公开(公告)号：CN104011858B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201280062529.5

申请日：2012-10-16

Applicant: 英闻萨斯有限公司

Inventor： 埃利斯·周 ,  雷纳多·科 ,  罗莎娜·阿拉托雷 ,  菲利普·丹贝格 ,  王纬舜 ,  杨世英 ,  赵志军

IPC: H01L25/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/8518 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1715 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1053 ,  Y10T29/49149 ,  Y10T29/49151 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076

Abstract: 一种微电子封装(10)可以包括具有键合至衬底(12)上的各个导电元件(28)的基(34)和相对于基(34)的端部(36)的线键合(32)。介质封装层(42)从衬底(12)延伸且覆盖线键合(32)的部分，以使线键合(32)的被覆盖部分通过封装层(42)相互分离，其中线键合(32)的未封装部分(39)由线键合(32)的未被封装层(42)覆盖的部分限定。未封装部分(39)设置成具有最小间距的图案，该最小间距大于相邻的线键合(32)的基(34)之间的第一最小间距。

公开(公告)号：CN107109532A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580062949.7

申请日：2015-11-26

Applicant: 贺利氏材料新加坡私人有限公司

Inventor： 廖金枝 ,  张兮 ,  M·萨兰加帕尼 ,  S·毕诺巴吉 ,  T·E·富由·富由 ,  卓志伟

IPC: C22C9/00 ,  B32B15/01 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C28/00

CPC classification number: C22C9/00 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C1/02 ,  C22C1/03 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C28/023 ,  C23C28/042 ,  C25D5/10 ,  C25D7/0607 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203

Abstract: 一种包括芯的线，所述芯包括以下各项或由以下各项组成：(a)镍，其量处于从0.005wt.‑％到5wt.‑％的范围中，(b)任选地，银，其量处于从0.005wt.‑％到1wt.‑％的范围中，c)铜，其量处于从94wt.‑％到99.98wt.‑％的范围中，及(d)0wt.‑ppm到100wt.‑ppm的其它组分，其中以wt.‑％及wt.‑ppm计的所有量均基于所述芯的总重量，其中所述芯具有处于从1.5μm到30μm的范围中的平均晶粒大小，所述平均大小是根据线截取方法而确定，其中所述线具有处于从8μm到80μm的范围中的平均直径。

公开(公告)号：CN107039337A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610882505.4

申请日：2016-10-10

Applicant: 商升特公司

Inventor： S.金努萨米 ,  W.H.谭 ,  A.潘 ,  K.K.侯

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L25/065 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/552 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5386

Abstract: 本发明涉及用有微柱的半导体管芯形成DCALGA封装的方法和半导体器件。半导体器件具有布置在衬底之上的第一半导体管芯。在半导体管芯之上形成多个复合互连结构。复合互连结构具有不可熔导电柱和在不可熔导电柱之上形成的可熔层。可熔层被回流以将第一半导体管芯连接到衬底的导电层。不可熔导电柱在回流期间不熔化，从而消除了在衬底之上形成阻焊剂的需要。将密封剂沉积在第一半导体管芯和复合互连结构周围。密封剂在第一半导体管芯的有源表面和衬底之间流动。第二半导体管芯相邻于第一半导体管芯布置在衬底之上。散热器布置在第一半导体管芯之上。密封剂的一部分被移除以暴露散热器。

公开(公告)号：CN106661672A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580034280.0

申请日：2015-06-17

Applicant: 贺利氏德国有限两合公司

Inventor： M.萨兰加帕尼 ,  张兮 ,  杨平熹 ,  E.米尔克

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C21D9/52 ,  C21D1/76

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/003 ,  B21C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 具有10至80微米的直径的铜丝，其中铜丝本体材料是≥ 99.99重量%纯铜或由10至1000重量ppm银和/或0.1至3重量%钯及补足100重量%的作为余量的铜构成的铜合金，其特征在于所述铜丝具有0.5至

公开(公告)号：CN105514057B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610027678.8

申请日：2016-01-15

Applicant: 气派科技股份有限公司

Inventor： 梁大钟

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种高密度集成电路封装结构以及集成电路，属于集成电路封装的技术领域。本发明所述的高密度集成电路封装结构，包括密封金属引线框、芯片以及微米级连接线的长方体塑封结构，所述塑封结构的长度A1满足关系：1.20 mm +（B-8）×0.3 mm /2≤A1≤4.50 mm +B-8）×1.00 mm /2；塑封结构的宽度A2满足关系：1.20 mm≤A2≤3.50 mm；塑封结构的厚度A3满足关系：A3≥0.35mm；B为外引脚线的个数。本发明的封装结构，能够适应芯片制造技术从微米级向亚微米，纳米级发展的需要，满足了低功耗、高速度、大容量、小体积的便携式产品需求。

公开(公告)号：CN104054170B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201280066623.8

申请日：2012-11-29

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·迪尔 ,  R·贝克尔 ,  S·拉默斯 ,  L·米勒 ,  F·贝茨 ,  M·施勒希特

IPC: H01L23/053 ,  H01L23/26

CPC classification number: H01L23/26 ,  H01L21/56 ,  H01L23/053 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种具有防腐蚀压焊连接的电子构件(1)和用于制造这种电子构件的方法。为此电子构件(1)在衬底(4)上具有至少一个半导体芯片(3)。此外，在半导体芯片(3)上设有承受腐蚀风险的压焊连接。作为至少一个半导体芯片装，它们由密闭包封的外壳(5)包围。密闭包封的压焊连接是压焊引线连接(2)，它完全地与至少部分的衬底(4)包封在外壳(5)内。衬底(4)在外壳(5)内具有至少一个表面安装的易水解的元件(6)。(3)和至少一个承受腐蚀风险的压焊连接的封

公开(公告)号：CN105914195A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610024309.3

申请日：2016-01-14

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 天野裕之 ,  滨本拓也 ,  永江祐佳 ,  崎田雄祐 ,  三苫修一 ,  高田满生 ,  桑原岳

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/78601 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/1204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01033 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。

公开(公告)号：CN105745356A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201380081083.5

申请日：2013-11-21

Applicant: 贺利氏德国有限两合公司

Inventor： A.卢卡斯 ,  P.温策尔 ,  M.多伊施勒 ,  E.米尔克 ,  S.托马斯 ,  J.沙夫

IPC: C23C26/00 ,  C23C18/08 ,  C23C30/00 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  H01L21/00 ,  C23C18/02

CPC classification number: B23K35/40 ,  B23K20/007 ,  B23K20/10 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B23K35/322 ,  B23K35/404 ,  B23K2101/42 ,  C22F1/08 ,  C23C14/14 ,  C23C18/08 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00 ,  C23F17/00 ,  C25D5/34 ,  C25D7/0607 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/745 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43823 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/45663 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/45678 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2203/049 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12889 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033

Abstract: 本发明涉及接合线，其包含具有表面（15）的芯（2）和涂层（3），其中芯（2）包含选自铜和银的芯主要组分，涂层（3）至少部分叠加在芯（2）的表面（15）上，其中涂层（3）包含选自钯、铂、金、铑、钌、锇和铱的涂层组分，其中通过使液体的膜沉积在线芯前体上从而将涂层施加在芯的表面上，其中所述液体包含涂层组分前体，并且其中加热所沉积的膜以使涂层组分前体分解成金属相。

公开(公告)号：CN103597590B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201180068538.0

申请日：2011-11-28

Applicant: 大自达电线株式会社

Inventor： 长谷川刚

IPC: H01L21/60 ,  H01B5/02

CPC classification number: H01L24/45 ,  H01L24/43 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45138 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45663 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/8518 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2924/01004

Abstract: 本发明提供一种用于通过球焊法将集成电路元件的电极（a）与电路配线基板的导体配线（c）连接的线径L在50.8μm以下的键合线（W）。其中，芯材（1）含有10～50质量ppm的P，其余部分由铜和不可避免的杂质构成，在该芯材（1）外周的整个面上形成由Pd构成的厚度t2为0.010～0.090μm的被覆层（2），再在其表面上形成厚度t3为0.0001～0.0005μm的碳浓缩层（3）。此外，使通过室温下的拉伸试验测得的拉伸强度（TSR）与250℃下的拉伸试验测得的拉伸强度（TSH）之比（HR＝TSH/TSR×100）为50～70％，该碳浓缩层（3）通过拉丝时的润滑剂的清洗程度而形成，从而形成满足集成电路间缩小化要求的、具有稳定键合强度的在纯铜上镀覆有Pd的键合线。

公开(公告)号：CN105474388A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480038222.0

申请日：2014-07-02

Applicant: 罗森伯格高频技术有限及两合公司

Inventor： S·S·卡希尔 ,  E·A·圣胡安

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6638 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/4556 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85931 ,  H01L2224/85935 ,  H01L2224/85939 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种裸片封装体，其具有提供电磁干扰降低的连接至裸片的引线结构。连接至所述裸片的混合阻抗的引线包括：第一引线，其具有第一金属芯(302)、包围该第一金属芯(302)的电介质层(300,304)和连接至接地端的第一外金属层(306)；以及第二引线，其具有第二金属芯(302)、包围该第二金属芯(302)的第二电介质层(300,304)和连接至接地端的第二外金属层(306)。各引线降低了对EMI和串扰的敏感性。