公开(公告)号：CN106847795A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611040818.1

申请日：2016-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭柄铢 ,  闵台洪 ,  李仁荣 ,  赵泰济

IPC: H01L25/07

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1403 ,  H01L25/07

Abstract: 提供了一种半导体装置，通过对黏合材料的飘移控制以固定半导体芯片来提高所述半导体装置的工艺能力和可靠性。半导体装置包括：第一半导体芯片，包括彼此相对的第一表面和第二表面；飘移控制结构，形成在第一半导体芯片的第一表面处；以及第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的第一表面上。第二半导体芯片与飘移控制结构的至少一部分叠置。

公开(公告)号：CN103633075B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310275097.2

申请日：2013-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶德强

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/585 ,  H01L24/19 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26125 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26155 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/33519 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明公开了一种叠层封装半导体器件和形成该半导体器件的方法，该半导体器件包括具有至少一个第一管芯和至少一个第二管芯的封装件。该半导体器件还包括将至少一个第一管芯和至少一个第二管芯电连接至衬底的一组导电元件。该半导体器件还包括位于至少一个第一管芯和至少一个第二管芯之间的热接触垫以将至少一个第一管芯热隔离于至少一个第二管芯。

公开(公告)号：CN106252302A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610407726.6

申请日：2016-06-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·蒙丁

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/535 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/535 ,  H01L24/80 ,  H01L2021/60

Abstract: 一种半导体装置，包括：基体、半导体芯片以及将基体电耦合到半导体芯片的接触元件阵列。半导体装置包括位于基体与半导体芯片之间以及位于接触元件之间的底部填充材料。图案化结构布置在基体上且从半导体芯片下方延伸经过半导体芯片的边缘周围的排除区域。图案化结构为底部填充材料提供蓄存器。

公开(公告)号：CN103515362B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210384449.3

申请日：2012-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐君蕾 ,  刘重希 ,  陆德源 ,  何明哲 ,  陈玉芬

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15323 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15333 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3651

Abstract: 公开了堆叠式封装(PoP)器件和封装半导体管芯的方法。在一个实施例中，PoP器件包括第一封装管芯和连接到第一封装管芯的第二封装管芯。金属柱连接到第一封装管芯。金属柱具有接近第一封装管芯的第一部分和设置在第一部分上方的第二部分。每一个金属柱连接到接近第二封装管芯的焊接接点。

公开(公告)号：CN106057745A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610191252.6

申请日：2016-03-30

Applicant: 钰桥半导体股份有限公司

Inventor： 林文强 ,  王家忠

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提出一种设有加强层且整合有双路由电路的半导体组件，半导体元件及第一路由电路位于加强层的贯穿开口中，而第二路由电路延伸进入加强层贯穿开口外的区域。该加强层所具有的机械强度可避免阻体发生弯翘情况。该第一路由电路可将半导体元件的垫尺寸及垫间距放大，而该第二路由电路不仅可提供进一步的扇出线路结构，其亦可将第一路由电路与加强层机械接合。

公开(公告)号：CN105990300A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510854707.3

申请日：2015-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈田史朗

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/3121

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够抑制半导体芯片的位置偏移的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1区域与第2区域，且在第2区域具备：安装构件，具有沿第1区域的外周的至少一部分而设置的多个第1周边部、及设置在多个第1周边部的至少一者与多个第1周边部的其他至少一者之间的多个第2周边部；隔壁层，至少设置在第1周边部上；及半导体芯片，隔着焊料材而搭载在第1区域上；且多个第2周边部位于相对于半导体芯片而对称的位置。

公开(公告)号：CN103858225B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280047506.7

申请日：2012-09-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： D·米歇尔斯 ,  S·格林

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31 ,  B24C1/00

CPC classification number: H01L24/27 ,  B24C1/06 ,  B24C11/00 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/83047 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种用于在至少一个基础件(2)和至少一个第一构件(3)之间建立钎焊连接的方法，所述方法包括以下步骤：提供所述基础件(2)；利用SACO喷射介质局部地喷射所述基础件(2)的表面，使得存在被SACO喷射的区域(20)和不被喷射的定位区域(40)，其中所述SACO喷射介质的喷射物(50)具有硅酸盐覆层(52)；以及将至少第一构件(3)钎焊在所述不被喷射的定位区域(40)上；其中，所述被SACO喷射的区域(20)用作钎焊终止部。

公开(公告)号：CN103779283B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310030492.4

申请日：2013-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  林育漳 ,  施应庆 ,  吴韦民 ,  郭彦良 ,  杜家玮

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了封装器件及其制造方法，以及用于半导体器件的封装方法。在一种实施方式中，一种封装器件包括具有集成电路管芯安装区域的衬底。底部填充材料流动阻止部件围绕所述集成电路管芯安装区域设置。本发明还公开了封装方法。

公开(公告)号：CN102956569B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210304452.X

申请日：2012-08-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫本昇 ,  菊池正雄

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/30051 ,  H01L2224/30519 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，能够削减部件件数并且能够以充分的接合强度将半导体模块固定于冷却体，并且，能够使半导体模块充分地冷却。本申请发明的半导体装置（10）的特征在于，具备：半导体模块（14），具有由金属形成的导热部（16）和使该导热部在表面露出的模塑树脂（18）；冷却体（12），利用接合材料（20）固定于该半导体模块（14）；导热材料（22），形成在该导热部（16）和该冷却体（12）之间，将该导热部（16）和该冷却体（12）热连接。

公开(公告)号：CN104614819A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510046559.2

申请日：2010-11-30

Applicant: 思科技术公司

Inventor： 玛丽·纳多 ,  威普库马·帕特尔 ,  普拉卡什·约托斯卡 ,  约翰·芳曼 ,  约翰·马修·芳曼 ,  马克·韦伯斯特

IPC: G02B6/42 ,  H01L21/60

CPC classification number: G02B7/025 ,  G02B6/4228 ,  G02B6/4239 ,  G02B7/003 ,  H01L23/345 ,  H01L23/544 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/14 ,  Y10T428/24479 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于使用粘合剂粘结的微部件最优化放置的开槽配置。其中一种用来在组件中改善微部件的粘合剂附加的安排利用在用来支持微部件的衬底的顶面中形成的多个并置狭槽。狭槽用来控制一个粘合剂“点”的流动和“形状”以便迅速和精确附加一个微部件到一个衬底的表面。狭槽在衬底的表面中以给予其自身从一个衬底到另一个的可复制精度的方式形成(优选蚀刻)。其它狭槽(“沟道”)可连同粘结狭槽一起形成，从而使得外来粘合剂材料流入这些沟道并且不散布进入不希望的区域。