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公开(公告)号：CN107078201B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201680000637.8
申请日：2016-02-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C22C12/00 , C22C23/00 , H01L35/16
Abstract: 本发明提供由Mg3+mAaBbD2‑eEe表示的热电转换材料。在此，元素A表示选自Ca、Sr、Ba和Yb之中的至少一种，元素B表示选自Mn和Zn之中的至少一种，m的值为‑0.39以上且0.42以下，a的值为0以上且0.12以下，b的值为0以上且0.48以下，元素D表示选自Sb和Bi之中的至少一种，元素E表示选自Se和Te之中的至少一种，e的值为0.001以上且0.06以下，所述热电转换材料具有La2O3型晶体结构，并且，所述热电转换材料为n型。
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公开(公告)号：CN106257700B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510981999.7
申请日：2015-12-24
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
CPC classification number: H01L45/148 , C22C12/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , H01B1/02 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种GaSbGe相变化存储器材料、基于该相变化存储器材料的高密度存储器装置及该高密度存储器装置的制造方法。该相变化存储器材料包括GaxSbyGez，其中Ga原子百分比x在20％至45％的范围内、Sb原子百分比y在25％至40％的范围内，以及Ge原子百分比z在25％至55％的范围内，其中此材料具有大于360℃的结晶转移温度Tx。添加杂质包括一或多个选自Si、C、O以及N的元素，可以增加结晶转移温度Tx以大于400℃，也可以降低复位电流。
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公开(公告)号：CN109047768A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811002583.6
申请日：2018-08-30
Applicant: 云南科威液态金属谷研发有限公司
CPC classification number: C22C1/02 , B22F3/115 , B29C64/118 , B33Y70/00 , C22C1/06 , C22C12/00 , C22C30/04 , C22C30/06
Abstract: 本发明涉及一种用于3D打印的低熔点金属线材，由包括如下重量百分含量的原料制备而成：Bi 20～45％，Sn 25～40％，In补足至100％。本发明所述的金属线材的熔点为75～100℃，本发明通过调整Bi、Sn和In的相对含量，可有效地提高金属线材的硬度和抗拉强度，可满足电路打印、三维金属结构件打印和结合塑料的功能性结构件打印的需求，具有广泛的应用前景和较高的商业推广价值。
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公开(公告)号：CN108878091A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810704772.1
申请日：2018-06-30
Applicant: 苏州诺弘添恒材料科技有限公司
Inventor： 不公告发明人
Abstract: 本发明公开了一种具有陶瓷防护层的锰铋永磁体的制备方法，该方法制得的永磁材料具有优异、稳定的永磁性能，并且可以通过简单易行的制备方法获得；本发明能够保证磁体基体与Al2O3‑NiO复合陶瓷涂层之间的连接牢固，Al2O3‑NiO复合陶瓷涂层不易出现气泡和掉落，同时采用等离子喷涂技术制备Al2O3‑NiO复合陶瓷涂层从而可以实现磁体表面高质量防护。
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公开(公告)号：CN106796980B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201580052778.X
申请日：2015-09-25
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L35/18 , H01L35/34 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: C01F17/0012 , C22C1/007 , C22C12/00 , H01L21/02156 , H01L21/02192 , H01L31/022425 , H01L35/00 , H01L35/14 , H01L35/34
Abstract: 公开了具有优异热电转换性能的化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示： M1aCo4Sb12‑xM2x，其中M1和M2为In和至少一种稀土金属元素中，并且0≤a≤1.8且0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105307812B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201480032811.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B22F1/0059 , B22F2301/10 , B22F2301/30 , B22F2302/45 , B22F2304/10 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/26 , B23K35/302 , B23K35/362 , C22C9/02 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , H05K1/0298 , H05K1/09
Abstract: 本发明提供一种焊膏，其在2次回流焊以及2次回流焊以后的加热时，金属不会从接头流出，在常温下及高温下具有高接合强度，且经时稳定性优异，所述焊膏由金属粉末成分和助焊剂成分构成，该金属粉末成分包含10～70质量％包含Cu及Sn的金属间化合物粉末、和30～90质量％以Sn作为主要成分的软钎料粉末。由于金属间化合物粉末中及软钎料粉末中不存在Cu单相，因此，可抑制Cu离子向助焊剂溶出。
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公开(公告)号：CN105702444B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510650401.6
申请日：2015-09-15
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: C22C12/00 , B22D11/001 , B22F1/0003 , B22F1/0059 , B22F3/087 , B22F3/105 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F3/16 , B22F9/04 , B22F2003/1051 , B22F2003/1054 , B22F2009/043 , B22F2301/00 , B22F2301/30 , B22F2301/355 , B22F2301/45 , B22F2303/01 , B22F2304/10 , C22F1/16 , H01F1/0557 , H01F1/0577 , H01F1/059 , H01F41/0266 , H01F41/0273
Abstract: 本发明涉及包含MnBi的各向异性复合烧结磁体、其制备方法和含其的产品。所述方法包括：(a)通过快速凝固工艺(RSP)制备非磁性相MnBi基带；(b)对所述非磁性相MnBi基带进行热处理以将非磁性相MnBi基带转变为磁性相MnBi基带；(c)研磨所述磁性相MnBi基带以形成MnBi硬磁性相粉末；(d)将MnBi硬磁性相粉末与稀土硬磁性相粉末进行混合；(e)通过施加外部磁场对在步骤(d)中获得的混合物进行磁场成型以形成成型制品；以及(f)烧结所述成型制品。所述各向异性复合烧结磁体具有优异的磁性能。
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公开(公告)号：CN102771181B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201180011779.1
申请日：2011-02-15
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
CPC classification number: H05B3/84 , B23K35/262 , B23K35/264 , B32B15/018 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C38/08 , C22C38/10 , H01R4/028 , H01R13/03 , H01R2201/02 , H01R2201/26 , H05B2203/016
Abstract: 本发明涉及一种具有电连接元件的板，其包含：‑由玻璃构成的具有第一热膨胀系数的基材(1)，‑在基材(1)一定区域上的层厚为5µm‑40µm的导电性结构(2)，‑具有第二热膨胀系数的连接元件(3)，其中第一和第二膨胀系数的差值
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公开(公告)号：CN107078201A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201680000637.8
申请日：2016-02-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C22C12/00 , C22C23/00 , H01L35/16
Abstract: 本发明提供由Mg3+mAaBbD2‑eEe表示的热电转换材料。在此，元素A表示选自Ca、Sr、Ba和Yb之中的至少一种，元素B表示选自Mn和Zn之中的至少一种，m的值为‑0.39以上且0.42以下，a的值为0以上且0.12以下，b的值为0以上且0.48以下，元素D表示选自Sb和Bi之中的至少一种，元素E表示选自Se和Te之中的至少一种，e的值为0.001以上且0.06以下，所述热电转换材料具有La2O3型晶体结构，并且，所述热电转换材料为n型。
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公开(公告)号：CN105190064B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201480013839.7
申请日：2014-03-25
Applicant: 大丰工业株式会社
Inventor： 和田仁志
IPC: F16C33/12 , C25D7/00 , C25D7/10 , C25D11/34 , F16C33/14 , B22F3/24 , B22F7/00 , C22C9/02 , C22C12/00 , C22C38/00 , C22C38/04
CPC classification number: F16C33/124 , B22F5/10 , B22F7/02 , B22F7/08 , B22F2003/242 , B22F2998/10 , B32B15/01 , B32B15/013 , B32B15/015 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C12/00 , C22C38/00 , C22C38/04 , C25D5/34 , C25D7/10 , C25D11/02 , C25D11/022 , C25D11/34 , F16C9/02 , F16C33/121 , F16C33/122 , F16C2204/10 , F16C2204/18 , B22F3/10
Abstract: 本发明提供一种能防止疲劳破坏从软质层传播到基层内的技术。本发明的滑动构件以及滑动轴承具备：由比基体软的软质材料构成的软质粒子析出到所述基体中的基层；以及由所述软质材料形成于所述基层的表面上的软质层。在所述基层与所述软质层之间的界面上，形成有具有所述软质粒子所特有的结晶颗粒构造的所述软质材料的结晶颗粒与具有所述软质层所特有的结晶颗粒构造的所述软质材料的结晶颗粒的边界。
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