公开(公告)号：CN106660241B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201580034495.2

申请日：2015-05-07

申请人： 雷恩哈德库兹基金两合公司 ,  波利IC有限及两合公司

发明人： K·路德维希 ,  C·舒尔茨 ,  R·施塔尔

IPC分类号： B29C45/14 ,  H01L25/075 ,  H01L33/58

CPC分类号： B29C45/14811 ,  B29C45/14655 ,  B29L2009/00 ,  B29L2031/3493 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于制造多层体的方法，包括以下步骤：a)提供载体层，在该载体层上设置至少一个发光装置、尤其是LED；b)提供装饰层；c)在注塑模具中在载体层和/或装饰层上注塑塑料层。本发明还涉及借助这种方法制造的多层体。

公开(公告)号：CN106716143B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580033208.6

申请日：2015-06-18

申请人： 艾科塞拉公司

发明人： V.特雷伯格斯 ,  M.纳尔逊 ,  J.姆罗茨科夫斯基

IPC分类号： G01R1/04

CPC分类号： H01L23/49517 ,  G01R1/0466 ,  G01R1/0483 ,  H01L2924/0002 ,  H05K5/04 ,  H05K7/10 ,  H01L2924/00

摘要： 插座组件包括壳体，其具有在其中的一个或多个弹簧探针。插座组件还包括引线框架组件，其具有一个或多个悬臂构件，且引线框架组件具有微波结构和柔性接地平面。插座组件还包括邻近引线框架组件的弹性间隔件，弹性间隔件具有接收通过其的弹簧探针的一个或多个孔。

公开(公告)号：CN105049552B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201510213879.2

申请日：2015-04-29

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 林成炫

IPC分类号： H04M1/02 ,  H01Q1/24

CPC分类号： H04B1/3888 ,  H01L23/28 ,  H01L2924/0002 ,  H01Q1/243 ,  H01Q1/526 ,  H01Q7/00 ,  H01Q21/28 ,  H04B5/0031 ,  H01L2924/00

摘要： 实施例涉及一种壳体设备，该壳体设备包括：天线元件；屏蔽构件，其置于天线元件之间；以及保护部件，其封装并耦接天线元件和屏蔽构件。即使当壳体设备被安装在移动通信终端上时，也可以顺利地进行移动通信终端与外部装置之间的近场通信。

公开(公告)号：CN106374891B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201610796715.1

申请日：2012-01-09

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 郑椿锡

IPC分类号： H03K5/135 ,  H03K5/14 ,  H03K19/003

CPC分类号： H03K5/14 ,  G01R31/2853 ,  H01L25/105 ,  H01L2225/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H03K5/135 ,  H03K19/00323 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体集成电路的信号传输方法。所述半导体集成电路包括：多个半导体芯片，所述多个半导体芯片被层叠成多层结构；每个半导体芯片中的校正电路，所述校正电路被配置为将与芯片在层叠中的位置相对应的延迟时间反映到输入信号中，以输出至每个半导体芯片；以及多个穿通芯片通孔，所述多个穿通芯片通孔垂直地穿通所述半导体芯片中的每个而形成，且被配置为将输入信号传送至半导体芯片。

公开(公告)号：CN106716626B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201580050056.0

申请日：2015-09-04

申请人： 高通股份有限公司

发明人： D·D·金 ,  J-H·J·兰 ,  C·H·尹 ,  M·F·维纶茨 ,  C·左 ,  J·金 ,  D·F·伯蒂

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H05K1/0271 ,  C23F1/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0195 ,  H01L2924/00

摘要： 一种器件包括在(例如，半导体管芯或其他集成电路的)基板的至少两个应力域之间的应力缓减区。该应力缓减区包括一种导电结构，该导电结构电耦合其间布置该导电结构的应力域的电路系统。

公开(公告)号：CN102157454B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201110026751.7

申请日：2011-01-17

申请人： 施乐公司

发明人： 马克 ,  A·塞吕拉 ,  彼得 ,  J·奈斯特龙 ,  司各特 ,  J·菲利普斯 ,  约翰 ,  P·迈尔斯 ,  莱尔 ,  G·丁曼 ,  布赖恩 ,  R·多兰

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L22/20 ,  H01L25/0655 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种硅基模块，包括：基底；固定于该基底的第一芯片总成，该第一芯片总成包括第一硅芯片和具有电路的第一驱动器裸片；以及被固定于该基底的第二芯片总成，该第二芯片总成包括第二硅芯片和具有电路的第二驱动器裸片。该第一和第二芯片总成的部分在该基底的纵向方向上对准；且该第一和第二硅芯片的部分在垂直于该纵向方向的宽度方向上对准。一种用于形成硅基模块的方法。

公开(公告)号：CN106463463B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201580023584.7

申请日：2015-03-30

申请人： 穆尔泰拉生物公司

发明人： 卡韦赫·M·米拉尼尼亚

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L23/04 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L9/527 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0816 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/565 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开内容提供了用于对芯片和封装芯片进行封装的方法，其中所述芯片和封装是共面的且无间隙的。在某些情况下，所述封装芯片具有与所述芯片集成的电极或流体元件。

公开(公告)号：CN105874592B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201580003586.X

申请日：2015-04-23

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 丸山谅

IPC分类号： H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/4006 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/473 ,  H01L24/32 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2023/4031 ,  H01L2023/4087 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14252 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种冷却器及该冷却器的固定方法，所述冷却器用于冷却半导体模块，在用于将冷却器固定在基体上的连接区域也具备制冷剂流路，冷却效率高，且节省空间。在将冷却半导体模块(10)的冷却器(20)固定在基体上的固定方法中，优选地，使用冷却器(20)，该冷却器(20)具备冷却器主体和盖(50)，所述冷却器主体具备由第一壁部(21a)、第二壁部(21b)及侧壁部(21c)所围成的制冷剂流路，其中，第一壁部(21a)具有第一通孔(26)，第二壁部(21b)与第一壁部(21a)对置配置，且在与第一通孔(26)对置的位置上具备与基体(30)连接的连接区域(27)，侧壁部(21c)连接第一壁部(21a)的周围与第二壁部(21b)的周围；盖(50)堵塞第一通孔(26)，在以与基体(30)接触的方式定位所述第二壁部(21b)的外侧的状态下，通过第一通孔(26)插入固定装置(40)，将所述连接区域(27)固定在所述基体(30)上，利用所述盖堵塞第一通孔(26)。

公开(公告)号：CN106663677B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580038163.1

申请日：2015-06-12

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 高桥庆多 ,  阪田一树 ,  出口善行 ,  矢野拓人 ,  泷北守 ,  粟根和俊 ,  中岛浩二 ,  三井贵夫 ,  中野公辅 ,  田村正佳 ,  酒井将司

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18 ,  H02M7/53

CPC分类号： H02M7/003 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/552 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/48 ,  H02M7/537 ,  H03H1/00 ,  H03H2001/0085 ,  H05K7/209 ,  H01L2924/00

摘要： 电力变换装置具备：基体导体；电放热部件，设置于该基体导体；平板型的噪声去除电容器，隔着绝缘体而交替地层叠多个第1电极和第2电极，在一个面，最外层的第1电极露出，在另一个面，最外层的第2电极露出；以及板状的中继导体，从电放热部件经由噪声去除电容器电连接于其它部件，在所述电力变换装置中，在噪声去除电容器中，最外层的第2电极面接合于基体导体的设置有电放热部件的一侧的面而粘接于基体导体，并且最外层的第1电极与中继导体面接合。

公开(公告)号：CN104810334B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410602233.9

申请日：2014-10-31

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 严亮 ,  罗埃尔·达门 ,  安可·赫琳哈 ,  埃尔文·海曾

IPC分类号： H01L23/367

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L23/3677 ,  H01L27/0211 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7824 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20 ,  H01L2924/00

摘要： 在具有多个元胞的SOI功率器件中引入集成的散热器阵列，其可用于减小温度的升高，以在器件区域的所有元胞之间得到更为均匀的温度峰值，从而避免出现易于导致击穿的热点的出现，因此能够改善器件的安全工作区域。另外，该阵列还消耗较少的器件面积，并具有较低的Rdson。