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公开(公告)号：CN105324454B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480021827.9
申请日：2014-12-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/00 , C09J133/04 , C09J7/30 , H01L21/301
CPC classification number: C09J11/08 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J2201/128 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2475/00 , C09J2483/00 , H01L21/26 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜的粘着层的组合物，其包含：含有一个以上反应性官能团的硅化合物油；粘着粘合剂；和光引发剂，其中含有一个以上反应性官能团的硅化合物油与粘着粘合剂的重量比为0.01％至4.5％；涉及一种包括含有所述组合物的粘着层的切割膜、和包括所述切割膜的切割晶片接合膜、及使用所述切割晶片接合膜的半导体晶圆的切割方法。
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公开(公告)号：CN107262958A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710589627.9
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B23K35/26 , B23K35/28 , B23K35/30 , B23K35/32 , B23K35/36 , B23K35/362 , B23K35/24 , B22F1/00 , C22C1/04 , H01L23/373 , H01L21/48 , H01L23/488
CPC classification number: B23K35/025 , B22F1/0003 , B22F1/0018 , B22F1/0074 , B22F2999/00 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K35/282 , B23K35/286 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/32 , B23K35/322 , B23K35/325 , B23K35/3601 , B23K35/362 , C22C1/0491 , C22C5/06 , H01L21/4867 , H01L23/3737 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0381 , H01L2224/04026 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2732 , H01L2224/2741 , H01L2224/2744 , H01L2224/29006 , H01L2224/29294 , H01L2224/29313 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2936 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29371 , H01L2224/29372 , H01L2224/29373 , H01L2224/29376 , H01L2224/29378 , H01L2224/2938 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/832 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/8322 , H01L2224/83411 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/8384 , H01L2924/01102 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1067 , H01L2924/12044 , H01L2924/15787 , H01L2924/0543 , H01L2924/01031 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , B22F1/0022
Abstract: 本发明提供了包含极性溶剂、分散在所述极性溶剂中且包含第一金属的粒子、和溶解在所述极性溶剂中且与所述第一金属不同的第二金属的金属粒子膏糊，所述极性溶剂选自由醇、二醇醚、酯、氨基化合物、脂肪族烃、和芳香族烃组成的组中，所述第二金属以有机金属化合物或盐的形式添加。本发明还提供了使用了该金属粒子膏糊的固化物及半导体装置。
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公开(公告)号：CN104513632B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410521172.3
申请日：2014-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/04 , C09J9/02 , H01B5/14
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2712 , H01L2224/29005 , H01L2224/29083 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/0665 , H01L2924/15788 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/30101 , H05K3/323 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/05341 , H01L2924/0542 , H01L2924/0103 , H01L2924/0532 , H01L2924/01012 , H01L2924/05342 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/053 , H01L2924/01083 , H01L2924/0536 , H01L2924/01042 , H01L2924/0535 , H01L2924/01023 , H01L2924/01041 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01006
Abstract: 本发明公开了一种各向异性导电膜和一种使用所述各向异性导电膜的半导体装置。所述各向异性导电膜具有三层结构，包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，所述三层以此顺序依序堆叠。所述各向异性导电膜可通过调整所述各别层的流动性使得终端之间的空间可由所述绝缘层充分填充且可抑制导电粒子向所述空间中流出来防止终端之间短路并具有提高的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN102347264B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201110185003.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B37/1284 , B32B38/0004 , B32B38/10 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/20 , C09J165/00 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2223/54406 , H01L2223/5442 , H01L2223/5448 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/73204 , H01L2224/81095 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/92125 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , Y10T156/1052 , Y10T156/1064 , Y10T156/1075 , Y10T156/1077 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1471 , Y10T428/1476 , Y10T428/1495 , Y10T428/15 , Y10T428/21 , H01L21/78 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/13099
Abstract: 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。
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公开(公告)号：CN105940561A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580007303.9
申请日：2015-02-03
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: H01R11/01 , B32B5/30 , C09J4/00 , C09J4/02 , C09J7/00 , C09J9/02 , C09J11/00 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01B5/16 , H01L21/60 , H01R43/00
CPC classification number: H01L24/29 , B32B27/08 , B32B27/14 , B32B27/16 , B32B27/20 , B32B27/308 , B32B27/38 , B32B37/02 , B32B37/24 , B32B2307/202 , B32B2310/0831 , B32B2457/00 , C08K2201/001 , C09J4/00 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J11/00 , C09J163/00 , C09J201/00 , C09J2201/36 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27001 , H01L2224/27003 , H01L2224/27848 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/29364 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/83851 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/2021 , H01L2924/2064 , H01L2924/3511 , H05K3/323
Abstract: 各向异性导电膜具有第1连接层和在其一面形成的第2连接层。第1连接层为光聚合树脂层，第2连接层为热或光阳离子、阴离子或自由基聚合性树脂层。在第1连接层的第2连接层一侧表面，各向异性导电连接用的导电粒子以相对于第1连接层的埋入率为80%以上或1%以上且20%以下的方式排列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105934816A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580007053.9
申请日：2015-02-03
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/13019 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/14131 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/16225 , H01L2224/27003 , H01L2224/27334 , H01L2224/2929 , H01L2224/29293 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2936 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/81395 , H01L2224/81488 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/8313 , H01L2224/83132 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83499 , H01L2224/83851 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2924/381 , H01L2924/00 , H01L2924/0549 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/0544 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/066 , H01L2924/069 , H01L2924/0635 , H01L2924/01006
Abstract: 即便导电性粒子被咬入基板电极与电极端子的台阶部间，也充分地压入被夹持在基板电极及电极端子的各主面部的导电性粒子，从而确保导通性。经由各向异性导电粘接剂（1）而对电路基板（12）连接有电子部件（18），在电路基板（12）的基板电极（17a）及电子部件（18）的电极端子（19），形成有在各侧缘部互相对接的台阶部（27、28），基板电极（17a）及电极端子（19）在各主面部间及台阶部（27、28）间夹持导电性粒子（4），导电性粒子（4）和台阶部（27、28）满足（1）a＋b＋c≤0.8D[a：电极端子的台阶部高度，b：基板电极的台阶部高度，c：台阶部间间隙，D：导电性粒子的直径]。
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公开(公告)号：CN105283948A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480002131.1
申请日：2014-09-10
Applicant: 迪睿合株式会社
Inventor： 小山太一
IPC: H01L21/60 , C09J7/00 , C09J11/06 , C09J133/16 , C09J163/02
CPC classification number: C09J163/00 , C08G59/4215 , C08L63/00 , C09D133/066 , C09J133/20 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/186 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05341 , H01L2924/0549 , H01L2924/0532 , H01L2924/0102 , H01L2924/0544 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2224/27 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L21/78 , C08L33/16
Abstract: 提供一种能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。采用一种底部填充材料，其含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物，在60℃以上100℃以下的任意温度，显示非宾厄姆流动性，动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E＋02rad/s以下的角频率区域具有拐点，该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E＋05Pa以上10E＋06Pa以下。由此，能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。
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公开(公告)号：CN105264033A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031647.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J7/02 , C09J133/04 , C09J163/00 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L63/00 , C09D133/04 , C09J7/29 , C09J133/04 , C09J2203/326 , C09J2400/22 , C09J2433/006 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83885 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2224/83862 , H01L2224/8388 , H01L2224/27 , H01L2221/68304 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种切割膜，其包括:基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合层的交联度为80％至99％，还涉及一种包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。
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公开(公告)号：CN105143382A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022020.7
申请日：2014-12-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/08 , C09J11/06 , C09J133/04 , C09J7/02 , H01L21/58
CPC classification number: C09J11/08 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L21/78 , H01L2224/83
Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜粘合层的组合物、一种包括含有所述组合物的粘合层的切割膜、一种包括切割膜的切割晶片键合膜以及一种使用切割晶片键合膜切割半导体晶片的方法，所述组合物包含：聚合物添加剂、粘结粘合剂和光引发剂，所述聚合物添加剂包括一种或多种选自如下的聚合物：含有(甲基)丙烯酸酯基官能团和非极性官能团的聚合物、含有至少一个氟的(甲基)丙烯酸酯基聚合物和含有反应性官能团的硅改性的(甲基)丙烯酸酯基聚合物，其中聚合物添加剂与粘结粘合剂的重量比为0.01％至4.5％。
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公开(公告)号：CN104681451A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410665822.1
申请日：2014-11-19
Applicant: 马克西姆综合产品公司
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/4864 , H01L21/6836 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/24137 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83002 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83862 , H01L2224/83912 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2924/15156 , H01L2924/15165 , H01L2924/00014 , H01L2224/27 , H01L2924/014 , H01L2224/03
Abstract: 本发明描述了采用被构造成对基片和裸片之间的粘合剂施加进行控制的技术的半导体器件。在一种实现方式中，牺牲层被设置在裸片的顶表面上以保护该表面和该表面上的接合垫免受粘合剂的溢出。随后，牺牲层和溢出的粘合剂被从裸片和/或芯片载体去除。在一种实现方式中，裸片包括裸片底表面上的用于将裸片粘附到基片的腔中的裸片附着膜(DAF)。裸片被利用热和压力施加到腔中，以便致使裸片附着膜(DAF)的一部分从裸片底表面流到基片腔的带斜坡的表面。
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