辻本晋也

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03474 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。半导体装置包括半导体芯片(1)、电极垫(2)、底部阻挡金属层(10)、焊锡凸块(6)以及底部填充材(18)，该电极垫(2)形成在半导体芯片(1)上，该底部阻挡金属层(10)形成在电极垫(2)上，该焊锡凸块(6)形成在底部阻挡金属层(10)上，该底部填充材(18)覆盖底部阻挡金属层(10)和焊锡凸块(6)的周围而形成。焊锡凸块(6)上与底部阻挡金属层(10)接合的界面为该底部阻挡金属层(10)的上表面，底部填充材(18)在凸块(6)的侧面和底部阻挡金属层(10)的端面接合的部分上的角度为直角或钝角。

公开(公告)号：CN104167404A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410139033.4

申请日：2010-12-21

Applicant: 联发科技股份有限公司

Inventor： 黄裕华

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/488 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路芯片。所述集成电路芯片包含衬底；至少一金属间绝缘层，位于衬底上方；顶层金属层，位于金属间绝缘层上方；焊盘，位于顶层金属层中，焊盘包含较薄中心部分及环绕较薄中心部分的较厚外缘部分；以及钝化层，覆盖较厚外缘部分。本发明的集成电路芯片的结构可避免焊盘变形或开裂。

公开(公告)号：CN103887226A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310625068.4

申请日：2013-11-28

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 王宠智 ,  林哲歆 ,  顾子琨

IPC: H01L21/768 ,  H01L25/10 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种晶圆堆叠结构及其制作方法与晶圆的制作方法。晶圆堆叠结构的制作方法包括：于一第一晶圆中形成一第一穿硅导孔开口；于第一穿硅导孔开口中填入一第一导电材料以形成一第一穿硅导孔填充部，其中第一穿硅导孔填充部具有一凹槽；于一第二晶圆中形成一第二穿硅导孔开口；于第二穿硅导孔开口中填入一第二导电材料，以形成一第二穿硅导孔填充部，其中第二穿硅导孔填充部具有一凸起结构；以及堆叠第一晶圆与第二晶圆，其中凸起结构插入凹槽中，且第一穿硅导孔填充部电性连接第二穿硅导孔填充部。