Patent search cpc:"H01L2224/83055" Page 1

1.

发明授权
用于制造复合体和半导体模块的方法有权

公开(公告)号：CN103715103B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310293402.0

申请日：2013-07-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 洪涛

IPC: H01L21/50 , H01L21/603

CPC classification number: H01L24/89 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/04026 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/2732 , H01L2224/27334 , H01L2224/27418 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/7511 , H01L2224/75251 , H01L2224/75315 , H01L2224/7532 , H01L2224/81005 , H01L2224/81209 , H01L2224/83054 , H01L2224/83055 , H01L2224/83093 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83222 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/8381 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2924/1203 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , Y10T29/49117 , Y10T156/10 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造复合体和半导体模块的方法。提供具有容纳区域的保持框架以及工作缸。提供数量N≥1的压强室。每个压强室具有第一和第二壳体元件。每一个压强室装备有第一接合伙伴、第二接合伙伴、连接装置和密封装置，而且连接装置布置在第一接合伙伴和第二接合伙伴之间。在此至少连接装置布置在压强室的第一室区域中。每个压强室被放入到容纳区域中。在每个压强室中第一壳体元件按压第二壳体元件，其中放入到容纳区域中的压强室借助于工作缸被夹持在工作缸和保持框架之间。在被夹持的状态下，在压强室的第二室区域中产生高于第一气压的第二气压。由此在相应的压强室内第一接合伙伴、第二接合伙伴和位于它们之间的连接装置彼此按压。

2.

发明授权
导电性糊料和芯片焊接方法有权

公开(公告)号：CN104246910B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201380019429.9

申请日：2013-08-20

Applicant: 化研科技株式会社

Inventor： 堀薰夫 , 古井裕彦 , 藤田晶

IPC: H01B1/22 , H01B1/00 , H01L21/52

CPC classification number: H01L24/83 , B22F1/0051 , B22F1/0062 , B22F1/0074 , B22F9/24 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K31/12 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3613 , H01B1/22 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/04026 , H01L2224/05639 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29395 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/29499 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8321 , H01L2224/8323 , H01L2224/83439 , H01L2224/8384 , H01L2924/01047 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/0665 , H01L2924/066

Abstract: 本发明提供一种导电性糊料以及使用其的芯片焊接方法，所述导电性糊料通过使用具有由XRD分析所规定的规定结晶变化特性的银粒子，从而能够容易地控制导电性糊料中的银粒子的烧结性，并且在烧结处理后能够稳定地得到优异的导电性以及导热性。一种含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1～30μm的银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料等，将银粒子烧结前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ＝38°±0.2°的峰的积分强度设为S1，将银粒子烧结处理后(250℃，60分钟)的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ＝38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时，使S2/S1的值为0.2～0.8范围内的值。

3.

发明公开
接合银浆的方法无效

公开(公告)号：CN104752240A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410432816.1

申请日：2014-08-28

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 洪坰国 , 姜修槟

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/27 , B22F1/0085 , B22F1/0096 , B22F1/02 , B22F3/10 , B22F3/1003 , B22F2998/10 , B23K1/00 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/3006 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27505 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29488 , H01L2224/3201 , H01L2224/83055 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2924/10272 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种接合银浆的方法，其包括制备包含多个银粉末和能够环绕各个银粉末的固相烧结介质材料的银浆。此外，该方法包括在大于大气压水平的氧分压下加热银浆，以及接合银粉末。

4.

发明公开
导电性糊料和芯片焊接方法有权

公开(公告)号：CN104246910A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380019429.9

申请日：2013-08-20

Applicant: 化研科技株式会社

Inventor： 堀薰夫 , 古井裕彦 , 藤田晶

IPC: H01B1/22 , H01B1/00 , H01L21/52

CPC classification number: H01L24/83 , B22F1/0051 , B22F1/0062 , B22F1/0074 , B22F9/24 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K31/12 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3613 , H01B1/22 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/04026 , H01L2224/05639 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29395 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/29499 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8321 , H01L2224/8323 , H01L2224/83439 , H01L2224/8384 , H01L2924/01047 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/0665 , H01L2924/066

Abstract: 本发明提供一种导电性糊料以及使用其的芯片焊接方法，所述导电性糊料通过使用具有由XRD分析所规定的规定结晶变化特性的银粒子，从而能够容易地控制导电性糊料中的银粒子的烧结性，并且在烧结处理后能够稳定地得到优异的导电性以及导热性。一种含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1～30μm的银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料等，将银粒子烧结前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ＝38°±0.2°的峰的积分强度设为S1，将银粒子烧结处理后(250℃，60分钟)的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ＝38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时，使S2/S1的值为0.2～0.8范围内的值。

5.

发明公开
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN104051401A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410095780.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 梶原良一 , 中条卓也 , 新井克夫 , 谷藤雄一 , 冈浩伟 , 宝蔵寺裕之

IPC: H01L23/495 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49 , H01L21/50 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/3192 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29294 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/3011 , H01L2224/3201 , H01L2224/32013 , H01L2224/32058 , H01L2224/32059 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45565 , H01L2224/45616 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48997 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/83055 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8392 , H01L2224/83951 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/8592 , H01L2224/85951 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/10272 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/06 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/01013 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/83205

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的解决的一个问题是提高半导体装置的可靠性。具有：管芯焊盘（6）、搭载于管芯焊盘（6）的SiC芯片（1）、对管芯焊盘（6）和SiC芯片（1）进行接合的多孔质的第1烧结Ag层（16）、以及覆盖第1烧结Ag层（16）的表面并且被形成为圆角状的加强树脂部（17）。进而，具有与SiC芯片（1）的源电极（2）电连接的源极引线（9）、与栅电极（3）电连接的栅极引线、与漏电极（4）电连接的漏极引线、以及覆盖SiC芯片（1）、第1烧结Ag层（16）及管芯焊盘（6）的一部分的密封体（14），加强树脂部（17）覆盖SiC芯片（1）的侧面（1c）的一部分。

6.

发明授权
通过压力烧结接合元件的方法有权转让

公开(公告)号：CN106536096B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201580040062.8

申请日：2015-03-18

Applicant: 贺利氏德国有限两合公司

Inventor： M.舍费尔 , W.施密特

IPC: B22F5/00 , B22F7/04 , H05K3/32

CPC classification number: B22F5/006 , B22F3/1003 , B22F3/24 , B22F7/04 , B22F2003/242 , B22F2301/255 , B22F2302/25 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , C25D11/34 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05186 , H01L2224/27003 , H01L2224/27505 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29164 , H01L2224/29186 , H01L2224/2957 , H01L2224/29686 , H01L2224/32221 , H01L2224/83005 , H01L2224/8302 , H01L2224/83055 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K3/32 , H05K2203/1131 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/053

Abstract: 用于接合元件的方法，其中提供由至少两个各含金属接触表面的元件和布置在所述元件之间的具有金属氧化物表面的金属固体形式的金属烧结件形成的布置，并压力烧结所述布置，其中所述金属烧结件的金属氧化物表面和所述元件的金属接触表面各自形成共同接触面，且其中(I)在含有至少一种可氧化化合物的气氛中进行所述压力烧结和/或(II)在形成相应的共同接触面之前为所述金属氧化物表面配备至少一种可氧化有机化合物。

7.

发明公开
通过压力烧结接合元件的方法有权转让

公开(公告)号：CN106536096A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580040062.8

申请日：2015-03-18

Applicant: 贺利氏德国有限两合公司

Inventor： M.舍费尔 , W.施密特

IPC: B22F5/00 , B22F7/04 , H05K3/32

CPC classification number: B22F5/006 , B22F3/1003 , B22F3/24 , B22F7/04 , B22F2003/242 , B22F2301/255 , B22F2302/25 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , C25D11/34 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05186 , H01L2224/27003 , H01L2224/27505 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29164 , H01L2224/29186 , H01L2224/2957 , H01L2224/29686 , H01L2224/32221 , H01L2224/83005 , H01L2224/8302 , H01L2224/83055 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K3/32 , H05K2203/1131 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/053

Abstract: 用于接合元件的方法，其中提供由至少两个各含金属接触表面的元件和布置在所述元件之间的具有金属氧化物表面的金属固体形式的金属烧结件形成的布置，并压力烧结所述布置，其中所述金属烧结件的金属氧化物表面和所述元件的金属接触表面各自形成共同接触面，且其中(I) 在含有至少一种可氧化化合物的气氛中进行所述压力烧结和/或(II) 在形成相应的共同接触面之前为所述金属氧化物表面配备至少一种可氧化有机化合物。

8.

发明公开
化合物结构和用于形成化合物结构的方法有权

公开(公告)号：CN104716080A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410759907.6

申请日：2014-12-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.贝格尔 , W.莱纳特 , G.鲁尔 , R.鲁普

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L24/33 , H01L21/02002 , H01L21/187 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/32225 , H01L2224/83055 , H01L2224/83099 , H01L2224/83851 , H01L2224/83855 , H01L2924/1026 , Y10T428/30

Abstract: 化合物结构和用于形成化合物结构的方法。一种化合物结构包括载体晶片和通过陶瓷形成聚合物前体获得的结合材料结合到载体晶片上的至少一个半导体片。

9.

发明公开
半导体晶粒的接合方法有权

公开(公告)号：CN101740414A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910149028.0

申请日：2009-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 , 邱文智 , 吴文进

IPC: H01L21/50 , H01L21/66

CPC classification number: H01L24/74 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/74 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75701 , H01L2224/75702 , H01L2224/75705 , H01L2224/75753 , H01L2224/75901 , H01L2224/80055 , H01L2224/80075 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83801 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T29/49124 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49135 , H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一种半导体晶粒的接合方法，该接合方法包含下列步骤：提供第一晶粒和第二晶粒。首先，扫描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一，以判断其厚度变化。其次，将第一晶粒的第一表面朝向第二晶粒的第二表面。利用厚度变化，调整第一晶粒与第二晶粒，使得第一表面与第二表面互相平行。最后，将第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中，调整第一晶粒与第二晶粒的步骤包含倾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。本发明在将晶粒接合至晶粒或晶圆上时，有较大的产量以及更增进的可信赖度。