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1.

发明授权
半导体器件和制造方法有权

公开(公告)号：CN106206529B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201510221086.5

申请日：2015-05-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 , 蔡柏豪 , 郑礼辉

IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/1133 , H01L2224/1182 , H01L2224/11831 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81801 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2224/83 , H01L2224/48227 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造方法。放置与所述通孔电连接的可回流材料，其中，通孔延伸穿过密封剂。在可回流材料上方形成保护层。在实施例中，在保护层内形成开口以暴露可回流材料。在另一实施例中，形成保护层从而使得可回流材料延伸为远离保护层。本发明涉及半导体器件和制造方法。

2.

发明授权
集成电路封装件及其形成方法有权

公开(公告)号：CN106158824B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201510171945.4

申请日：2015-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄麟智 , 邓宏安 , 陈新瑜 , 吴仓聚 , 谢政杰

IPC: H01L23/522 , H01L21/50 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/145 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/92124 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2224/81805 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81

Abstract: 本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。在载体上形成一个或多个再分布层。在RDL的第一侧上形成第一连接件。使用第一连接件将管芯接合至RDL的第一侧。在RDL的第一侧上和管芯周围形成密封剂。从上面的结构剥离载体，以及在RDL的第二侧上形成第二连接件。切割产生的结构以形成单独的封装件。

3.

发明公开
一种微发光二极管芯片的转移方法有权

公开(公告)号：CN109273565A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811194796.3

申请日：2018-10-15

Applicant: 华映科技(集团)股份有限公司

Inventor： 陈燕丽 , 李敏 , 徐强武 , 黄忠航 , 鄢群峰

IPC: H01L33/00 , H01L21/683

CPC classification number: H01L33/0095 , H01L21/6835 , H01L2221/68386

Abstract: 本发明适用于显示技术领域，提供了一种微发光二极管芯片的转移方法，包括以下步骤：提供中转换基板，中转换基板依次包括中间衬底、多个微发光二极管芯片、多个第一磁性层，以及多个第一结合层；提供接受基板，接受基板依次包括衬底基板、多个第二磁性层、多个第二结合层，以及磁性控制线路；将接受基板与中转换基板对组，使得多个第一磁性层与多个第二磁性层一一对应；对磁性控制线路进行通电，第二磁性层具有磁性，使得第一磁性层与对应的第二磁性层磁吸，并且每一第一结合层与对应的第二结合层能够相互结合，从而将所述微发光二极管芯片转移到所述接受基板上，解决了目前纳米级的微发光二极管芯片难以转移至接受基板上的技术问题。

4.

发明公开
半导体封装及用于制造半导体封装的方法无效

公开(公告)号：CN109148386A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710815735.3

申请日：2017-09-12

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 博恩·卡尔·艾皮特

IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56

CPC classification number: H01L24/24 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L24/04 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/25 , H01L25/0657 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/211 , H01L2224/24105 , H01L2224/24137 , H01L2224/25171 , H01L2224/32225 , H01L2224/48137 , H01L2224/73209 , H01L2224/73217 , H01L2224/73227 , H01L2224/73259 , H01L2224/73267 , H01L2225/06506 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L23/3121 , H01L21/561 , H01L23/49811 , H01L23/49827

Abstract: 本发明揭示一种半导体封装，其包含至少一个半导体元件、封装体、第一电路、第二电路及至少一个第一柱状凸块。所述封装体覆盖所述半导体元件的至少一部分。所述封装体具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电路安置成邻近于所述封装体的所述第一表面。所述第二电路安置成邻近于所述封装体的所述第二表面。所述第一柱状凸块安置在所述封装体中，且电连接所述第一电路及所述第二电路。所述第一柱状凸块直接接触所述第二电路。

5.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN109037067A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810881618.1

申请日：2018-08-06

Applicant: 苏州汉骅半导体有限公司

Inventor： 范谦 , 倪贤锋 , 何伟

IPC: H01L21/335 , H01L21/683 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/423

CPC classification number: H01L29/401 , H01L21/6835 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L2221/68363

Abstract: 本申请提出一种半导体器件及其制造方法，包括：在第一衬底上依次生长缓冲层和势垒层；在所述势垒层上生长第一栅极，形成第一结构；在所述第一结构上生长介质层；将所述介质层与第二衬底键合，并去除所述第一衬底，形成第二结构；将所述第二结构倒置，并对所述缓冲层进行减薄处理；在减薄后的缓冲层上生长源极、漏极和第二栅极。本申请所提出的半导体器件及其制造方法，降低了接触电阻，减小了背栅与二维电子气之间的距离，增强对沟道的控制能力。

6.

发明公开
半导体封装及制造其的方法有权

公开(公告)号：CN109003963A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810572690.6

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金原永 , 姜善远

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/5226 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2225/1035

Abstract: 半导体封装包括：第一互连基板，该第一互连基板在第一重新分布基板上并且具有贯穿第一互连基板的第一开口。第一半导体芯片在第一重新分布基板上，并且在第一互连基板的第一开口中。第二重新分布基板在第一互连基板和第一半导体芯片上。第二互连基板在第二重新分布基板上，并且具有贯穿第二互连基板的第二开口。第二半导体芯片在第二重新分布基板上，并且在第二互连基板的第二开口中。

7.

发明公开
元件内埋式封装载板及其制作方法无效

公开(公告)号：CN108987371A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710616762.8

申请日：2017-07-26

Applicant: 旭德科技股份有限公司

Inventor： 杨景筌

IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H05K1/18

CPC classification number: H05K1/185 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/6835 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/24155 , H01L2224/2518 , H01L2224/82005 , H01L2924/1304 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19102 , H05K1/115 , H05K3/0026 , H05K3/0047 , H05K3/007 , H05K3/288 , H05K3/32 , H05K3/423 , H05K3/429 , H05K3/4652 , H05K2201/09036 , H05K2201/09045 , H05K2201/09509 , H05K2201/09536 , H05K2201/10015 , H05K2201/10022 , H05K2201/1003 , H05K2201/10166 , H05K2201/10568 , H05K2203/0165 , H05K2203/065 , H05K2203/107 , H05K2203/1469

Abstract: 本发明公开一种元件内埋式封装载板及其制作方法。元件内埋式封装载板包括核心层、至少一电子元件、第一绝缘层、第二绝缘层、第三图案化导电层、第四图案化导电层、多个导电盲孔结构、第一保护层以及第二保护层。电子元件配置于核心层的开口内。第一绝缘层与第二绝缘层完全填满开口且完全包覆电子元件。导电盲孔结构连接第三、第四图案化导电层与核心层的多个导电通孔结构，以及第三、第四图案化导电层与电子元件。第一保护层覆盖第三图案化导电层且具有第一粗糙表面。第二保护层覆盖第四图案化导电层且具有第二粗糙表面。

8.

发明公开
用于封装应用的溅射系统和方法有权

公开(公告)号：CN108886035A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780018278.3

申请日：2017-01-31

Applicant: 天工方案公司

Inventor： H.M.阮 , M.S.里德

IPC: H01L23/66 , H01L23/64 , H01L23/552 , H01L23/50 , H01L23/00 , H01L23/538

CPC classification number: H01L23/552 , C23C14/50 , C23C14/54 , H01L21/2855 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L2224/16227 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025

Abstract: 一种用于封装应用的溅射系统和方法。在一些实施例中，用于处理多个封装的装置的方法可以包含形成或提供第一组件，第一组件具有漏印板和附接到漏印板的第一侧的双面粘合件，且漏印板具有多个开口，并且双面粘合件具有对应于漏印板的开口的多个开口。方法还可以包含将第一组件附接到环，以提供第二组件，且环被尺寸化以便于沉积工艺。方法还可以包含将多个封装的装置装载到第二组件上，使得每个封装的装置由第一组件的双面粘合件保持，并且每个封装的装置的一部分延伸到双面粘合件的对应的开口中。