公开(公告)号：CN103579129B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310302969.X

申请日：2013-07-18

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 白濑丈明 ,  桥本启

IPC: H01L23/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32056 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83138 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83473 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3641 ,  H01L2924/3656 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体元件安装构件以及半导体装置，半导体元件安装构件包括供半导体元件安装的金属的元件安装部，所述元件安装部包括在俯视下一部分形成切口的金属区域，所述金属区域的切口包含第一区域与第二区域，该第二区域与所述第一区域连续且位于比所述第一区域靠外侧的位置，该第二区域比所述第一区域的宽度宽，所述第一区域的至少一部分位于半导体元件的安装侧主表面的正下方。

公开(公告)号：CN103890976A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050852.0

申请日：2012-10-17

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 水野英范 ,  牧田纪久夫

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L25/045 ,  C09J5/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2453/00 ,  H01L24/29 ,  H01L25/043 ,  H01L25/50 ,  H01L31/043 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/15788 ,  Y02E10/548 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供在界面确保优良的导电性及透明性并将半导体元件接合的方法以及基于该接合方法的接合结构。提供在界面确保优良的导电性并且能够进行有利于元件特性的光学特性的设计的半导体元件的接合方法以及基于该接合方法的接合结构。将未被有机分子覆盖的导电性纳米粒子无光学损失地配置于半导体元件的表面，使另一个半导体元件压接于该导电性纳米粒子上。

公开(公告)号：CN103733321A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280037004.6

申请日：2012-07-27

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  住友金属矿山株式会社 ,  三垦电气株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 谷本智 ,  图子祐辅 ,  村上善则 ,  井关隆士 ,  高森雅人 ,  佐藤伸二 ,  松井康平

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/28 ,  C22C18/04

CPC classification number: H01L29/1602 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/19 ,  B23K1/206 ,  B23K35/007 ,  B23K35/025 ,  B23K35/282 ,  B23K35/286 ,  B23K2101/34 ,  B23K2101/40 ,  B23K2101/42 ,  C22C18/04 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明包括下述工序：分别准备半导体元件（1）、至少表面的主要元素为Cu的基板（2）、形状比所述半导体元件小的ZnAl共晶焊料片（3’）；以各自的接合面彼此相对的方式配置所述半导体元件和所述基板，在该基板和半导体元件之间夹设所述ZnAl共晶焊料片；一边对夹设在所述基板和所述半导体元件之间的所述ZnAl共晶焊料片施加载荷（31），一边进行升温，使所述ZnAl共晶焊料片融解而形成ZnAl焊料层；以及一边对所述ZnAl焊料层施加载荷一边进行降温。

公开(公告)号：CN1525485B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200310102636.9

申请日：1998-04-03

Applicant: 格伦·J·利迪

Inventor： 格伦·J·利迪

IPC: G11C11/00 ,  G11C11/34 ,  G11C5/00

CPC classification number: H01L27/10897 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C5/04 ,  G11C29/44 ,  G11C29/81 ,  G11C29/846 ,  G11C29/848 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01079 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种三维结构(3DS)存储器(100)使得能够将存储器电路(103)和控制逻辑(101)物理上分离到不同的层(103)上，致使可以分别地优化各个层。几个存储器电路(103)有一个控制逻辑(101)就够了，从而降低了成本。3DS存储器(100)的制造涉及到将存储器电路(103)减薄到厚度小于50微米以及将电路键合到电路叠层，同时仍然呈晶片衬底形式。采用了细粒高密度层间垂直总线互连(105)。3DS存储器(100)制造方法使得能够实现几种性能和物理尺寸效能，并且是用现有的半导体工艺技术实现的。

公开(公告)号：CN102484109A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080034372.6

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社安川电机

Inventor： 川波靖彦 ,  樋口雅人 ,  佐佐木亮 ,  相马朗 ,  矶部祐 ,  伊藤徹也

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83801

Abstract: 本电力变换装置具有：电力变换用半导体元件(2、3)；电极连接用导体部(1、4、5、6、7)，它们将相同电位的多个电极彼此电连接，并且具有用于取得与外部的电连接的大致平坦的上表面；以及密封部件(10)，其覆盖电力变换用半导体元件，并且被设置成使电极连接用导体部的大致平坦的上表面露出。

公开(公告)号：CN102460693A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026900.3

申请日：2010-06-18

Applicant: 株式会社安川电机

Inventor： 矶部祐 ,  川波靖彦 ,  中林幸久 ,  樋口雅人 ,  东川康儿 ,  寺园胜志 ,  佐佐木亮 ,  森原贵征 ,  青木隆 ,  伊藤徹也 ,  小熊清典

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/467 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/117 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29216 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29295 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01004

Abstract: 本发明提供一种电力变换装置，该电力变换装置具有：电力变换用半导体元件(2、3)；具有大致平坦的上端面(4a、5a、6a、7a)的电极用导体(4、5、6、7)；以及密封部件(10)，密封部件构成为：在密封部件的上表面，使电极用导体的大致平坦的上端面露出，并且在露出的电极用导体的上端面上，进行与外部的电连接。

公开(公告)号：CN102132390A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201080002443.4

申请日：2010-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  B23K35/363 ,  C22C12/00

CPC classification number: C22C12/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  B23K35/264 ,  B23K35/362 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明是例如具有接合结构体的半导体零部件(100)，该接合结构体具备半导体元件(102)、与半导体元件(102)对置的电极(103)、连接半导体元件(102)与电极(103)的以Bi为主成分的接合材料，通过接合材料(104)含有碳化合物，与现在相比可以降低接合部被半导体元件和电极的线膨胀系数之差破坏的程度。可以提供由以Bi为主成分的接合材料将半导体元件和电极接合的接合结构体等，该接合结构体与现有产品相比可以提高接合部的可靠性。

公开(公告)号：CN100409425C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200310104397.0

申请日：1998-04-03

Applicant: 格伦·J·利迪

Inventor： 格伦·J·利迪

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L27/02 ,  G11C5/06 ,  G11C11/34 ,  B44C1/22

CPC classification number: H01L27/10897 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C5/04 ,  G11C29/44 ,  G11C29/81 ,  G11C29/846 ,  G11C29/848 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01079 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种三维结构(3DS)存储器(100)使得能够将存储器电路(103)和控制逻辑(101)物理上分离到不同的层(103)上，致使可以分别地优化各个层。几个存储器电路(103)有一个控制逻辑(101)就够了，从而降低了成本。3DS存储器(100)的制造涉及到将存储器电路(103)减薄到厚度小于50微米以及将电路键合到电路叠层，同时仍然呈晶片衬底形式。采用了细粒高密度层间垂直总线互连(105)。3DS存储器(100)制造方法使得能够实现几种性能和物理尺寸效能，并且是用现有的半导体工艺技术实现的。

公开(公告)号：CN1525549A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200310104397.0

申请日：1998-04-03

Applicant: 格伦·J·利迪

Inventor： 格伦·J·利迪

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L27/02 ,  G11C5/06 ,  G11C11/34 ,  B44C1/22

CPC classification number: H01L27/10897 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C5/04 ,  G11C29/44 ,  G11C29/81 ,  G11C29/846 ,  G11C29/848 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01079 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种三维结构(3DS)存储器(100)使得能够将存储器电路(103)和控制逻辑(101)物理上分离到不同的层(103)上，致使可以分别地优化各个层。几个存储器电路(103)有一个控制逻辑(101)就够了，从而降低了成本。3DS存储器(100)的制造涉及到将存储器电路(103)减薄到厚度小于50微米以及将电路键合到电路叠层，同时仍然呈晶片衬底形式。采用了细粒高密度层间垂直总线互连(105)。3DS存储器(100)制造方法使得能够实现几种性能和物理尺寸效能，并且是用现有的半导体工艺技术实现的。

公开(公告)号：CN1268925A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN98803836.6

申请日：1998-04-03

Applicant: 格伦·J·利迪

Inventor： 格伦·J·利迪

IPC: B44C1/22 ,  B29C43/12 ,  C09J5/02 ,  C23F1/02

CPC classification number: H01L27/10897 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C5/04 ,  G11C29/44 ,  G11C29/81 ,  G11C29/846 ,  G11C29/848 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01079 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种三维结构(3DS)存储器(100)使得能够将存储器电路(103)和控制逻辑(101)物理上分离到不同的层(103)上,致使可以分别地优化各个层。几个存储器电路(103)有一个控制逻辑(101)就够了,从而降低了成本。3DS存储器(100)的制造涉及到将存储器电路(103)减薄到厚度小于50微米以及将电路键合到电路叠层,同时仍然呈晶片衬底形式。采用了细粒高密度层间垂直总线互连(105)。3DS存储器(100)制造方法使得能够实现几种性能和物理尺寸效能,并且是用现有的半导体工艺技术实现的。