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公开(公告)号：CN103620753B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201280030395.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , C11D7/265 , C11D11/0047 , H01L21/4835 , H01L23/3107 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/4847 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/73265 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83855 , H01L2224/8501 , H01L2224/85011 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2224/85
Abstract: 处理半导体衬底以从其除去不想要的物质或为后续接合准备所述半导体衬底的表面的方法，其中所述衬底包含引线框，所述引线框包含管芯、接合焊盘、触头、和导线，所述方法包括将所述衬底与可用于所述方法的液体清洁组合物相接触的步骤。
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公开(公告)号：CN102802846B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201080065477.8
申请日：2010-04-23
Applicant: 同和电子科技有限公司
CPC classification number: H01L24/83 , B22F1/0014 , B22F1/0018 , B22F1/0062 , B22F7/064 , B22F9/24 , B22F2301/255 , B22F2303/01 , B22F2304/054 , B22F2304/056 , B22F2999/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/20 , B23K1/203 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/36 , B23K35/3618 , B23K2101/42 , B82Y30/00 , C09J11/06 , C22C5/06 , H01B1/02 , H01L24/11 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/2949 , H01L2224/32145 , H01L2224/32221 , H01L2224/83011 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/203 , H05K3/32 , H05K3/3489 , H05K2201/0257 , H05K2203/086 , H05K2203/1131 , H01L2224/2919 , H01L2924/3512
Abstract: 提供使用金属纳米粒子形成的接合体的形成方法。具体是提供含有即使是在惰性气氛下也能够形成金属相的焊剂成分的膏料。通过使用该膏料，能够提供在以氮气为代表的惰性气氛下且低温下，而且无需进行以往所需的加压，就能够发挥可经受实用的接合强度的接合材料。通过使用膏料的构成为含有平均一次粒径1～200nm、被碳数8以下的有机物质被覆的银纳米粒子与至少具有两个羧基的焊剂成分及分散介质的构成的接合材料，即使是300℃以下的温度也能够进行物质间接合。
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公开(公告)号：CN103718253A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280038121.4
申请日：2012-08-01
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01B1/20 , C08L101/12 , C09J9/02 , C09J11/00 , C09J201/00 , H01B5/16 , H01L21/60 , H01R11/01 , H05K1/14
CPC classification number: H01L24/29 , C08K9/02 , C09J9/02 , C09J11/00 , H01B1/22 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/29401 , H01L2224/29411 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/29464 , H01L2224/83011 , H01L2224/83851 , H01L2224/83856 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01R4/04 , H01R12/52 , H05K3/323 , H05K3/361 , H05K2201/0221 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供尽管使用了阳离子发生剂，在将连接对象部件的电极间电连接时也能够提高所得连接结构体的导通可靠性及绝缘可靠性的导电材料、以及使用了该导电材料的连接结构体。本发明的导电材料包含固化性成分、阳离子交换体、阴离子交换体及导电性粒子(5)。所述固化性成分含有固化性化合物和阳离子发生剂。本发明的连接结构体(1)具备第1连接对象部件(2)、第2连接对象部件(4)、以及将第1连接对象部件(2)和第2连接对象部件(4)电连接的连接部(3)。连接部(3)通过使上述导电材料固化而形成。
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公开(公告)号：CN103377956A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310129982.X
申请日：2013-04-15
Applicant: 亚太优势微系统股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种基材的接合方法，包含:首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材的表面，一第二银层覆盖第二基材的表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一钖层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆的质量，使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号：CN102802846A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080065477.8
申请日：2010-04-23
Applicant: 同和电子科技有限公司
CPC classification number: H01L24/83 , B22F1/0014 , B22F1/0018 , B22F1/0062 , B22F7/064 , B22F9/24 , B22F2301/255 , B22F2303/01 , B22F2304/054 , B22F2304/056 , B22F2999/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/20 , B23K1/203 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/36 , B23K35/3618 , B23K2101/42 , B82Y30/00 , C09J11/06 , C22C5/06 , H01B1/02 , H01L24/11 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/2949 , H01L2224/32145 , H01L2224/32221 , H01L2224/83011 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/203 , H05K3/32 , H05K3/3489 , H05K2201/0257 , H05K2203/086 , H05K2203/1131 , H01L2224/2919 , H01L2924/3512
Abstract: 提供使用金属纳米粒子形成的接合体的形成方法。具体是提供含有即使是在惰性气氛下也能够形成金属相的焊剂成分的膏料。通过使用该膏料，能够提供在以氮气为代表的惰性气氛下且低温下，而且无需进行以往所需的加压，就能够发挥可经受实用的接合强度的接合材料。通过使用膏料的构成为含有平均一次粒径1～200nm、被碳数8以下的有机物质被覆的银纳米粒子与至少具有两个羧基的焊剂成分及分散介质的构成的接合材料，即使是300℃以下的温度也能够进行物质间接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105448861A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410308869.2
申请日：2014-06-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 陈福成
IPC: H01L23/48 , H01L21/603 , H01L21/98
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02175 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0381 , H01L2224/03831 , H01L2224/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05027 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05647 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/06051 , H01L2224/061 , H01L2224/06505 , H01L2224/08058 , H01L2224/08111 , H01L2224/08145 , H01L2224/10145 , H01L2224/1148 , H01L2224/1181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/27831 , H01L2224/29187 , H01L2224/32145 , H01L2224/73101 , H01L2224/73104 , H01L2224/73201 , H01L2224/73204 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81895 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83896 , H01L2224/83948 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2225/06593 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/05442 , H01L2924/059 , H01L2924/04642 , H01L2924/05042 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2224/80 , H01L2924/00
Abstract: 本申请公开了一种芯片、其制作方法及层叠芯片的制作方法。其中，该芯片包括：芯片基板；介质层，设置于芯片基板上，介质层包括第一介质区和环绕在第一介质区外周的第二介质区，且第一介质区的上表面低于第二介质区的上表面；金属层，设置于第一介质区并贯穿介质层，且金属层与芯片基板连接。在上述芯片中通过降低围绕在金属层外周的第一介质区相对于金属层的高度，使得暴露在第一介质层外面的金属层的体积增加。将该芯片与其它芯片进行键合过程中，在键合压力不变的情况下金属层内部的应力会减小，使得金属层的延展程度得以减小，进而提高层叠芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN103985667A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310556722.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 财团法人交大思源基金会
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/49866 , H01L23/53228 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/03826 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05666 , H01L2224/11462 , H01L2224/13005 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/16145 , H01L2224/27462 , H01L2224/29005 , H01L2224/29023 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/32145 , H01L2224/75272 , H01L2224/75704 , H01L2224/75705 , H01L2224/81011 , H01L2224/8109 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81208 , H01L2224/8121 , H01L2224/8183 , H01L2224/81895 , H01L2224/83011 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83208 , H01L2224/8321 , H01L2224/8383 , H01L2224/83895 , H01L2224/94 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
Abstract: 本发明是有关于一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构及其制备方法，其中制备方法包括：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上设有一第一铜膜，第二基板上设有一第一金属膜，第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将第一铜膜及第一金属膜相互接合以形成接点，其中第一铜膜的第一接合面与第一金属膜的第二接合面相互对应。
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公开(公告)号：CN102665997A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201180003586.1
申请日：2011-05-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B23K20/023 , B23K2103/12 , H01L24/83 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83895
Abstract: 本发明提供一种金属接合方法，在覆盖第一基体材料部(12)(铜)的第一覆膜部(14)(氧化铜)和覆盖第二基体材料部(22)(铜)的第二覆膜部(24)(氧化铜)之间，填充第一覆膜部(14)的氧化铜及第二覆膜部(24)的氧化铜熔析的溶液(30)，使构成第一覆膜部(14)及第二覆膜部(24)的氧化铜在溶液(30)中熔析。通过使用冲压机以提高溶液(30)压力的方式对第一被接合部(10)和第二被接合部(20)一边加压一边在200℃～300℃较低温度条件下加热，来去除溶液(30)中铜以外的成分并使铜析出，通过析出的铜接合第一基体材料部(12)和第二基体材料部(22)。
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公开(公告)号：CN1790682B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200510119444.8
申请日：2005-11-10
Applicant: 日本冲信息株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , B41J2/45 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L27/153 , H01L2224/27444 , H01L2224/2747 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29114 , H01L2224/29117 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/32502 , H01L2224/83005 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8382 , H01L2224/83825 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/10349 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/00014 , H01L2924/01007 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体复合装置，它包括半导体薄膜层(105，501，806)以及基板(101，503，801)。半导体薄膜层(105，501，806)和基板被形成在半导体薄膜层与基板之间的高熔点金属和低熔点金属的合金层(121+122，511+512，911+912)彼此键合。此合金的熔点高于低熔点金属(104，404，804)的熔点。合金层(121+122，511+512，911+912)包含低熔点金属(104，404，804)与所述半导体薄膜层(105，501，806)的材料反应产生的产物(122，511，912)。
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公开(公告)号：CN103718253B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280038121.4
申请日：2012-08-01
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01B1/20 , C08L101/12 , C09J9/02 , C09J11/00 , C09J201/00 , H01B5/16 , H01L21/60 , H01R11/01 , H05K1/14
CPC classification number: H01L24/29 , C08K9/02 , C09J9/02 , C09J11/00 , H01B1/22 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/29401 , H01L2224/29411 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/29464 , H01L2224/83011 , H01L2224/83851 , H01L2224/83856 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01R4/04 , H01R12/52 , H05K3/323 , H05K3/361 , H05K2201/0221 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供尽管使用了阳离子发生剂，在将连接对象部件的电极间电连接时也能够提高所得连接结构体的导通可靠性及绝缘可靠性的导电材料、以及使用了该导电材料的连接结构体。本发明的导电材料包含固化性成分、阳离子交换体、阴离子交换体及导电性粒子(5)。所述固化性成分含有固化性化合物和阳离子发生剂。本发明的连接结构体(1)具备第1连接对象部件(2)、第2连接对象部件(4)、以及将第1连接对象部件(2)和第2连接对象部件(4)电连接的连接部(3)。连接部(3)通过使上述导电材料固化而形成。
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