公开(公告)号：CN106471612B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201580033449.0

申请日：2015-06-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 村井诚 ,  高冈裕二 ,  山田宏行 ,  佐藤和树 ,  今井诚

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括以下：半导体芯片和封装基板，在封装基板上设置有所述半导体芯片。半导体芯片包括芯片主体以及设置在所述芯片主体的元件形成表面上的多个包含焊料的电极。封装基板包括以下：基板主体；以及设置在所述基板主体的表面上的多个配线和阻焊层。阻焊层作为连续层设置在基板主体的表面之上和配线上，并且阻焊层在所述配线中的每一个之上具有缺口。所述缺口中的每一个具有在该缺口内的配线的长度方向上伸长的平面形状，并且缺口的长度根据封装基板的热膨胀系数调节。

公开(公告)号：CN109755234A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811042077.X

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李桢日 ,  李政昊 ,  金镇洙 ,  赵俸紸

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/244 ,  H01L2224/25171 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/15153

Abstract: 本发明提供了一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括框架、半导体芯片、第一金属凸块、第二金属凸块、包封剂以及连接构件。框架包括绝缘层、布线层和连接过孔层，并且包括具有止挡层的凹入部。半导体芯片具有连接焊盘并设置在凹入部中以使无效表面面对止挡层。第一金属凸块设置在连接焊盘上。第二金属凸块设置在布线层的最上布线层上。包封剂覆盖框架、半导体芯片以及第一金属凸块和第二金属凸块中的每个的至少部分并且填充凹入部的至少部分。连接构件设置在框架和半导体芯片的有效表面上并且包括通过第一金属凸块和第二金属凸块电连接到连接焊盘和最上布线层的重新分布层。

公开(公告)号：CN109273367A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811114253.6

申请日：2018-09-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 冯雪 ,  张迎超 ,  叶柳顺 ,  陆炳卫

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L21/4853 ,  H01L21/4814

Abstract: 本公开涉及一种金属薄膜导线的制造方法。所制造的金属薄膜导线用于实现柔性基底上的电子器件内部和/或电子器件之间的电性连接，该方法包括：在基板上依次生成掩膜层和掩膜保护层；将掩膜版图形转移到掩膜保护层上，形成掩膜保护层图形；根据掩膜保护层图形，对掩膜层进行刻蚀处理，形成刻蚀后的掩膜层；将刻蚀后的掩膜层转印至柔性基底；以刻蚀后的掩膜层为掩膜，在柔性基底上生成金属薄膜导线。其中，刻蚀后的掩膜层的图形与金属薄膜导线的图形之间形状互补。本公开实施例所提供方法，适用范围广泛，可以在柔性基底上直接生成所需的金属薄膜导线，所生成的金属薄膜导线的精度高，能够满足对金属薄膜导线的使用需求。

公开(公告)号：CN109003958A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201710669623.1

申请日：2017-08-08

Applicant: 华东科技股份有限公司

Inventor： 于鸿祺 ,  林俊荣

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/683 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48221 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/107

Abstract: 本发明涉及一种矩形半导体封装及其方法，其为晶圆切割为晶粒后封装而不具备载板；其包含，一导电路由层；所述导电路由层的一顶面上有一第一晶粒；所述第一晶粒通过复数条第一金属线与所述导电路由层电性连接；复数个导电球体，其位于所述导电路由层的一底面上；一模制化合物，其囊封所述导电路由层上的所述第一晶粒。由此，本发明利用导电路由层取代电路板，通过移除载板以降低封装厚度及成本，并凭借在晶圆厂外实行扇出型封装加工增进堆叠式封装变化性。

公开(公告)号：CN108987367A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810482659.3

申请日：2018-05-18

Applicant: 意法半导体公司

Inventor： A·卡达格 ,  E·小安蒂拉诺 ,  E·M·卡达格

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49861

Abstract: 本公开涉及一种使用预模制的引线框形成的、具有焊料可附着的侧壁的引线框封装件及其制造方法。将具有多个凹部和多个孔的金属镀覆的引线框放置到顶部和底部模制工具中。然后在引线框中的多个凹部和孔中形成模制化合物，以形成预模制的引线框。将多个管芯和导线耦合到预模制的引线框，并且用密封剂覆盖所得到的组合件。备选地，可以处理裸露的引线框，并且可以在密封之后施加金属层。锯或其他切割装置用于进行分割，以形成引线框封装件。每个所得到的引线框封装件具有焊料可附着的侧壁，以用于改善封装件与电路板之间的焊接接点的强度。

公开(公告)号：CN108701673A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013901.6

申请日：2017-02-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： E·J·李 ,  姚计敏 ,  S·M·利夫

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L23/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14132 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0133

Abstract: 本文描述的是具有在空间上变化的焊球高度的BGA封装，以及形成这样的封装的技术。可以预制具有空腔的模板或模具以保持例如利用焊膏印刷工艺施加到模具的焊膏材料。可以根据在模具工作表面区域内的空间位置预先确定空腔的深度和/或直径。可以指定模具腔体尺寸对应于封装位置以解释封装中一个或多个预先存在或预期的空间变化，例如，封装层级的翘曲度量。可以提供任何数量的不同焊球高度。可以在不需要利用模具的每次改变而修改的标准化工艺中采用模具。

公开(公告)号：CN104600064B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410106015.6

申请日：2014-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶德强 ,  余国宠 ,  洪瑞斌

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供了一种用于封装半导体器件的系统和方法。实施例包括：在载体晶圆上方形成通孔，以及在载体晶圆上方并且在第一两个通孔之间附接第一管芯。在载体晶圆上方并且在第二两个通孔之间附接第二管芯。封装第一管芯和第二管芯，以形成第一封装件，并且至少一个第三管芯连接至第一管芯或第二管芯。第二封装件在至少一个第三管芯上方连接到第一封装件。本发明还提供了封装件上芯片结构和方法。

公开(公告)号：CN105493267B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201380079311.5

申请日：2013-09-04

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 高久悟

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/28 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/4878 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据实施方式,半导体装置具备:基板、多个绝缘层、下部屏蔽板、半导体器件、上部屏蔽板和侧部屏蔽材料。在基板上形成有第1接触部。下部屏蔽板使用磁性体,所述磁性体在基板上以避开第1接触部的方式设置。半导体芯片被设置在下部屏蔽板上,具有与第1接触部电连接的第2接触部。上部屏蔽板使用磁性体,所述磁性体在半导体芯片上以避开第2接触部和连接件的方式设置。侧部屏蔽材料使用磁性体,所述磁性体将下部屏蔽板和上部屏蔽板的没有配置连接件的侧部连接。

公开(公告)号：CN108292654A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580084531.6

申请日：2015-12-11

Applicant: 英特尔公司

Inventor： E.李 ,  T.戈塞林 ,  Y.富田 ,  S.利夫 ,  A.艾坦 ,  M.萨尔塔斯

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/5381 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27

Abstract: 一种微电子结构包括：微电子衬底，其具有第一表面和从微电子衬底第一表面延伸到衬底中的腔；附接至微电子衬底第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及设置在微电子衬底腔内且附接至第一微电子器件和第二微电子器件的微电子桥。在一个实施例中，该微电子结构可以包括从第一微电子器件和第二微电子器件形成的重建晶圆。在另一实施例中，助焊剂材料可以在第一微电子器件和微电子桥之间以及在第二微电子器件和微电子桥之间延伸。

公开(公告)号：CN108281410A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711462241.8

申请日：2013-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育蔚 ,  吴胜郁 ,  曾裕仁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了凸块导线直连(BOT)结构的一个实施例，包括：由集成电路支撑的接触元件、与接触元件电连接的凸块下金属(UBM)部件、设置在凸块下金属部件和集成电路之间的绝缘层和钝化层；安装在凸块下金属部件上的金属梯状凸块和安装在衬底上的衬底导线，其中，金属梯状凸块具有第一楔形轮廓，并具有最接近集成电路的安装端和离集成电路最远的末端，末端的宽度介于10μm至80μm之间，安装端的宽度介于20μm至90μm之间，该衬底导线具有第二楔形轮廓并且通过直接金属与金属接合连接至金属梯状凸块。可以以类似的方式制造芯片与芯片结构的实施例。本发明还提供了互连结构及其形成方法。