公开(公告)号：CN108701660A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082294.4

申请日：2016-11-10

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 裵仁燮 ,  姜圣日

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/768 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/768 ,  H01L23/142 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247

Abstract: 本发明提供一种半导体封装衬底，在所述半导体封装衬底中使用由绝缘材料形成的树脂来填充具有上表面及下表面且由导电材料形成的基础衬底，所述半导体封装衬底包括：管芯垫，由所述导电材料形成且位于所述上表面上；以及引线，通过与所述管芯垫电隔离而排列于所述上表面上，且包括接合垫，所述接合垫为打线接合区域，其中所述接合垫包括朝所述下表面突出的突出部，且所述突出部被所述树脂环绕。

公开(公告)号：CN108133895A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711237923.9

申请日：2017-11-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A.布格哈特

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/15

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/84 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/15 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/142

Abstract: 本发明涉及用于制备金属-陶瓷-基板（10）的方法，其具有下述步骤：-提供具有第一电路技术结构的第一层（20），其中该第一层（20）具有第一金属合金或由第一金属合金构成，其具有比所述第一金属合金的主要金属小的热膨胀系数；-提供第二层（22），该第二层（22）没有电路技术结构或具有与第一电路技术结构不同的第二结构，其中所述第二层（22）具有第二金属合金或由第二金属合金构成，其中所述第二金属合金具有第一金属合金的主要金属作为主要金属，并且具有比该主要金属小的热膨胀系数；和-将第一层（20）与陶瓷基板（14）的上侧（16）和将第二层（22）与陶瓷基板（14）的下侧（18）结合。

公开(公告)号：CN107683636A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201680035631.4

申请日：2016-06-09

Applicant: 日本电产三协株式会社

Inventor： 横沢满雄

IPC: H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02

CPC classification number: H01L23/12 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/42 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/05 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/422 ,  H05K3/425 ,  H05K3/46 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/09781

Abstract: 提供一种电路板，其能以比以往高的效率释放被高密度安装的电子零件散发的热量。电路板(2)具有被层叠于铝制的基材(31)的正面(31a)一侧的第一配线层(33)和第二配线层(34)。第二配线层(34)位于第一配线层(33)与基材(31)之间。第一配线层(33)具有焊盘(40)，其放置并连接作为晶圆级芯片尺寸封装(4)的端子(30a)的BGA(30)。焊盘(40)通过形成于从层叠方向(Z)观察时与该焊盘(40)重叠的位置的通孔填充电镀(41)与第二配线层(34)导通。晶圆级芯片尺寸封装(4)的热量通过焊盘(40)、通孔填充电镀(41)、第二配线层(34)传递到基材(31)，再从基材(31)释放出去。

公开(公告)号：CN107146775A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710448408.9

申请日：2017-06-14

Applicant: 扬州国扬电子有限公司

Inventor： 牛利刚 ,  王玉林 ,  滕鹤松 ,  徐文辉

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/071 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明公开了一种低寄生电感双面散热功率模块，包括正极功率端子、负极功率端子、输出功率端子、顶部金属绝缘基板以及底部金属绝缘基板，顶部金属绝缘基板与底部金属绝缘基板叠层设置，顶部金属绝缘基板与底部金属绝缘基板在二者相对的面上均烧结有芯片，正极功率端子与底部金属绝缘基板上的芯片电连接，负极功率端子与顶部金属绝缘基板上的芯片电连接；输出功率端子包括焊接部和设有安装孔的连接部，焊接部位于顶部金属绝缘基板上烧结的芯片与底部金属绝缘基板上烧结的芯片之间。本发明大大降低了回路寄生电感，减小了功率模块的体积，节约了成本，减轻了重量，尤其适合SiC功率芯片的封装，充分提高了过流能力，提高了模块的可靠性。

公开(公告)号：CN106409688A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610862346.1

申请日：2016-09-28

Applicant: 深南电路股份有限公司

Inventor： 郑仰存 ,  李飒 ,  谷新 ,  李俊

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/486 ,  H01L23/142 ,  H01L23/49866

Abstract: 一种超薄无芯封装基板的加工方法，包括：提供包括复合铜箔层的承载板，复合铜箔层包括可分离的支撑基底层与超薄铜箔层；在超薄铜箔层上制作第一线路层，压合绝缘层和外层铜箔层；制作导通孔，在外层铜箔层上制作第二线路层，与第一线路层通过导通孔电连接；对第二线路层进行阻焊和表面涂覆处理；将超薄铜箔层与支撑基底层分离，在得到的超薄无芯封装基板上粘结支撑板；微蚀去除超薄铜箔层，显露出第一线路层；对第一线路层进行阻焊和表面涂覆处理。本发明实施例还提供相应的超薄无芯封装基板结构。本发明技术方案利用支撑板的保护和加强作用，有助于解决现有技术中因超薄无芯封装基板强度不足，容易变形翘曲导致的产品折损等问题。

公开(公告)号：CN106252296A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610703248.3

申请日：2016-08-23

Applicant: 太仓市威士达电子有限公司

Inventor： 何振威

IPC: H01L23/14

CPC classification number: H01L23/142 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明公开了一种用于混合集成电路封装的金属底板，其特征在于：包括底板本体、底板台阶、圆形槽、脚标记、引线孔、内筋、外筋，所述的底板台阶在底板本体的下面，所述的底板本体底面设有2个以上的圆形槽，所述的圆形槽的轴线在底板本体的前后中性面上，所述的底板本体顶面设有脚标记，所述的底板本体上设有若干个对称分布的引线孔，所述的底板引线孔的轴线远离底板本体的前后中性面，所述的底板台阶上设有内筋，所述的内筋的高度不大于1mm，所述的底板台阶上设有外筋，所述的外筋和内筋形状相同。本发明结构简单，机械强度好，电信号传输稳定，热膨胀小，气密性好，使用性能稳定，可靠性高，可用于各级混合集成电路的封装。

公开(公告)号：CN105980334A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008014.0

申请日：2015-02-12

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 寺崎伸幸 ,  长友义幸

IPC: C04B37/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L21/4807 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/345 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/38 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明的铜‑陶瓷接合体接合由铜或铜合金构成的铜部件(22)与由氮化物陶瓷构成的陶瓷部件(11)，在铜部件(22)与陶瓷部件(11)的接合界面，形成有含有活性元素和氧的活性元素氧化物层(30)，该活性元素氧化物层(30)的厚度t设在5nm以上且220nm以下的范围内。

公开(公告)号：CN103842434B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201280047409.8

申请日：2012-07-27

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 文诚培 ,  朴宰万 ,  尹钟钦 ,  金海燕 ,  赵寅熙

IPC: C08L63/00 ,  C08K3/00 ,  C08G59/18 ,  H05K7/20

CPC classification number: H05K1/0201 ,  C08G59/184 ,  C08K3/22 ,  C08K2003/2227 ,  C08L63/00 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3737 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/056 ,  H05K2201/0209 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种环氧树脂组合物以及使用该环氧树脂组合物的辐射热电路板。所述环氧树脂组合物主要包含环氧树脂、固化剂和无机填料。所述固化剂包含环氧加合物，该环氧加合物被构成用于使该固化剂加入到结晶环氧树脂中。所述环氧树脂在印刷电路板上用作绝缘材料，从而提供了一种具有高热辐射性能的基板。

公开(公告)号：CN103178025B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210557719.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.赫格劳尔 ,  K.C.李 ,  李德森 ,  R.奥特伦巴 ,  Y.C.傅 ,  X.施勒格尔 ,  J.施雷德尔 ,  S.L.C.陈

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L25/16 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/142 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造方法。在各个实施例中，一种半导体器件可以包括：载体；半导体芯片，设置在载体的第一侧上方；叠层，设置在载体与半导体芯片之间或者载体的与半导体芯片相对的第二侧上方或者二者，该叠层至少包括第一电绝缘层，该第一电绝缘层具有层压片，该层压片具有第一电绝缘基质材料以及嵌入到第一电绝缘基质材料中的第一机械稳定材料。

公开(公告)号：CN103208466B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210385975.1

申请日：2012-10-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈诚次 ,  多田和弘 ,  吉田博

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/3043 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L29/02 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置（100）具备：金属基板（10），其包含金属底座板（1）、在金属底座板（1）上配置的绝缘片（2）及在绝缘片（2）上配置的布线图案（3）；和半导体元件（4），其配置在金属基板（10）上。半导体元件（4）被模制树脂（8）密封。模制树脂（8）延伸到金属基板（10）的侧面。在金属基板（10）的侧面，绝缘片（2）及布线图案（3）不从模制树脂（8）露出，另一方面，金属底座板（1）具有从模制树脂（8）露出的伸出部（1a）。根据本发明，能够提高采用成批传递模制方式制造的半导体装置的可靠性。