公开(公告)号：CN106796898B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201580053121.5

申请日：2015-09-21

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 罗纳德·艾西尔 ,  霍尔格·乌尔里奇

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L24/83 ,  B22F3/14 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/255 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29295 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7511 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83911 ,  H01L2224/83948 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

Abstract: 用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法，该方法包括以下步骤：将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上，通过低温加压烧结将该电子部件连接到该电路载体上的接合材料而将该电子部件连接到该电路载体上，其特征在于，为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化，该低温加压烧结在具有0.005％至0.3％的相对氧含量的低氧气氛中进行。

公开(公告)号：CN107097014B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201610835984.4

申请日：2015-01-28

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 川崎浩由 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  B22F9/08 ,  B22F1/02 ,  B23K35/02 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C25D3/60 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D7/00 ,  H01B1/02 ,  H01L23/00 ,  H05K3/34

CPC classification number: C25D3/60 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/30 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C25D3/30 ,  C25D5/12 ,  C25D5/20 ,  F16B5/08 ,  H01B1/02 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15321 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0218 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及Cu芯球的制造方法。本发明的Cu芯球的制造方法具备：提供作为核的Cu球的阶段，该Cu球是纯度为99.9％以上且99.995％以下、U为5ppb以下的含量且Th为5ppb以下的含量、Pb和/或Bi的总含量为1ppm以上、球形度为0.95以上、α射线量为0.0200cph/cm2以下的Cu球；提供覆盖所述Cu球的表面的焊料镀覆膜的阶段，所述焊料镀覆膜为Sn焊料镀覆膜或由以Sn作为主要成分的无铅焊料合金形成的焊料镀覆膜，对Cu芯球进行平滑化处理的阶段，该阶段中，通过在将Cu芯球浸渍于镀液的状态下照射超声波来对Cu芯球进行平滑化处理，使所述Cu芯球的算术平均表面粗糙度为0.3μm以下。

公开(公告)号：CN108495730A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201680079730.2

申请日：2016-11-18

Applicant: ETA瑞士钟表制造股份有限公司

Inventor： J-C·雷切伯格 ,  H·Q·特兰

IPC: B22F3/16 ,  B22F5/08 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C19/00 ,  C22C19/03 ,  G04B1/14 ,  G04B13/02 ,  G04B15/14 ,  G04B17/06 ,  G04B31/00 ,  B22F9/08

CPC classification number: B22F3/16 ,  B22F5/08 ,  B22F2009/0828 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/30 ,  B22F2303/15 ,  B22F2304/10 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C19/002 ,  C22C19/03 ,  C22C30/02 ,  C22C30/06 ,  G04B1/145 ,  G04B13/02 ,  G04B15/14 ,  G04B17/066 ,  G04B31/06 ,  C22C29/04 ,  B22F3/08 ,  B22F3/10 ,  B22F2207/20

Abstract: 本发明涉及包含一个或多个由颗粒附聚物形成的相的压缩和致密化金属材料，通过在颗粒之间形成的桥提供所述材料的内聚力，所述材料具有高于或等于95％，优选高于或等于98％的相对密度。

公开(公告)号：CN105283267B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201480032795.2

申请日：2014-03-28

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 兴梠素基 ,  吉川俊策 ,  冈田咲枝 ,  糸山太郎 ,  小室秀之 ,  平井尚子 ,  清水庆太朗

IPC: B23K35/22 ,  B23K35/14 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B23K35/26 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00

CPC classification number: B23K35/262 ,  B22F1/0059 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/30 ,  B22F2302/45 ,  B22F2304/10 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/22 ,  B23K35/26 ,  B23K35/302 ,  B23K35/362 ,  C22C9/02 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明提供种焊膏,其在2次回流焊以及2次回流焊以后的加热时,金属不会从接头流出,在常温下及高温下具有高接合强度,经时稳定性优异,而且可以形成空隙产生少、聚集性高的接头,所述焊膏由金属粉末成分和助焊剂成分构成,该金属粉末成分包含金属间化合物粉末和以Sn作为主要成分的软钎料粉末,所述金属间化合物粉末包含Cu及Sn、且表面被覆有金属阻挡层。金属间化合物粉末中及软钎料粉末中不存在Cu单相,故可抑制Cu离子向助焊剂溶出。

公开(公告)号：CN107073656B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201480083214.8

申请日：2014-11-05

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 服部贵洋 ,  川崎浩由 ,  冈田弘史 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC: B23K35/14 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H01L21/60 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

CPC classification number: B23K35/262 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/30 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/302 ,  C22C13/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C25D3/60 ,  C25D7/00

Abstract: 提供在软钎料熔融前以一定值以下管理氧化膜厚、且在软钎料熔融时及熔融后具有耐氧化性的软钎焊材料。Cu芯球(1A)具备在半导体封装体与印刷基板之间确保间隔的Cu球(2A)、和覆盖Cu球(2A)的软钎料层(3A)。软钎料层(3A)由Sn或将Sn作为主要成分的软钎料合金构成。Cu芯球(1A)在L*a*b*色度体系中的亮度为65以上，且在L*a*b*色度体系中的黄色度为7.0以下，更优选的是，亮度为70以上，且黄色度为5.1以下。

公开(公告)号：CN105358733B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201480038680.4

申请日：2014-07-25

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 吉田勇气 ,  石山宏一 ,  森晓

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/16 ,  B22F5/00 ,  B22F2201/01 ,  B22F2301/10 ,  B22F2302/45 ,  B22F2303/01 ,  B22F2303/15 ,  B22F2304/10 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C22C32/00 ,  C23C14/14 ,  H01J37/3429

Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu‑Ga烧成体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由具有如下组织和如下成分组成的烧成体构成，所述组织为在具有Cu‑Ga合金的γ相及ζ相的基体中分散Na化合物相，所述成分组成为含有20原子％以上且30原子％以下的Ga，含有0.05～10原子％的Na，Na以NaF、Na2S、Na2Se、Na3AlF6中至少一种状态含有，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述不可避免的杂质包含Na化合物中的Na以外的元素，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰与归属于ζ相的衍射峰，所述γ相的平均粒径为100μm以下，所述Na化合物相的平均粒径为8.5μm以下。

公开(公告)号：CN107530777A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680025859.5

申请日：2016-05-24

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 喜多晃一 ,  加藤纯 ,  幸俊彦

IPC: B22F3/11 ,  B22F7/04 ,  C22C1/08 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02

CPC classification number: B22F3/1103 ,  B22F3/1143 ,  B22F7/002 ,  B22F7/04 ,  B22F7/06 ,  B22F2301/10 ,  B32B15/01 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/08 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C47/14

Abstract: 一种具有三维网状结构的骨架部(13)的铜多孔体(10)，其特征在于，在骨架部(13)的表面形成有具有凹凸的多孔层(12)，比表面积为0.01m2/g以上，气孔率在50％以上且90％以下的范围内。

公开(公告)号：CN107427912A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580077852.3

申请日：2015-03-26

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 冈田浩 ,  山下秀幸

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  C09C1/62 ,  C09C3/06 ,  C09D5/24 ,  C09D201/00 ,  C23C18/42 ,  C25C5/02 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00

CPC classification number: B22F1/0014 ,  B22F1/00 ,  B22F1/0007 ,  B22F1/0055 ,  B22F1/0059 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/02 ,  B22F1/025 ,  B22F9/24 ,  B22F2001/0066 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/255 ,  B22F2304/10 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C08K9/02 ,  C08K2003/085 ,  C09C1/62 ,  C09C1/66 ,  C09C3/06 ,  C09C3/066 ,  C09D5/24 ,  C09D5/32 ,  C09D7/70 ,  C09D201/00 ,  C23C18/1635 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/42 ,  C23C18/44 ,  C23C18/54 ,  C25C5/02 ,  H01B1/026 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01J37/28 ,  H05K9/0083

Abstract: 本发明提供一种使被覆有银的树枝状铜粉彼此接触时的接触点增多而确保优异的导电性，并且防止凝集，可适宜地用于导电性膏或电磁波遮蔽体等用途的树枝状覆银铜粉。本发明的覆银铜粉是由树枝状形状的铜粒子(1)集合而成并且在表面被覆有银的覆银铜粉，该树枝状形状的铜粒子具有直线性地生长的主干(2)及从主干(2)分支的多个枝(3)，铜粒子(1)是主干(2)及枝(3)的剖面平均厚度超过1.0μm且5.0μm以下的平板状，该覆银铜粉是由1层或重叠多层而成的积层结构所构成的平板状，并且平均粒径(D50)为1.0μm～100μm。

公开(公告)号：CN104553133B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201410528116.2

申请日：2014-10-09

Applicant: 纳普拉有限公司

Inventor： 关根重信

IPC: B32B15/01 ,  C22C5/02 ,  C22C9/02 ,  C22C11/06 ,  C22C13/00 ,  H01L23/10 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/05 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/025 ,  B22F7/064 ,  B22F2999/00 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  H01B1/02 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53233 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13411 ,  H01L2224/13447 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3656 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/255 ,  B22F2301/30 ,  B22F2301/205

Abstract: 本发明提供一种不会产生空隙、裂纹等的高品质、高可靠度的电极接合部和电配线。将2个导体接合的接合部含有选自Si、B、Ti、Al、Ag、Bi、In、Sb、Ga的组中的至少一种、Cu和Sn，在其与导体之间形成有纳米复合结构的金属扩散区域。

公开(公告)号：CN106463202A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580030998.2

申请日：2015-05-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 次本伸一

IPC: H01B1/22 ,  B22F1/00 ,  H01B1/00 ,  H01B5/14 ,  H05K1/09

CPC classification number: B22F1/0014 ,  B22F7/04 ,  B22F9/082 ,  B22F2007/047 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/253 ,  B22F2302/256 ,  B22F2304/10 ,  C03C3/04 ,  C03C4/14 ,  C03C8/02 ,  C03C8/18 ,  C03C14/006 ,  C03C17/04 ,  C03C2204/00 ,  C03C2207/00 ,  C03C2214/08 ,  C03C2217/452 ,  C03C2217/479 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C22C29/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H05B3/12 ,  H05B3/84 ,  H05B2203/005 ,  H05B2203/011 ,  H05B2203/017 ,  H05K1/0212 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K1/092 ,  H05K1/167 ,  H05K2201/0272

Abstract: 导电性糊膏至少含有导电性粉末、玻璃料和有机载体。导电性粉末具有Ag粉末等的贵金属粉末和包含Cu及/或Ni的贱金属粉末，并且贱金属粉末的比表面积低于0.5m2/g。所述贱金属粉末相对于导电性粉末的总量的含量，在重量比中，在贱金属粉末以Cu为主成分的情况下为0.1～0.3，在以Ni为主成分的情况下为0.1～0.2，在以Cu与Ni的混合粉为主成分的情况下为0.1～0.25。将该导电性糊膏在玻璃基体(1)上涂敷成线状并进行烧成，由此获得导电膜(2)。由此，实现耐候性良好且能适度地抑制电阻率的导电性糊膏、及使用了该导电性糊膏的防雾玻璃或玻璃天线等玻璃物品。