Patent search cpc:"H01L2224/8314" Page 1

1.

发明授权
内建散热座的散热增益型面朝面半导体组体及制作方法有权

公开(公告)号：CN106206488B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201610365386.5

申请日：2016-05-27

Applicant: 钰桥半导体股份有限公司

Inventor： 林文强 , 王家忠

IPC: H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/4817 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/8314 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06558 , H01L2225/06572 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/37001 , H01L2224/83 , H01L2224/81

Abstract: 本发明提出一种面朝面半导体组体。第一及第二半导体元件面朝面地接置于第一路由电路的两相反侧上，并通过第一路由电路电性连接至互连板。该互连板具有散热座及第二路由电路，该散热座可提供第二半导体元件散热的途径，而形成于散热座上的第二路由电路则电性耦接至第一路由电路。由此，第一路由电路可对第一及第二半导体元件提供初级的扇出路由，而第二路由电路则对第一路由电路提供进一步的扇出线路结构。

2.

发明授权
印刷电路板有权

公开(公告)号：CN104756615B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201380056949.7

申请日：2013-05-09

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 郑元席 , 李圭洹 , 安允镐 , 李又英

IPC: H05K3/46 , H05K1/18

CPC classification number: H05K1/186 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/3135 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/2402 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/82039 , H01L2224/83005 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H05K1/0298 , H05K1/0366 , H05K1/115 , H05K1/185 , H05K3/305 , H05K3/4602 , H05K2201/0195 , H05K2201/10015 , H05K2201/10022 , H05K2201/1003 , H05K2201/10984 , Y02P70/613 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/82

Abstract: 提供了一种印刷电路板，其包括：绝缘层；嵌入绝缘层中的电子装置；以及用于固定电子装置的粘合层。

3.

发明公开
芯片安装方法以及芯片封装体失效

公开(公告)号：CN104576905A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410529229.4

申请日：2014-10-10

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 , 南基明 , 朴胜浩

IPC: H01L33/62 , H01L33/64

CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/4825 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/562 , H01L24/11 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/1134 , H01L2224/1183 , H01L2224/13144 , H01L2224/291 , H01L2224/32013 , H01L2224/32227 , H01L2224/73265 , H01L2224/8314 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83815 , H01L2224/92227 , H01L2924/12041 , H01L2924/15156 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及芯片安装方法，根据本发明的芯片安装方法包括以下步骤：在向基板的内侧方向凹陷的腔室的一面上形成凸点；进行压印加工，以使凸点的表面平坦；对已进行压印加工的凸点涂敷焊接材料；以及熔融焊接材料，将下端形成有电极部或者金属部的芯片接合到凸点上。根据本发明，对于具有竖直绝缘层的金属基板而言，由于芯片的电极部与基板的电极部需要电性连接，所以利用金属基板上附加形成的凸点，使其与芯片的电极部接合，将芯片上产生的热量快速传递给基板，从而降低芯片结温(junction temperature)，可以取得提高光效率并延长寿命的效果。而且，用焊接材料密封芯片接合部位，从而可以防止根据材料的热膨胀系数不同发生的破裂，并避免与外部接触，可以防止粘合部位的氧化，因此无需进行向安装有芯片的内部填充惰性气体的附加工艺，就可以完成封装工艺。

4.

发明公开
元器件内置基板的制造方法以及使用该方法制成的元器件内置基板无效

公开(公告)号：CN103918356A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201180074702.9

申请日：2011-11-08

Applicant: 名幸电子有限公司

Inventor： 今村圭男

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K13/0469 , H01L21/4846 , H01L21/568 , H01L23/145 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/32245 , H01L2224/82039 , H01L2224/82132 , H01L2224/83005 , H01L2224/83132 , H01L2224/8314 , H01L2224/83192 , H01L2224/92144 , H01L2924/14 , H05K1/184 , H05K1/188 , H05K3/007 , H05K3/4602 , H05K2201/09918 , H05K2203/1469 , H05K2203/167 , Y10T29/49135

Abstract: 本发明的元器件内置基板的制造方法在金属层(4)上形成主标记(A、B)以及要与电子元器件(14)的端子(20)相对的圆环状的基座(60)，接着，以主标记(A、B)为基准将电子元器件(14)定位于搭载预定区域(S)并经由粘接层(18)进行搭载，之后，将电子元器件(14)以及主标记(A、B)埋设于绝缘基板(34)内，之后，去除金属层(4)的一部分，形成分别使主标记(A、B)以及基座(60)露出的第一及第二窗口(W1、W2)，以所露出的主标记(A、B)为基准对基座(60)的中央贯通孔(62)内的粘接层(18)照射激光，形成到达端子(20)的激光过孔(46)，将经由对该激光过孔(46)填充铜而形成的导通孔(47)与端子(20)电连接的金属层(4)形成为布线图案(50)。

5.

发明公开
半导体器件无效

公开(公告)号：CN103828044A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201380002517.8

申请日：2013-08-30

Applicant: 微型模块科技株式会社

Inventor： 原园文一

IPC: H01L25/07 , H01L25/18

CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/4334 , H01L23/49524 , H01L23/49534 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/528 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/83 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/7827 , H01L29/861 , H01L2224/26175 , H01L2224/291 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/8314 , H01L2224/83385 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00

Abstract: 本发明实现半导体器件进一步的小型化。提供一种半导体器件（10），其具备：设置于基板（18）上的开关元件（FET14）；第一电极（电极13），其与所述基板（18）夹着所述开关元件地设置在所述基板（18）的相反侧；二极管（12），其与所述开关元件夹着所述第一电极地设置在所述开关元件的相反侧；和第二电极（电极11），其与所述第一电极夹着所述二极管（12）地设置在所述第一电极的相反侧。

6.

发明公开
具有背对背内嵌半导体元件及内建定位件的半导体组体板无效

公开(公告)号：CN103811475A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310532911.4

申请日：2013-11-01

Applicant: 钰桥半导体股份有限公司

Inventor： 林文强 , 王家忠

IPC: H01L25/00 , H05K3/46

CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/83132 , H01L2224/8314 , H01L2224/92244

Abstract: 在本发明较佳实施例中，具有背对背内嵌元件及内建定位件的半导体组体板包括：一中间层、一第一定位件、一第一半导体元件、一第一核心层、一第二定位件、一第二半导体元件、一第二核心层、一第一增层电路、一第二增层电路及一被覆穿孔。第一及第二半导体元件是利用第一及第二定位件作为配置导件而设置在中间层的相反表面，第一及第二定位件是侧向对准第一及第二半导体元件。第一及第二核心层侧向覆盖第一及第二半导体元件。第一及第二增层电路于相反垂直方向覆盖半导体元件及核心层，并提供第一及第二半导体元件的信号路由。

7.

发明公开
半导体器件及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN103137574A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210468856.2

申请日：2012-11-19

Applicant: 富士通半导体股份有限公司

Inventor： 井原匠

IPC: H01L23/367 , H01L21/50

CPC classification number: H01L23/3675 , H01L23/42 , H01L2224/16225 , H01L2224/26165 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/8314 , H01L2924/16251 , H01L2924/19105 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体元件，设置在所述衬底上方；热传导材料，设置在所述半导体元件上方；以及散热器，设置在所述热传导材料上方。所述散热器具有布置在与所述半导体元件相对的区域外侧且朝所述衬底突出的多个突起。即使所述热传导材料在制造时从所述半导体元件上方流出，通过所述多个突起使得流出的热传导材料粘附至所述散热器并沿所述散热器散布。因此，可防止所述热传导材料朝所述衬底的流出或散布或者由其导致的电气故障。

8.

发明公开
半导体封装结构及其制作方法有权

公开(公告)号：CN102142405A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110045794.X

申请日：2011-02-25

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李志成

IPC: H01L23/31 , H01L23/16 , H01L21/50 , H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/8314 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开一种半导体封装结构及其制作方法。该半导体封装结构包括基板、环状阻挡体、粘着层、芯片、第一介电层以及重布线路结构。环状阻挡体配置基板的上表面上且与基板定义出容置凹穴。芯片配置于容置凹穴内且透过粘着层而固定于基板上。芯片具有远离基板的上表面的有源面以及配置于有源面上的多个接垫。第一介电层配置于上表面上且环绕芯片。重布线路结构配置于第一介电层上且包括至少一与芯片的接垫电性连接的图案化导电层。